MCC
TM
MBR1020FCT
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
微型商业组件
THRU
MBR10100FCT
10 AMP
肖特基
特点
低功耗
高效率
低正向电压,高电流能力
高浪涌能力
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
垒整流器器
20至100伏特
最大额定值
工作结点温度: -50 ° C至+ 150°C
存储温度: -50 ° C至+ 150°C
MCC
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
40V
45V
50V
60V
80V
100V
10 A
120A
最大
RMS
电压
14V
21V
28V
31.5V
35V
42V
56V
70V
T
C
= 100°C
8.3ms的,半正弦
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
ITO-220AB
B
L
M
C
K
针
1
2
3
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
40V
45V
50V
60V
80V
100V
D
A
MBR1020FCT MBR1020FCT
MBR1030FCT MBR1030FCT
MBR1040FCT MBR1040FCT
MBR1045FCT MBR1045FCT
MBR1050FCT MBR1050FCT
MBR1060FCT MBR1060FCT
MBR1080FCT MBR1080FCT
MBR10100FCT MBR10100FCT
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
1020FCT-1045FCT
1050FCT-1060FCT
1080FCT-10100FCT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
E
F
O
I
J
N
H H
销1
3脚
销2
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
I
F( AV )
I
FSM
MM
14.80
---
2.55
6.30
---
---
13.00
2.55
---
---
3.00
---
---
2.50
---
0.90
0.80
3.40
4.80
3.30
2.90
1.40
15.40
10.30
2.85
6.90
4.10
1.80
13.80
V
F
.55V
.75V
.85V
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A;
I
R
0.1mA
50mA
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
英寸
.583
.606
---
.406
.100
.112
.248
.272
---
.161
---
.071
.512
.543
.100
---
.035
---
.032
.118
.134
---
.189
---
.130
.098
.114
---
.055
修订: 3
www.mccsemi.com
1第3
2003/04/30
MBR1020FCT通MBR10100FCT
MCC
TM
微型商业组件
正向电流
安培
40
20
20. 30. 40V
10
8
6
4
2
1.0
.8
. .6
.4
.2
.1
.4
.5
.6
.7
.8
9
1.0
1.1
50. 60V
80. 100V
平均正向电流,
安培
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
T
J
= 25
J
脉冲宽度= 200
g
s
外壳温度
J
正向特性
图。 1 ,正向电流降额曲线
图。 2 ,典型INSTNATANEOUS FORWARD
特征
峰值正向浪涌电流,安培
150
130
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦
波JEDEC的方法
NO 。个周期为60Hz
图。 3最大非重复浪涌电流
修订: 4
www.mccsemi.com
2 3
2006/05/30
MCC
TM
微型商业组件
***重要提示***
微型商业组件公司
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保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
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使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
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和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
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不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
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修订: 4
3 3
2006/05/30
MBR1020FCT
?????????? ?????? omponents
20736
玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
THRU
MBR10100FCT
10 AMP
肖特基
特点
低功耗
高效率
低正向电压,高电流能力
高浪涌能力
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
垒整流器器
20至100伏特
最大额定值
工作结点温度: -50 ° C至+ 150°C
存储温度: -50 ° C至+ 150°C
MCC
目录
数
设备
记号
最大
复发
PEAK
反向
电压
20V
30V
40V
45V
50V
60V
80V
100V
10 A
120A
最大
RMS
电压
14V
21V
28V
31.5V
35V
42V
56V
70V
T
C
= 100°C
8.3ms的,半正弦
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
ITO-220AB
B
L
M
C
K
针
1
2
3
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
40V
45V
50V
60V
80V
100V
D
A
MBR1020FCT MBR1020FCT
MBR1030FCT MBR1030FCT
MBR1040FCT MBR1040FCT
MBR1045FCT MBR1045FCT
MBR1050FCT MBR1050FCT
MBR1060FCT MBR1060FCT
MBR1080FCT MBR1080FCT
MBR10100FCT MBR10100FCT
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
1020FCT-1045FCT
1050FCT-1060FCT
1080FCT-10100FCT
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
E
F
O
I
J
N
H H
销1
3脚
销2
G
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
I
F( AV )
I
FSM
MM
14.80
---
2.55
6.30
---
---
13.00
2.55
---
---
3.00
---
---
2.50
---
0.90
0.80
3.40
4.80
3.30
2.90
1.40
15.40
10.30
2.85
6.90
4.10
1.80
13.80
V
F
.55V
.75V
.85V
T
J
= 25°C
I
FM
= 5A;
I
R
0.1mA
50mA
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
英寸
.583
.606
---
.406
.100
.112
.248
.272
---
.161
---
.071
.512
.543
.100
---
.035
---
.032
.118
.134
---
.189
---
.130
.098
.114
---
.055
www.kersemi.com
MBR1020FCT通MBR10100FCT
正向电流
安培
40
20
20. 30. 40V
10
8
6
4
2
1.0
.8
. .6
.4
.2
.1
.4
.5
.6
.7
.8
9
1.0
1.1
50. 60V
80. 100V
平均正向电流,
安培
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
T
J
= 25
J
脉冲宽度= 200
g
s
外壳温度
J
正向特性
图。 1 ,正向电流降额曲线
图。 2 ,典型INSTNATANEOUS FORWARD
特征
峰值正向浪涌电流,安培
150
130
110
90
70
50
30
20
10
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms单半正弦
波JEDEC的方法
NO 。个周期为60Hz
图。 3最大非重复浪涌电流
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MBR1040FCT~MBR10200FCT
10安培肖特基二极管
电压
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V -O 。
阻燃环氧模塑料。
金属硅交界处,多数载流子传导
低功耗,高效率。
高电流能力
Guardring为overvlotage保护
适用于低电压,高频率逆变器的使用
续流和polarlity保护应用。
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
40至200伏特
当前
10安培
MECHANICALDATA
案例: ITO - 220AB模压塑料
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:作为标记。
安装位置:任意
重量: 0.055盎司, 1.5615克。
.027(.67)
.022(.57)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
PA RA M E TE
米喜米庵 - [R EC乌尔重新NT P EAK 已经RSE V oltage
米喜米庵 - [R M传V L T A G é
米喜米嗯D C B升摄氏度K I NG V L T A G é
米喜米庵一个已经风靡F orward C-UR重新新台币(S EE
科幻克0.1)
P·E A K F R W A R S UR克式C乌尔鄂西北: 8 。 3米S S小我NG L E
哈lfsi NE - 华已经s提高erimposedonrated
1。· A D (J E D权证M E吨浩四)
米喜米庵F orward V oltageat 5 A, perleg
米喜米庵 C R ê已经R 5式C乌尔鄂西北牛逼
J
= 2 5
O
C
一件T R A T E D D C B升摄氏度K I NG武L T A G (E T)
J
= 1 2 5
O
C
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究(E S)我S T A N权证
P·E R A T I纳克次S T R A克é UNC T I O 4 N
TE米P·E·R的T ü R A N G - é
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V
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V
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V
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I
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MB的R 1 0 4 0 FCT MB的R 1 0 4 5 FCT MB的R 1 0 5 0 FCT MB的R 1 0 6 0的FCT MB的R 1 0 8 0的FCT MB的R 1 0 9 0 FCT MB的R 1 0 1 0 0 FCT MB的R 1 0 1 5 0 FCT MB R1 0 2 0 0 FCT
加利它s
V
V
V
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
10
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63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
I
F S M
150
A
V
F
0 .7
0 .7 5
0 .0 5
20
2
0 .8
0.9
V
I
R
mA
O
R
θ
J·C
T
J
, T
s TG
-5 5 + 1 5 0
C /
W
C
-6 5 + 1 7 5
O
注意事项:
这两个粘接和芯片结构可供选择。
STAD-APR.30.2009
PAGE 。 1