4,8的MEG ×64
DRAM的SODIMM
小外形
DRAM模块
特点
在一个144引脚，小外形，双IN- JEDEC引脚排列
直插式内存模块（ SODIMM ）
32MB （ 4梅格×64 ）和64MB （ 8梅格×64 ）
高性能CMOS硅栅工艺
单+ 3.3V ± 0.3V电源
所有输入，输出和时钟TTL兼容
4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
快速页模式（ FPM ）或扩展数据输出
（ EDO ）页模式访问周期
可选的自刷新模式（ S）
串行存在检测（ SPD ）
MT4LDT464H （X）的（S） - ， MT8LDT864H （X）中（S）
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micronsemi.com/datasheets/datasheet.html
引脚配置（前视图）
144引脚小外形DIMM
（Ⅰ- 1; 32MB ）
（Ⅰ- 2; 64MB ）
选项
包
144针SODIMM （金）
时机
为50ns存取
60ns的访问
存取周期
快速页模式
EDO页模式
刷新率
标准刷新
自刷新（ 128ms的时间段）
*联系工厂的可用性
记号
G
-5
-6
无
X
无
S*
关键时序参数
FPM操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
90ns
110ns
50ns
60ns
30ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
30ns
40ns
EDO操作模式
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
针
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
注意：
前
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
SS
CAS0#
CAS1#
V
DD
A0
A1
A2
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
V
DD
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
V
SS
RSVD
RSVD
俄罗斯足协
V
DD
俄罗斯足协
WE＃
RAS0#
NC
针
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
CAS4#
CAS5#
V
DD
A3
A4
A5
V
SS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
DD
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
V
SS
RSVD
RSVD
俄罗斯足协
V
DD
俄罗斯足协
俄罗斯足协
NC
NC
针
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
前
OE ＃
V
SS
RSVD
RSVD
V
DD
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
DD
A6
A8
V
SS
A9
A10
V
DD
CAS2#
CAS3#
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
SDA
V
DD
针
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
后
俄罗斯足协
V
SS
RSVD
RSVD
V
DD
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
SS
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
V
DD
A7
A11
V
SS
NC （ A12 ）
NC （ A13 ）
V
DD
CAS6#
CAS7#
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
SCL
V
DD
括号中的符号，这些模块没有使用，但
可用于该产品系列中的其它模块。他们
仅供参考。
4 ， 8梅格×64 DRAM的SODIMM
DM83.p65 - 修订版2/99
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1999年，美光科技公司
4,8的MEG ×64
DRAM的SODIMM
产品编号
FPM操作模式
产品型号
MT4LDT464HG-x
MT4LDT464HG -个S
MT8LDT864HG-x
MT8LDT864HG -个S
X =速度
CON组fi guration
4梅格×64
4梅格×64
8梅格×64
8梅格×64
刷新
标准
自
标准
自
CAS ＃ 。其他列可以通过provid-访问
荷兰国际集团的有效地址栏，选通CAS ＃和相应固定
荷兰国际集团RAS ＃为低，从而更快地执行存储周期。
返回RAS ＃ HIGH终止FAST- PAGE-
模式的操作。
EDO页模式
EDO页模式，由“X”的选项指定，
是加速快，页面模式的周期。革命制度党
EDO玛丽优势是数据输出的可用性
即使CAS ＃追溯到HIGH 。 EDO提供
CAS ＃预充电时间（
t
CP ）的发生无输出
把数据将无效。这消除CAS ＃
输出控制提供了流水线式的读取。
FAST- PAGE -MODE模块具有传统
打开输出缓冲器关闭（高阻）的上升
对CAS＃边缘。 EDO用作任何DRAM读或
FAST-页面模式读取，除非数据将举行
有效后CAS＃变为高电平，只要RAS＃和OE ＃
保持低电平和WE ＃被拉高。 （参见8
梅格×8 EDO DRAM的数据手册了解更多Infor公司
息对EDO功能。 ）
EDO操作模式
产品型号
MT4LDT464HG -X X
MT4LDT464HG -X XS
MT8LDT864HG -X X
MT8LDT864HG -X XS
X =速度
CON组fi guration
4梅格×64
4梅格×64
8梅格×64
8梅格×64
刷新
标准
自
标准
自
概述
该MT4LDT464H （Ⅹ） （S）和MT8LDT864H （Ⅹ） （S） -
是随机访问的32MB和64MB的记忆
组织在一个小外形， 64的配置。他们
经过特殊加工，从3V至3.6V的
低电压存储器系统。
在读或写周期，每个位置
通过地址位唯一解决。该行AD-
衣服是由RAS ＃信号，则该列锁存
地址是由CAS ＃信号锁存。
读写周期选择与WE＃
输入。在我们的逻辑HIGH＃使然阅读模式，而
一个逻辑低电平WE＃使然写模式。在一
写周期，数据输入（ D）的下降沿锁存
WE＃或CAS ＃ ，取其最后出现。早期
当WE＃被拉低之前CAS ＃时写
坠落。后写入或读 - 修改 - 写OC-
小人当WE＃下降后， CAS ＃被拉低。中
早期写周期，数据输出（ Q）将保持
高-Z ，无论OE ＃的状态。在晚
写或读 - 修改 - 写周期， OE ＃必须
禁用适用于─前的数据输出高电平
荷兰国际集团的输入数据。如果后写入或读 - 修改 -
写的是试图在保持OE ＃低，无
会发生写入和数据输出驱动器将读取
从访问位置数据。
刷新
存储单元数据被保留在其正确的状态
保持权力和执行任何RAS ＃循环
（读，写）或RAS ＃刷新周期（ RAS ＃ - 只，
CBR或隐藏） ，这样的RAS ＃所有组合
地址被执行至少每
t
REF时，不管
序列。在CBR刷新周期将调用
自动RAS ＃寻址内部的刷新计数器
ING 。
一个可选的自刷新方式下，也可于
在“S”版本。所述的“S”选项允许用户在
选择一个完全静态的，低功耗数据保持方式
或在延长的刷新动态刷新模式
的128毫秒内，或每行使用通过分布在125微秒
布式CBR REFESH 。可选的自刷新功能是
通过执行CBR刷新周期启动，
持RAS ＃ LOW指定
t
RASS 。
自刷新模式时，通过驱动RAS＃终止
高对的最小时间
t
RPS 。该延迟允许
为完成任何内部刷新周期的
可以在过程中在所述RAS ＃低到的时间
HIGH过渡。如果在DRAM控制器使用通过分布
喊出刷新序列，则不需要刷新突发
在退出自刷新。然而，如果在DRAM CON-
控制器采用了RAS ＃ - 只或突发刷新序列，
所有1240行必须在平均范围内刷新
内部刷新率，之前恢复正常
操作。
快速页模式
FAST- PAGE模式操作允许更快的数据
操作（读或写）一个行内寻址
定义页面的边界。快速页面模式的周期
总是开始与一个行地址选通，在由
RAS＃ ，接着是列地址选通，在由
4 ， 8梅格×64 DRAM的SODIMM
DM83.p65 - 修订版2/99
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1999年，美光科技公司
4,8的MEG ×64
DRAM的SODIMM
功能框图
MT4LDT464H （ X） （ 32MB ）
DQ0-DQ15
DQ16-DQ31
16
DQ0-DQ15
WE＃
OE ＃
RAS0#
CAS0#
CAS1#
CAS2#
CAS3#
A0-A11
WE＃
U1
OE ＃
RAS ＃
CASL ＃
CASH ＃ A0A11
OE ＃
RAS ＃
CASL ＃
16
DQ0-DQ15
WE＃
U2
CASH ＃ A0A11
12
12
DQ32-DQ47
DQ48-DQ63
16
DQ0-DQ15
WE＃
U3
OE ＃
RAS ＃
CAS4#
CAS5#
CAS6#
CAS7#
CASL ＃
CASH ＃ A0A11
OE ＃
RAS ＃
CASL ＃
16
DQ0-DQ15
WE＃
U4
CASH ＃ A0A11
12
12
SPD
SCL
SA0
SA1
SA2
SDA
U1 - U4 = MT4LC4M16R6 EDO页模式
U1 - U4 = MT4LC4M16F5快速页面模式
V
DD
V
SS
U1-U4
U1-U4
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3
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1999年，美光科技公司
4,8的MEG ×64
DRAM的SODIMM
功能框图
MT8LDT864H （ X） （ 64MB ）
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
8
DQ0-DQ7
WE＃
OE ＃
RAS0#
CAS0#
WE＃
U1
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
CAS1#
CAS2#
CAS3#
A0-A11
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
8
DQ0-DQ7
WE＃
U2
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
8
DQ0-DQ7
WE＃
U3
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
8
DQ0-DQ7
WE＃
U4
A0A11
12
12
12
12
DQ32-DQ39
DQ40-DQ47
DQ48-DQ55
DQ56-DQ63
8
DQ0-DQ7
WE＃
U5
OE ＃
RAS ＃
CAS4#
CAS ＃
A0A11
CAS5#
CAS6#
CAS7#
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
8
DQ0-DQ7
WE＃
U6
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
8
DQ0-DQ7
WE＃
U7
OE ＃
RAS ＃
CAS ＃
A0A11
8
DQ0-DQ7
WE＃
U8
A0A11
12
12
12
12
SPD
SCL
SA0
SA1
SA2
SDA
V
DD
V
SS
U1-U8
U1-U8
U1 - U8 = MT4LC8M8B6快速页面模式
U1 - U8 = MT4LC8M8C2 EDO页模式
4 ， 8梅格×64 DRAM的SODIMM
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4
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1999年，美光科技公司
4,8的MEG ×64
DRAM的SODIMM
待机
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止
存储器周期和减小芯片的电流，以减小
待机水平。此外，该芯片为前提的
在RAS ＃高电平时间下一个周期。
SPD启动条件
所有的命令都冠以启动条件，
这是当SDA SCL高电平到低电平转换
为HIGH 。社民党设备持续监控
启动条件，也不会SDA和SCL线
响应任何命令，直到这个条件有
得到了满足。
SPD停止条件
所有通信都通过一个止动端的CON-
DITION ，这是SDA由低到高的转变
当SCL为高电平。停止条件也被用于
将SPD器件进入待机功耗模式。
SPD ACKNOWLEDGE
确认用于一个软件约定
表明成功的数据传输。发射
设备，无论是主机或从机，会后释放总线
发送8比特。在第九个时钟周期，
接收器将SDA线为低电平承认
它接收到的8位数据（图3） 。
社民党设备将始终以一个应答响应
识别的启动条件之后，知识和
它的从机地址。如果设备和写这两个
串行存在检测操作
该模块系列集成了串行presence-
检测（ SPD ） 。该SPD功能通过实现
一个2048比特的EEPROM 。这非易失性存储设备
包含256个字节。前128个字节可以亲
美光编程识别模块类型，
各DRAM组织和时序参数。
可供使用的剩余128字节的存储空间
由客户。系统的读/写操作BE-
补间的主（系统逻辑），从EEPROM
设备（DIMM）使用通过标准的IIC总线发生
DIMM的SCL （时钟）和SDA （数据）信号。
SPD时钟和数据约定
SDA线上只能在改变数据状态
SCL为低电平。在SCL为高电平，SDA状态的改变是
保留用于指示启动和停止条件（图 -
量1个和2）。
SCL
SCL
SDA
数据稳定
数据
变化
数据稳定
SDA
开始
位
停止
位
图1
数据有效性
图2
启动和停止的定义
SCL从主
8
9
数据输出
来自发射机
数据输出
来自接收机
应答
科幻gure 3
确认响应从接收机
4 ， 8梅格×64 DRAM的SODIMM
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