飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6VS25N
第0版， 6/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向MOSFET
MRFE6VS25NR1
RF功率晶体管设计用于窄带和宽带的ISM ，
广播和航空航天应用的运行频率为1.8
2000兆赫。该器件采用飞思卡尔的增强耐用性制造
平台和适合于在应用中高的VSWR是使用
遇到。
典型特性：
V
DD
= 50伏
频率
（兆赫）
1.8 30
(1)
512
512
1030
信号类型
两个 - 音
（ 10 kHz间隔）
脉冲（ 100
微秒，
20 ％占空比）
CW
CW
P
OUT
(W)
25 PEP
25峰
25
25
G
ps
（ dB）的
25
25.4
25.5
22.5
η
D
(%)
51
74.5
74.7
60
IMD
（ DBC）
--30
—
—
—
1.8-
-2000兆赫， 25 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
TO -
-270-
-2
塑料
1所示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
30
信号类型
CW
VSWR
>65 ： 1
在所有阶段
角
P
OUT
(W)
31
（ 3分贝
OVERDRIVE ）
31峰
（ 3分贝
OVERDRIVE ）
30.5
（ 3分贝
OVERDRIVE
31
（ 3分贝
OVERDRIVE
TEST
电压
50
结果
没有设备
降解
门1
2漏
512
脉冲
(100
微秒，
20%
占空比）
CW
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
512
1030
CW
图1.引脚连接
特点
宽工作频率范围
极其坚固
无以伦比，有能力甚宽频带操作
综合稳定性增强
低热阻
增强型ESD保护电路
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
MRFE6VS25NR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
符号
R
θJC
Z
θJC
价值
--0.5, +133
--6.0, +10
--65到150
--40到150
--40到225
价值
(2,3)
1.2
0.29
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
CW ：外壳温度80 ° C， 25瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 10毫安， 512兆赫
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度77 ° C， 25 W峰值， 100
微秒
脉冲宽度，
20％的占空比， 50伏直流电，我
DQ
= 10毫安， 512兆赫
单位
° C / W
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
B，通过250 V
四，通过2000伏
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 50 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 85
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 10 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 210 MADC ）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
0.26
14.2
39.2
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2.0
—
2.0
2.4
0.28
2.5
3.0
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
133
—
—
—
142
—
—
400
—
2
7
NADC
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。选择
文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MRFE6VS25NR1
2
RF设备数据
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表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 25 W峰值（ 5 W平均） ， F = 512 MHz时，
100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
频率
（兆赫）
512
信号
TYPE
脉冲
(100
微秒，
20 ％占空比）
CW
G
ps
η
D
IRL
P
OUT
(W)
31峰
（ 3分贝高速）
30.5
（ 3分贝高速）
24.0
70.0
—
25.4
74.5
--16
27.0
—
--10
dB
%
dB
负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我
DQ
= 10 mA）的
VSWR
>65 ： 1
在所有相位角
测试电压V
DD
50
结果
没有设备退化
MRFE6VS25NR1
RF设备数据
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3
512 MHz的窄带生产测试夹具
C1
C14
B2
C13
B1
C2 C3
C5*
C4
L1
切出区
L2
L3
C12
C15
C6
C7
C8
C10*
C9*
C11
MRFE6VS25N
第1版
* C5， C9和C10被垂直地安装。
图5. MRFE6VS25NR1窄带测试电路元件布局 - 512兆赫
表6. MRFE6VS25NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 512兆赫
部分
B1, B2
C1
C2, C13
C3, C14
C4, C11, C12
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C15
L1
L2
L3
PCB
描述
龙铁氧体磁珠
22
μF,
35 V钽电容器
0.1
μF
贴片电容
0.01
μF
贴片电容
180 pF的贴片电容
18 pF的贴片电容
2.7 pF的电容芯片
15 pF的贴片电容
36 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
33 nH的电感器
12.5 nH的电感器
82 nH的电感器
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743021447
T491X226K035AT
CDR33BX104AKWY
C0805C103K5RAC
ATC100B181JT300XT
ATC100B180JT500XT
ATC100B2R7BT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B360JT500XT
ATC100B4R3CT500XT
ATC100B130JT500XT
MCGPR63V477M13X26-RH
1812SMS-33NJLC
A04TJLC
1812SMS-82NJLC
AD255A
生产厂家
商Fair-Rite
基美
AVX
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
阿尔隆
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5
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