ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
小外形
DRAM模块
特点
在一个72引脚，小外形，双IN- JEDEC引脚排列
直插式内存模块（ SODIMM ）
16MB （ 4梅格×32）和32MB （ 8梅格×32 ）
高性能CMOS硅栅工艺
单+ 3.3V ± 0.3V电源
所有输入，输出和时钟TTL兼容
4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
快速页模式（ FPM ）或扩展数据输出
（ EDO ）页模式访问周期
可选的自刷新（ S）的低功耗数据保持
MT2LDT432H （X）的（S） - ， MT4LDT832H （X）中（S）
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micronsemi.com/datasheets/datasheet.html
引脚配置（前视图）
72引脚小外形DIMM
1
选项
包
72针SODIMM （金）
时机
为50ns存取
60ns的访问
存取周期
快速页模式
EDO页模式
刷新率
标准刷新
自刷新（ 128ms的时间段）
记号
G
-5
-6
无
X
无
S
针
前
针
1
V
SS
2
3
DQ1
4
5
DQ3
6
7
DQ5
8
9
DQ7
10
11
PRD1
12
13
A1
14
15
A3
16
17
A5
18
19
A10
20
21
DQ8
22
23
DQ10
24
25
DQ12
26
27
DQ14
28
29
A11
30
31
A8
32
33 NC / RAS3 ＃ * 34
35
DQ15
36
只有* 32MB版本
后
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
V
DD
A0
A2
A4
A6
NC
DQ9
DQ11
DQ13
A7
V
DD
A9
RAS2#
NC
针
前
针
37
DQ16
38
39
V
SS
40
41
CAS2#
42
43
CAS1#
44
45 NC / RAS1 ＃ * 46
47
WE＃
48
49
DQ18
50
51
DQ20
52
53
DQ22
54
55
NC
56
57
DQ25
58
59
DQ28
60
61
V
DD
62
63
DQ30
64
65
NC
66
67
PRD3
68
69
PRD5
70
71
PRD7
72
后
DQ17
CAS0#
CAS3#
RAS0#
NC （ A12 ）
NC （ A13 ）
DQ19
DQ21
DQ23
DQ24
DQ26
DQ27
DQ29
DQ31
PRD2
PRD4
PRD6
V
SS
产品编号
EDO操作模式
产品型号
MT2LDT432HG -X X
MT2LDT432HG -X XS
MT4LDT832HG -X X
MT4LDT832HG -X XS
X =速度
CON组fi guration
4梅格×32
4梅格×32
8梅格×32
8梅格×32
刷新
标准
自
标准
自
注意：
括号中的符号，这些模块没有使用，但可能
用于该产品系列的其他模块。它们可用于
仅供参考。
关键时序参数
EDO操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
FPM操作模式
产品型号
MT2LDT432HG-x
MT2LDT432HG -个S
MT4LDT832HG-x
MT4LDT832HG -个S
X =速度
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
CON组fi guration
4梅格×32
4梅格×32
8梅格×32
8梅格×32
刷新
标准
自
标准
自
FPM操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
90ns
110ns
50ns
60ns
30ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
30ns
40ns
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
概述
该MT2LDT432H （Ⅹ） （S）和MT4LDT832H （Ⅹ） （S） -
是随机访问的16MB和32MB的记忆
组织在一个小外形X32的配置。他们
经过特殊加工，从3V至3.6V的
低电压存储器系统。
在读或写周期，每个位是唯一
通过地址位，被输入寻址
12位（ A0- A11）的时间。 RAS＃用于锁存所述第一
12位和CAS ＃后者10比特。
读写周期选择与WE＃
输入。在我们的逻辑HIGH＃使然阅读模式，而
一个逻辑低电平WE＃使然写模式。在一
写周期，数据输入（ D）的下降沿锁存
WE＃或CAS ＃ ，取其最后出现。如果我们去＃
LOW之前CAS ＃变低，输出引脚（S ）
保持开放（高阻） ，直到下一个CAS ＃循环。
FAST-页面模式读取，除非数据将举行
有效或生效后CAS＃变为高电平，只要
RAS ＃和OE ＃保持低电平。 （参考4梅格×16
[ MT4LC4M16R6 ] DRAM数据手册附加
在EDO功能的信息。 ）
刷新
存储单元数据被保留在其正确的状态
保持权力和执行任何RAS ＃循环
（读，写）或RAS ＃刷新周期（ RAS ＃ - 只，
CBR或隐藏） ，这样的RAS ＃所有组合
地址被执行至少每
t
REF时，不管
序列。在CBR刷新周期将调用
自动RAS ＃寻址内部的刷新计数器
ING 。
一个可选的自刷新方式下也可用。该
的“S”选项允许用户的一个充分的选择静态，
低功耗的数据保留模式或动态刷新
模式以128ms的延长刷新周期。该
可选的自刷新功能是通过执行启动
一个CBR刷新周期并持有RAS ＃低位运行
特定网络版
t
RASS 。
自刷新模式时，通过驱动RAS＃终止
高对的最小时间
t
RPS 。该延迟允许
为完成任何内部刷新周期的
可以在过程中在所述RAS ＃低到的时间
HIGH过渡。如果在DRAM控制器使用通过分布
喊出刷新序列，则不需要刷新突发
在退出自刷新。然而，如果在DRAM CON-
控制器采用了RAS ＃ - 只或突发刷新序列，
所有行必须在平均内部刷新
刷新率之前，恢复正常的操作
化。
快速页模式
FAST- PAGE模式操作允许更快的数据
操作（读或写）一个行内寻址
定义页面的边界。快速页面模式的周期
总是开始与一个行地址选通，在由
RAS＃ ，接着是列地址选通，在由
CAS ＃ 。其他列可以通过provid-访问
荷兰国际集团的有效地址栏，选通CAS ＃和相应固定
荷兰国际集团RAS ＃为低，从而更快地执行存储周期。
返回RAS ＃ HIGH终止FAST- PAGE-
模式的操作。
EDO页模式
EDO页模式，由“X”的版本指定，
是加速快，页面模式的周期。革命制度党
EDO玛丽优势是数据输出的可用性
即使CAS ＃追溯到HIGH 。 EDO提供
CAS ＃预充电时间（
t
CP ）的发生无输出
把数据将无效。这消除CAS ＃
输出控制提供了流水线式的读取。
FAST- PAGE -MODE模块具有传统
打开输出缓冲器关闭（高阻）的上升
对CAS＃边缘。 EDO用作任何DRAM读或
待机
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止
存储器周期和减小芯片的电流，以减小
待机水平。此外，该芯片为前提的
在RAS ＃高电平时间下一个周期。
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
功能框图
MT2LDT432H （ X） （S ） （ 16MB ）
12
A0-A11
WE＃
U1
DQ0-
DQ15
CAS0#
CAS1#
RAS0#
A0-A11
WE＃
CASL ＃
CASH ＃
RAS ＃
OE ＃
16
12
32
DQ0-DQ31
12
A0-A11
WE＃
U2
DQ16-
DQ31
CAS2#
CAS3#
RAS2#
CASL ＃
CASH ＃
RAS ＃
OE ＃
16
V
DD
V
SS
U1-U2
U1-U2
U1 - U2 = MT4LC4M16R6TG （ S） EDO页模式
U1 - U2 = MT4LC4M16F5TG （ S）快速页面模式
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
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3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
ADVANCE
4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
功能框图
MT4LDT832H （ X） （S ） （ 32MB ）
12
A0-A11
WE＃
U1
DQ0-
DQ15
CAS0#
CAS1#
RAS0#
CASL ＃
CASH ＃
RAS ＃
OE ＃
16
32
DQ0-DQ31
12
WE＃
CAS2#
CAS3#
RAS2#
A0-A11
A0-A11
WE＃
U2
DQ16-
DQ31
CASL ＃
CASH ＃
RAS ＃
16
12
OE ＃
12
A0-A11
WE＃
CASL ＃
CASH ＃
U3
DQ0-
DQ15
16
RAS1#
RAS ＃
OE ＃
32
DQ0-DQ31
12
A0-A11
WE＃
U4
DQ16-
DQ31
CASL ＃
CASH ＃
RAS3#
RAS ＃
OE ＃
16
V
DD
V
SS
U1-U4
U1-U4
U1 - U4 = MT4LC4M16R6TG （ S） EDO页模式
U1 - U4 = MT4LC4M16F5TG （ S）快速页面模式
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
4
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1998年，美光科技公司
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4,8的MEG ×32
DRAM的SODIMM
JEDEC定义
在线检测 - MT2LDT432H （ X） （S ） （ 16MB ）
符号
PRD1
PRD2
PRD3
PRD4
PRD5
PRD6
PRD7
针
11
66
67
68
69
70
71
-5
NC
NC
V
SS
NC
V
SS
V
SS
X*
-6
NC
NC
V
SS
NC
NC
NC
X*
JEDEC定义
在线检测 - MT4LDT832H （ X） （S ） （ 32MB ）
符号
PRD1
PRD2
PRD3
PRD4
PRD5
PRD6
PRD7
针
11
66
67
68
69
70
71
-5
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
X*
-6
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
X*
* X = NC（正常刷新）或V
SS
（自刷新）
4 ， 8梅格×32 DRAM的SODIMM
DM89.p65 - 牧师12/98
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1998年，美光科技公司
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