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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第535页 > MT48LC64M4A2_03
256MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
同步
DRAM
特点
PC66- ， PC100-和PC133兼容
完全同步;所有信号上注册
系统时钟的上升沿，
内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
自刷新模式
64毫秒， 8192周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
MT48LC64M4A2 - 梅格16 ×4× 4银行
MT48LC32M8A2 - 梅格8 ×8× 4银行
MT48LC16M16A2 - 4梅格×16× 4银行
对于最新的数据资料，请参考美光公司网站：
www.micron.com/dramds
图1 ：引脚分配（顶视图）
54引脚TSOP
x4 x8 x16
-
-
-
-
-
NC
x16 x8 x4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
-
-
-
-
-
NC
NC
DQ0
NC数控
DQ0 DQ1
NC数控
NC
DQ2
NC数控
DQ1 DQ3
-
NC
-
NC
选项
配置
64梅格×4 （ 16兆×4× 4银行）
梅格32 ×8（ 8梅格×8× 4组）
梅格16 ×16 （ 4梅格×16× 4组）
写入恢复（
t
WR ）
t
WR = “ 2 CLK ”
1
记号
64M4
32M8
16M16
A2
TG
P
FB
4, 5
FG
3
BB
4, 5
BG
3
-7E
-75
:D
封装/引脚
54针TSOP II OCPL
2
（ 400密耳） （标准）
54针TSOP II OCPL
2
（ 400密耳） （无铅）
60球FBGA （ X4，X8 ）
54球VFBGA （ X16 ）
60球FBGA （ X4，X8 ） （无铅）
54球VFBGA （ X16 ） （无铅）
时间（周期时间）
7.5ns @ CL = 2 （ PC133 ）
7.5ns @ CL = 3 （ PC133 ）
=裸片修订
自刷新
标准
低功耗
工作温度
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
请参考美光技术说明TN- 48-05 。
偏离中心的分界线。
请参考美光的可用性。
不适用于X16的配置。
实际FBGA最热显示60页。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
注意：
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
V
DD
DQML
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
CS ＃
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
-
VSS
DQ15 DQ7
VSSQ
-
DQ14
NC
DQ13 DQ6
V
DD
Q
-
DQ12
NC
DQ11 DQ5
VSSQ
-
DQ10
NC
DQ9 DQ4
V
DD
Q
-
DQ8
NC
-
VSS
-
NC
DQMH DQM
-
CLK
CKE
-
A12
-
A11
-
A9
-
A8
-
A7
-
A6
-
A5
-
A4
-
VSS
-
-
NC
-
NC
DQ3
-
NC
NC
-
NC
DQ2
-
NC
-
-
DQM
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
＃符号指示信号是低电平有效。破折号（ - ）
表明x8和x4的引脚功能相同X16引脚功能。
表1 ：地址表
64梅格×4
32梅格×8
梅格16 ×16
CON组fi guration
梅格16 ×4× 4银行8梅格×8× 4银行4梅格×16× 4银行
刷新计数
8K
8K
8K
行寻址
8K （ A0 - A12 ）
8K （ A0 - A12 ）
8K （ A0 - A12 ）
银行地址
4 （ BA0 ， BA1 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
列寻址2K （ A0 -A9 ， A11 ）
1K （ A0 -A9 ）
512 (A0–A8)
表2 ：关键时序参数
无
L
3
无
IT
3
速度
GRADE
-7E
-75
-7E
-75
时钟
存取时间
频率CL = 2 * CL = 3 *
143兆赫
133兆赫
133兆赫
100兆赫
–
–
5.4ns
6ns
5.4ns
5.4ns
–
–
格局
时间
1.5ns
1.5ns
1.5ns
1.5ns
HOLD
时间
0.8ns
0.8ns
0.8ns
0.8ns
* CL = CAS （ READ ）延迟
产品编号举例：
MT48LC16M16A2TG-75
PDF ： 09005aef8091e6d1 /来源： 09005aef8091e6a8
256MSDRAM.pmd - 修订版H;酒馆。 02/05
1
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2003美光科技公司保留所有权利。
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
256MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
图2 ： 60球FBGA分配（顶视图）
64梅格×4 SDRAM
采用8mm x 16毫米“ FB”
1
2
3
4
5
6
7
8
32梅格×8 SDRAM
采用8mm x 16毫米“ FB”
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
V
DD
Q
NC
NC
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
VSSQ
DQ3
NC
VSSQ
DQ2
NC
VSS
DQM
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
V
DD
V
DD
Q
DQ0
NC
V
DD
Q
DQ1
NC
V
DD
WE＃
RAS ＃
NC
BA1
A0
A2
V
DD
NC
NC
VSSQ
NC
NC
VSSQ
NC
NC
CAS ＃
NC
CS ＃
BA0
A10
A1
A3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ7
NC
V
DD
Q
DQ5
NC
V
DD
Q
NC
NC
NC
NC
A12
A11
A8
A6
A4
VSS
VSSQ
DQ6
NC
VSSQ
DQ4
NC
VSS
DQM
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
V
DD
V
DD
Q
DQ1
NC
V
DD
Q
DQ3
NC
V
DD
WE＃
RAS ＃
NC
BA1
A0
A2
V
DD
DQ0
NC
VSSQ
DQ2
NC
VSSQ
NC
NC
CAS ＃
NC
CS ＃
BA0
A10
A1
A3
过稀球
过稀球
注意：
FBGA引脚符号，类型和描述是相同的54针TSOP表第9页的名单。
PDF ： 09005aef8091e6d1 /来源： 09005aef8091e6a8
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2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2003美光科技公司保留所有权利。
256MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
图3 ： 54球FBGA分配（顶视图）
梅格16 ×16 SDRAM
采用8mm x 14毫米“ FG ”
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
VSS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
UDQM
A12
A8
VSS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
V
SS
Q
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
Q
VSS
CKE
A9
A6
A4
V
DD
Q
VSSQ
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
CAS ＃
BA0
A0
A3
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQM
RAS ＃
BA1
A1
A2
V
DD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
WE＃
CS ＃
A10
V
DD
过稀球
PDF ： 09005aef8091e6d1 /来源： 09005aef8091e6a8
256MSDRAM.pmd - 修订版H;酒馆。 02/05
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2003美光科技公司保留所有权利。
256MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
表3 ： 256 MB SDRAM零件编号
产品型号
MT48LC64M4A2TG
MT48LC64M4A2P
MT48LC64M4A2FB*
MT48LC64M4A2BB*
MT48LC32M8A2TG
MT48LC32M8A2P
MT48LC32M8A2FB*
MT48LC32M8A2BB*
MT48LC16M16A2TG
MT48LC16M16A2P
MT48LC16M16A2FG
MT48LC16M16A2BG
架构
64梅格×4
64梅格×4
64梅格×4
64梅格×4
32梅格×8
32梅格×8
32梅格×8
32梅格×8
梅格16 ×16
梅格16 ×16
梅格16 ×16
梅格16 ×16
包
54针TSOP II
54针TSOP II
60球FBGA
60球FBGA
54针TSOP II
54针TSOP II
60球FBGA
60球FBGA
54针TSOP II
54针TSOP II
54球FBGA
54球FBGA
*实际FBGA最热显示在60页，
61.
概述
256MB的SDRAM是高速CMOS ，
包含动态随机存取存储器
268435456位。它是在内部配置为四核
银行DRAM与同步接口（所有信号
被登记在时钟信号的上升沿，则
CLK ） 。每X4的67,108,864位银行是奥尔加
认列之为8,192行通过2048列由
4比特。每X8的67,108,864位银行是奥尔加
认列之为8,192行通过1024列由8位。每
在X16的67,108,864位银行的组织结构8,192
行了512列16位。
读取和写入访问到SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。访问开始的寄存器
积极的命令，这是随后的tration
通过读或写命令。地址位寄存器
羊羔暗合了ACTIVE命令使用
选择银行和行访问（ BA0 ， BA1
选择银行; A0 - A12选择行） 。地址
位注册暗合了读或写的COM
命令是用来选择起始列位置
对于突发的访问。
在SDRAM提供了可编程只读或
的1 ，2，4 ，或8个位置，或全写入脉冲串长度
页面上，一阵终止选项。自动预充电
功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电是在脉冲结束时启动的SE-
quence 。
256MB的SDRAM采用内部管线AR-
构以实现高速操作。这AR-
民族形式与预取的2n个规则兼容
体系结构，但它也可以使列地址到
在每个时钟周期被改变，以实现高
速，完全随机访问。预充电一家银行
在访问其他三家银行的人会隐藏
预充电周期，并提供无缝的，高
速度，随机存取操作。
256MB的SDRAM设计为3.3V操作
内存系统。提供了一种自动刷新模式中，
随着节电，省电模式。所有IN-
看跌期权和输出是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展能操作
阿婷的性能，包括同步系统的能力
nously在高数据速率的自动突发数据
列地址的产生，对交织的能力
之间的内部银行隐藏预充电时间，
的能力，随意改变地址栏
关于在一个脉冲串存取的每个时钟周期。
PDF ： 09005aef8091e6d1 /来源： 09005aef8091e6a8
256MSDRAM.pmd - 修订版H;酒馆。 02/05
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美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2003美光科技公司保留所有权利。
256MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
目录
功能框图 - 64兆欧×4 .................... 6
功能框图 - 32梅格×8 .................... 7
功能框图 - 梅格16 ×16 .................. 8
引脚说明................................................ .......... 10
球说明................................................ .......... 10
功能说明
...............................................
初始化................................................. ..........
寄存器定义................................................
模式寄存器................................................ ...
突发长度................................................
突发类型................................................ ...
CAS延迟................................................
操作模式..........................................
写突发模式........................................
COMMANDS
...................................................................
事实表1 （命令和DQM操作）
..............
命令禁止................................................ ..
无操作（ NOP ） ............................................. 。
负载模式寄存器............................................... 。
主动................................................. ......................
阅读................................................. ......................
写................................................. ......................
预充电................................................. ...............
自动预充电................................................ .......
突发终止................................................ .....
自动刷新................................................ ...........
自刷新................................................ .............
手术
.....................................................................
银行/行激活.............................................
读................................................. ......................
写................................................. ......................
预充电................................................. ...............
掉电............................................... ............
时钟暂停................................................ ........
突发读/写单.......................................
12
12
12
12
12
13
14
14
14
15
15
16
16
16
16
16
16
16
16
17
17
17
18
18
19
25
27
27
28
28
同时自动预充电.................................
真值表2 （ CKE ）
......................................................
事实表3 （目前的状态，同一家银行）
........................
事实表4 （目前的状态，不同的银行）
..................
绝对最大额定值.......................................
DC电气特性
与工作条件.......................................
I
DD
规格和条件.............................
电容................................................. .................
电气特性
并推荐AC工作条件.......
时序波形
初始化和加载模式寄存器........................
掉电模式.............................................. ..
时钟挂起模式............................................
自动刷新模式............................................... 。
自刷新模式............................................... ...
读和写
读 - 如果没有自动预充电.....................
阅读 - 使用自动预充电...........................
单读 - 如果没有自动预充电.........
单读 - 带自动预充电...............
交行读访问....................
阅读 - 全页突发....................................
阅读 - DQM操作...................................
写到
写 - 如果没有自动预充电.....................
写 - 使用自动预充电...........................
单写 - 如果没有自动预充电.........
单写 - 带自动预充电................
交行写访问...................
写 - 全页突发....................................
写 - DQM操作...................................
29
31
32
34
36
36
36
37
37
AC电气特性
（时序表） ......... 38
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
PDF ： 09005aef8091e6d1 /来源： 09005aef8091e6a8
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MAX6955
MAX6470UT19AD4-T
MI-PC6ZK-MW
MAX3620DETT
MI-P2RK-IXV
MI-P2PL-MXV
MI-PC2TV-IY
MI-P5W1-MXY
MSP430F5528IRGCT
MSP430F2417TPN
MC145169
MIW2123
MTN6125-CR
MI-P5Y-MAX
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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