摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MCM6726C / D
128K ×8位高速静态随机
存取存储器
该MCM6726C是组织了1,048,576位静态随机存取存储器
作为8位131,072字。静态设计，无需外部时钟
或定时选通。
输出使能（ G）是一种特殊的控制功能，提供更高的系统
灵活性和消除了总线争用问题。
该器件符合JEDEC标准的功能性和革命性的引脚排列，
并且是在一个400万的塑料小外形J-含铅封装。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
全静态 - 无时钟或定时选通必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速访问次数： 6 ， 7 NS
中心电源和I / O引脚的降低了噪音
MCM6726C
WJ包装
400万SOJ
CASE 857A -02
引脚分配
A
A
A
A
E
DQ
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
A
A
A
G
DQ
DQ
VSS
VCC
DQ
DQ
A
A
A
A
A
框图
A
A
A
A
A
A
A
A
DQ
输入
数据
控制
DQ
A
A
列I / O
列解码器
ROW
解码器
内存
矩阵
512行×256× 8
柱
VCC
VSS
VCC
VSS
DQ
DQ
W
A
A
A
A
引脚名称
一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
A
A
A
A
A
A
A
E
W
G
REV 3
3/7/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM6726C
1
真值表
（ X =无关）
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
VCC电流
ISB1 ， ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
产量
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
—
—
读周期
写周期
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚除外
VCC
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
1.5
- 10至+ 85
0至+ 70
- 55至+ 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
采取正常的预防措施，以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这些高阻抗税务局局长
cuits 。
该内存的BiCMOS电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5
*
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
VCC + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
**
VIL （分钟） = -0.5 V直流; VIL （分钟）= -2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
—
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时） （ VCC =最大， F = FMAX ）
活跃的静态电流（E = VIL ， VCC =最大， F = 0兆赫）
AC待机电流（E = VIH ， VCC =最大， F = FMAX ）
CMOS待机电流（ VCC =最大， F = 0兆赫，E
≥
VCC - 0.2 V ，
VIN
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ）
符号
ICCA
ICC2
ISB1
ISB2
MCM6726C–6
250
100
100
60
MCM6726C–7
220
100
100
60
单位
mA
mA
mA
mA
1, 2, 3
笔记
1, 2, 3
注意事项：
1.参考交流工作条件及特性研究的投入和时间（ VIH / VIL ， TR / TF ，脉冲电平0 3 V， VIH = 3V） 。
2.所有的地址转换同时低（LSB） ，然后在高（MSB）。
3.数据状态都为零。
MCM6726C
2
摩托罗拉快速SRAM
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
地址输入电容
控制引脚输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIN
CI / O
典型值
—
—
—
最大
6
6
8
单位
pF
pF
pF
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±10%,
TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期时序
（见注1和2 ）
MCM6726C–6
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
民
6
—
—
—
2
3
0
—
—
最大
—
6
6
4
—
—
—
3
3
MCM6726C–7
民
7
—
—
—
2
3
0
—
—
最大
—
7
7
4
—
—
—
3.5
3.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.在任何给定的电压和温度， tEHQZ最大值< tELQX分钟， tGHQZ最大值< tGLQX分钟，既对于给定的设备和从设备
到设备。
5.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.设备不断选择（E = VIL ，G = VIL） 。
8.地址有效之前或重合为E变低。
时序极限值
+5 V
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多的时间。另一方面，响应
从存储器被从DE-指定
副观点。因此，访问时间是
示为最大，因为该设备从未
超过该时间后提供的数据。
(a)
(b)
图1. AC测试负载
摩托罗拉快速SRAM
MCM6726C
3
写周期1
（W控制，见注1和2 ）
MCM6726C–6
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
地址有效到写结束，G高
把脉冲宽度
写入脉冲宽度，G高
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到数据高阻
写高到输出有效
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tAVWH
tWLWH
TWLEH
tWLWH
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
6
0
6
6
6
6
3
0
—
3
1
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
—
—
MCM6726C–7
民
7
0
7
7
7
7
3.5
0
—
3
1
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
5.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.在任何给定的电压和温度， tWLQZ最大值< tWHQX分钟都对于给定的设备和从设备到设备。
写周期1
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
TWLEH
tWLWH
W（写使能）
tAVWL
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
TWHQX
tDVWH
数据有效
tWHDX
tWHAX ALE低
摩托罗拉快速SRAM
MCM6726C
5
QQ：2881677436 复制
