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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2971页 > MT48V4M32LFFC
ADVANCE
128MB ： X16 ， X32
移动SDRAM
同步
DRAM
特点
温度补偿自刷新（ TCSR ）
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
自刷新模式;标准和低功耗
64毫秒， 4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
低电压电源供应器
部分阵列自刷新功率节省模式
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
MT48LC8M16LFFF ， MT48V8M16LFFF - 2梅格×16× 4银行
MT48LC4M32LFFC ， MT48V4M32LFFC - 1兆欧×32× 4银行
对于最新的数据表的修改，请参考美光网络
网站：
www.micron.com/dramds
引脚配置（顶视图）
54球VFBGA
1
A
B
C
D
E
F
V
SS
2
DQ15
3
V
SS
Q
4
5
6
7
V
DD
Q
8
DQ0
9
V
DD
DQ14
DQ13
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ2
DQ1
DQ12
DQ11
V
SS
Q
V
DD
Q
DQ4
DQ3
DQ10
DQ9
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ6
DQ5
DQ8
NC
V
SS
V
DD
LDQM
DQ7
UDQM
CLK
CKE
CAS ＃
RAS ＃
WE＃
选项
V
DD
/V
DD
Q
3.3V/3.3V
2.5V / 2.5V或1.8V
配置
8梅格×16 （ 2梅格×16× 4组）
4梅格×32 （ 1兆×32× 4组）
封装/球出
塑料包装
54球FBGA （采用8mm x 9毫米） （ X16只）
90球FBGA （ 11毫米X 13毫米）
时间（周期时间）
为8ns @ CL = 3 （ 125兆赫）
为10ns @ CL = 3（ 100MHz）的
产品编号举例：
记号
LC
V
8M16
4M32
G
H
J
NC/A12
A11
A9
BA0
BA1
CS ＃
A8
A7
A6
A0
A1
A10
V
SS
A5
A4
A3
A2
V
DD
顶视图
（球下）
FF
1
FC
1
-8
-10
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
8梅格×16
4梅格×32
2梅格×16× 4银行1兆×32× 4银行
4K
4K
4K （ A0 -A11 ）
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0–A8)
256 (A0–A7)
MT48V8M16LFFC-8
注意：
1.请参阅FBGA / VFBGA设备61页标记
表。
关键时序参数
速度
时钟
存取时间
等级频率CL = 1 * CL = 2 * CL = 3 *
-8
-10
-8
-10
-8
-10
125兆赫
100兆赫
100兆赫
83兆赫
50兆赫
40 MHZ
–
–
–
–
19ns
22ns
–
–
8ns
8ns
–
–
7ns
7ns
–
–
–
–
t
RCD
t
RP
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
20ns
* CL = CAS （ READ ）延迟
128MB ： X16 ， X32移动SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 - 修订版F;酒馆。 9/02
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
产品和规格此讨论进行评价和参考PUROPOSES ONLY ，并有可能改变由
MICRON ，恕不另行通知。仅保证产品美光符合Micron的生产数据表规格。
ADVANCE
128MB ： X16 ， X32
移动SDRAM
90球FBGA封装引脚分配
（ TOP VIEW ）
1
A
DQ26
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ24
V
SS
V
DD
DQ23
DQ21
B
DQ28
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ19
C
V
SS
Q
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
V
DD
Q
D
V
SS
Q
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
V
DD
Q
E
V
DD
Q
DQ31
NC
NC
DQ16
V
SS
Q
F
V
SS
DQM3
A3
A2
DQM2
V
DD
G
A4
A5
A6
A10
A0
A1
H
A7
A8
NC
NC
BA1
A11
J
CLK
CKE
A9
BA0
CS ＃
RAS ＃
K
DQM1
NC
NC
CAS ＃
WE＃
DQM0
L
V
DD
Q
DQ8
V
SS
V
DD
DQ7
V
SS
Q
M
V
SS
Q
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
V
DD
Q
N
V
SS
Q
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
V
DD
Q
P
DQ11
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
DQ4
R
DQ13
DQ15
V
SS
V
DD
DQ0
DQ2
球阵列
128MB ： X16 ， X32移动SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 - 修订版F;酒馆。 9/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
ADVANCE
128MB ： X16 ， X32
移动SDRAM
128Mb的SDRAM型号一览
产品型号
MT48LC8M16LFFF-xx
MT48V8M16LFFF-xx
MT48LC4M32LFFC-xx
MT48V4M32LFFC-xx
V
DD
/V
DD
Q
3.3V / 3.3V
2.5V / 2.5V-1.8V
3.3V / 3.3V
2.5V / 2.5V-1.8V
架构
8梅格×16
8梅格×16
4梅格×32
4梅格×32
包
54球VFBGA
54球VFBGA
90球FBGA
90球FBGA
概述
美光
128Mb的SDRAM是高速CMOS ，
含134217728动态随机存取存储器
位。它在内部配置为四银行DRAM
具有同步接口（所有信号被登记在
该时钟信号的上升沿时，CLK ） 。每个
X16的33554432位银行的组织结构4096行通过
512列的16位数字。每一个X32的33554432位的
银行组织的4096行，256列32
位。
读取和写入访问到SDRAM被爆ori-
ented ;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册AC-
TIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位注册coinci-
凹痕与ACTIVE命令用于选择
银行和行访问（ BA0 ， BA1选择银行;
A0 -A11选择行） 。地址位注册投币
cident与READ或WRITE命令用于
选择突发存取的起始列位置。
在SDRAM提供了可编程只读或
的1 ，2，4 ，或8个位置，或全写入脉冲串长度
页面上，一阵终止选项。自动预充电
功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电是在脉冲结束时启动的SE-
quence 。
128MB的SDRAM采用内部管线
体系结构来实现高速操作。这
体系结构是与预取的2n个规则兼容
体系结构，但它也可以使列地址是
改变在每个时钟周期，实现了高速，
完全随机访问。预充电一家银行，而访问 -
荷兰国际集团的其他三个银行之一，将隐藏预充电
周期并提供无缝高速，随机存取
操作。
128MB的SDRAM设计为3.3V经营或
2.5V ，低功耗存储器系统。自动刷新模式
设置，以及一个省电，掉电
模式。所有输入和输出都是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展operat-
水性能，包括能够同步
在高数据速率的自动柱分离突发数据
地址生成，会期之间交错的能力
为了隐藏预充电时间和ternal银行
能力随意改变每一列上的地址
在一个脉冲串存取的时钟周期。
128MB ： X16 ， X32移动SDRAM
MobileY95W_3V_F.p65 - 修订版F;酒馆。 9/02
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美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
ADVANCE
128MB ： X16 ， X32
移动SDRAM
目录
功能框图 - 8梅格×16 ................
功能框图 - 4梅格×32 ................
54球引脚说明.........................................
90球引脚说明.........................................
功能说明
.........................................
初始化................................................. .....
寄存器定义............................................
模式寄存器................................................
突发长度............................................
突发型...............................................
CAS延迟............................................
操作模式......................................
扩展模式寄存器.........................
温度补偿自刷新。
部分阵列自刷新.........................
命令................................................. ............
事实表1 （命令和DQM操作）
............
命令禁止.............................................
无操作（ NOP ） ..........................................
加载模式寄存器............................................
主动................................................. ...............
阅读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
自动预充电................................................ ..
突发终止................................................ 。
自动刷新................................................ ......
自刷新................................................ ........
操作................................................. ...............
银行/行激活........................................
读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
同时自动预充电..............................
掉电............................................... .......
时钟暂停................................................ ...
突发读/写单....................................
5
6
7
8
9
9
9
9
9
10
11
11
12
12
13
14
14
15
15
15
15
15
15
15
15
15
16
16
17
17
18
24
26
28
26
27
27
30
31
33
绝对最大额定值................................... 35
DC电气特性
与工作条件................................... 35
AC电气特性和建议
工作条件
（时序表） .............
AC功能特点................................
I
DD
规格和条件.........................
电容................................................. ...........
时序波形
初始化和加载模式寄存器......................
掉电模式............................................
时钟挂起模式.........................................
自动刷新模式............................................
自刷新模式..............................................
读和写
读 - 如果没有自动预充电...................
阅读 - 使用自动预充电........................
单读 - 如果没有自动预充电........
单读 - 带自动预充电.............
交行读访问...................
阅读 - 全页突发..................................
阅读 - DQM操作................................
写到
写 - 如果没有自动预充电.................
写 - 使用自动预充电.......................
单写 - 如果没有自动预充电.......
单写 - 带自动预充电............
交行写访问.................
写 - 全页突发.................................
写 - DQM操作..............................
54球VFBGA绘图...............................
90球FBGA绘图.................................
FBGA / VFBGA器件标识.....................
36
37
37
38
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
真值表2 （ CKE ）
................................................
事实表3 （目前的状态，同一家银行）
.....................
事实表4 （目前的状态，不同的银行）
.................
128MB ： X16 ， X32移动SDRAM
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2002年，美光科技公司
ADVANCE
128MB ： X16 ， X32
移动SDRAM
功能框图
8梅格X16 SDRAM
CKE
CLK
CS ＃
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
控制
逻辑
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
银行
0
1
2
3
命令
解码
BANK3
BANK2
BANK1
模式寄存器
REFRESH 12
计数器
12
12
行向
地址
MUX
12
BANK0
行向
地址
LATCH
＆放大器;
解码器
4096
BANK0
内存
ARRAY
(4,096 x 512 x 16)
2
2
DQML ，
DQMH
感测放大器
16
4096
数据
产量
注册
2
A0-A11,
BA0 ， BA1
地址
注册
银行
控制
逻辑
14
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
16
512
(x16)
数据
输入
注册
16
DQ0-
DQ15
2
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
9
9
128MB ： X16 ， X32移动SDRAM
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M485L1624FT0-CB3
MR052A1R4FAT
MAX1617A
M38026M4D896SS
M38227E8HXXXGP
MC10EL34DR2
MRFE6VS25N
M25PE80-VMP6TG
MI-P5V-MVY
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型号
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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