8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
8Mb
ZBT
SRAM
特点
高频和100％的总线利用率
快速的生产周期：为6ns ， 7.5ns和10ns的
单+ 3.3V ± 5 ％电源（V
DD
)
独立的+ 3.3V或+ 2.5V隔离输出缓冲器
电源（V
DD
Q)
最低控制先进的控制逻辑
信号接口
单个字节写入控制器可以连接到低电平
单个R / W ＃ （读/写）的控制销
CKE ＃引脚，使时钟和暂停运营
三芯片使简单的深度扩张
时钟控制和注册地址，数据
I / O和控制信号
内部自定时的，完全一致的写
内部自定时，注册输出
消除需要控制OE＃
贪睡模式降低功耗待机
常见的数据输入和数据输出
线性或交错突发模式
连拍功能（可选）
有2MB， 4MB，并且引脚/功能的兼容性
18MB ZBT SRAM
自动断电
100引脚TQFP封装
165引脚FBGA封装
119引脚BGA封装
MT55L512L18P ， MT55L512V18P ，
MT55L256L32P ， MT55L256V32P ，
MT55L256L36P ， MT55L256V36P
3.3V V
DD
， 3.3V或2.5V的I / O
100引脚TQFP
1
165引脚FBGA
（初步数据包）
选项
时序（通道/循环/兆赫）
为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的
4.2ns / 7.5ns / 133 MHz的
为5ns / 10ns的/ 100 MHz的
配置
3.3V的I / O
512K ×18
256K ×32
256K ×36
2.5V的I / O
512K ×18
256K ×32
256K ×36
包
100引脚TQFP
165针， 13毫米X 15毫米FBGA
119针， 14毫米X 22毫米BGA
工作温度范围
商用（ 0℃至+ 70℃ ）
工业级（-40° C至+ 85°C ） **
标记*
-6
-7.5
-10
119引脚BGA
2
MT55L512L18P
MT55L256L32P
MT55L256L36P
MT55L512V18P
MT55L256V32P
MT55L256V36P
T
F
B
无
IT
注意：
1.符合JEDEC标准的MS -026 BHA （ LQFP ） 。
2.符合JEDEC标准的MS -028 BHA （ PBGA ） 。
产品编号举例：
MT55L256L32PT-7.5
*一个最热指南的FBGA封装器件可在Micron的发现
网站-HTTP ： //www.micron.com/support/index.html 。
**工业温度范围提供特定速度等级和
confgurations 。有关更多信息，请联系工厂。
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线ZBT SRAM
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1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
功能框图
512K ×18
19
SA0 ， SA1 ， SA
模式
CLK
CKE ＃
K
地址
寄存器0
19
17
SA1
SA1'
D1
Q1
SA0
SA0'
BURST
D0
Q0
逻辑
19
ADV / LD ＃
K
写地址
注册1
写地址
注册2
19
19
ADV / LD ＃
BWA ＃
BWB ＃
R / W ＃
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
512K ×9× 2
18
写
DRIVERS
18
内存
ARRAY
18
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
18
R
E
G
I
S
T
E
R
S
18
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
18
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
18
的DQ
E
E
18
输入
注册1
E
18
输入
寄存器0
E
OE ＃
CE＃
CE2
CE2#
读逻辑
功能框图
256K X 32/36
18
SA0 ， SA1 ， SA
模式
CLK
CKE ＃
K
地址
寄存器0
18
16
SA1
SA1'
D1
Q1
SA0
SA0'
BURST
D0
Q0
逻辑
18
ADV / LD ＃
K
写地址
注册1
写地址
注册2
18
18
ADV / LD ＃
BWA ＃
BWB ＃
BWC ＃
BWD ＃
R / W ＃
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
36
写
DRIVERS
36
256K ×8× 4
(x32)
256K ×9× 4 36
(x36)
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
36
R
E
G
I
S
T
E
R
S
36
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
36
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
36
的DQ
DQPa
DQPb
DQPc
DQPd
E
E
输入
注册1
E
36
输入
寄存器0
E
OE ＃
CE＃
CE2
CE2#
读逻辑
注意：
功能方框图说明了简化设备操作。见真值表，引脚说明和时序图
了解详细信息。
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线ZBT SRAM
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2001年，美光科技公司
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
概述
美光
零总线周转
（ ZBT
） SRAM
系列采用高速，低功耗的CMOS设计
用先进的CMOS工艺。
美光科技公司的8Mb ZBT SRAM的集成了512K ×18 ，
256K ×32或256K ×36的SRAM核心，先进的
同步外围电路和一个2位的脉冲串
计数器。这些SRAM是100 ％的优化
总线利用率，消除了任何周转周期
读到写，或者写读，过渡。所有
同步输入通过控制寄存器
由一个正边沿触发的单时钟输入（CLK） 。
同步输入包括所有地址，所有的数据
输入芯片使能（ CE ＃ ） ，另外两个芯片使
为便于深度扩展（ CE2 ， CE2 ＃ ） ，循环启动输入
（ ADV / LD ＃ ） ，同步时钟使能（ CKE ＃ ） ，字节
写使能（ BWA ＃ ， BWB ＃ ， BWC ＃ ，和BWD ＃ ） ，和
读/写（ R / W ＃）。
异步输入包括输出使能
（ OE＃ ，其可以被连接到低电平控制信号微型
mization ） ，时钟（CLK） ，及间歇启动（ZZ ，这
可以绑定到低电平，如果未使用） 。还有一种突发模式
销（模式），该交织和线性之间进行选择
突发模式。模式可以被设置为高电平，低电平，或左
未连接，如果爆裂是未使用的。的数据输出（ Q）
由OE＃启用，由CLK的上升沿注册。
写周期可以是从一到四个字节宽
由写控制输入控制。
所有READ，WRITE ，然后取消选择周期initi-
由ADV / LD ＃输入ated 。随后爆
地址可以被内部产生由作为控制
突发提前引脚（ ADV / LD ＃ ） 。使用突发模式
是可选的。这是可允许的，得到的地址为每个
单个读写周期。 BURST周期包裹
之后，从周围的基址第四接入。
以允许连续的，利用该数据的100％的
公交车，流水线ZBT SRAM使用晚晚写
周期。例如，如果一个写入周期的开始在时钟周期
1 ，地址是存在于上升沿之一。 BYTE
写入需要被断言在同一周期作为
地址。与该地址相关联的数据是必需的
两个周期后，或在时钟周期3的上升沿。
地址和写控制记录片上，以
简化写周期。这使得自定时写
周期。单个字节使能允许单个字节
被写入。在字节写周期， BWA ＃控制
DQA引脚; BWB ＃控制DQB引脚; BWC ＃控制
DQC销;和BWD ＃ DQD控制引脚。周期类型
一个地址被加载时只能被定义，即
当ADV / LD ＃为低。奇偶校验/ ECC位只
可在对x36版本。
美光科技公司的8Mb ZBT SRAM的为+ 3.3V时工作
DD
电源，以及所有输入和输出都LVTTL-
兼容。用户可以选择一个2.5V或3.3V的I / O
版本。该器件非常适合于系统的要求还
荷兰国际集团的高带宽和零总线转向拖延。
请参考美光公司的网站（ www.micron.com/
数据表）
最新的数据表。
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美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
TQFP引脚分配表
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
x18
NC
NC
NC
x32
NF
DQC
DQC
V
DD
Q
V
SS
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SS
V
DD
Q
DQC
DQC
V
DD
V
DD
V
DD
1
V
SS
DQD
DQD
V
DD
Q
V
SS
DQD
DQD
DQD
DQD
x36
DQPc
DQC
DQC
针＃
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
x18
x32
x36
V
SS
V
DD
Q
NC
DQD DQD
NC
DQD DQD
NC
NF
DQPd
MODE （ LBO ＃ ）
SA
SA
SA
SA
SA1
SA0
DNU
DNU
V
SS
V
DD
DNU
DNU
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
针＃
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
x18
NC
NC
NC
x32
x36
NF
DQPa
DQA
DQA
DQA
DQA
V
DD
Q
V
SS
DQA DQA
DQA DQA
DQA
DQA
V
SS
V
DD
Q
DQA
DQA
ZZ
V
DD
V
DD
1
V
SS
DQB DQB
DQB DQB
V
DD
Q
V
SS
DQB DQB
DQB DQB
DQB DQB
DQB DQB
针＃
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
x18
x32
x36
V
SS
V
DD
Q
DQB DQB
DQB DQB
NF
DQPb
SA
SA
SA
NF
2
ADV / LD ＃
OE ＃ （ G＃ ）
CKE ＃
R / W ＃
CLK
V
SS
V
DD
CE2#
BWA ＃
BWB ＃
BWC ＃ BWC ＃
BWD ＃ BWD ＃
CE2
CE＃
SA
SA
NC
NC
SA
NC
NC
DQB
DQB
DQC
DQC
DQC
DQC
NC
NC
DQB
DQB
DQC
DQC
DQB
DQB
DQD
DQD
DQA
DQA
NC
NC
DQB
DQB
DQB
NC
DQD
DQD
DQD
DQD
DQA
DQA
DQA
NC
注意：
1.销16和66不具有直接连接到V
DD
如果输入电压是
≥
V
IH
.
2.引脚84为扩大到18MB的设备保留。
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8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
引脚配置（顶视图）
100引脚TQFP
SA
NC
NC
V
DD
Q
V
SS
NC
DQA
DQA
DQA
V
SS
V
DD
Q
DQA
DQA
V
SS
V
DD
1
V
DD
ZZ
DQA
DQA
V
DD
Q
V
SS
DQA
DQA
NC
NC
V
SS
V
DD
Q
NC
NC
NC
SA
SA
SA
NF
2
ADV / LD ＃
OE ＃ （ G＃ ）
CKE ＃
R / W ＃
CLK
V
SS
V
DD
CE2#
BWA ＃
BWB ＃
NC
NC
CE2
CE＃
SA
SA
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51
50
81
49
82
48
83
47
84
46
85
45
86
44
87
43
88
42
89
41
90
40
91
39
92
38
93
37
94
36
95
35
96
34
97
33
98
32
99
31
100
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
x18
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
DNU
DNU
V
DD
V
SS
DNU
DNU
SA0
SA1
SA
SA
SA
SA
模式
（ LBO ＃ ）
SA
SA
SA
NF
2
ADV / LD ＃
OE ＃ （ G＃ ）
CKE ＃
R / W ＃
CLK
V
SS
V
DD
CE2#
BWA ＃
BWB ＃
BWC ＃
BWD ＃
CE2
CE＃
SA
SA
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51
50
81
49
82
48
83
47
84
46
85
45
86
44
87
43
88
42
89
41
90
40
91
39
92
38
93
37
94
36
95
35
96
34
97
33
98
32
99
31
100
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
NF / DQPb
3
DQB
DQB
V
DD
Q
V
SS
DQB
DQB
DQB
DQB
V
SS
V
DD
Q
DQB
DQB
V
SS
V
DD
1
V
DD
ZZ
DQA
DQA
V
DD
Q
V
SS
DQA
DQA
DQA
DQA
V
SS
V
DD
Q
DQA
DQA
NF / DQPa
3
NC
NC
NC
V
DD
Q
V
SS
NC
NC
DQB
DQB
V
SS
V
DD
Q
DQB
DQB
V
DD
V
DD
V
DD
1
V
SS
DQB
DQB
V
DD
Q
V
SS
DQB
DQB
DQB
NC
V
SS
V
DD
Q
NC
NC
NC
x32/x36
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
DNU
DNU
V
DD
V
SS
DNU
DNU
SA0
SA1
SA
SA
SA
SA
模式
（ LBO ＃ ）
注意：
1.销16和66不具有直接连接到V
DD
如果输入电压是
≥
V
IH
.
2.引脚84为扩大到18MB的设备保留。
3. NF的X32版本， DQPx的X36版本。
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线ZBT SRAM
MT55L512L18P_2.p65 - 修订版6/01
NF / DQPc
3
DQC
DQC
V
DD
Q
V
SS
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SS
V
DD
Q
DQC
DQC
V
DD
V
DD
V
DD
1
V
SS
DQD
DQD
V
DD
Q
V
SS
DQD
DQD
DQD
DQD
V
SS
V
DD
Q
DQD
DQD
NF / DQPd
3
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2001年，美光科技公司
QQ：2880707522 复制
