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128MB : X32
SDRAM
同步
DRAM
特点
PC100的功能
完全同步;所有信号上注册
系统时钟的上升沿,
内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
自动预充电,主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
自刷新模式
64毫秒, 4096周期刷新(值为15.6μs /行)
LVTTL兼容的输入和输出
单+ 3.3V ± 0.3V电源
支持1,2和3 CAS延迟。
MT48LC4M32B2 - 1兆欧×32× 4银行
对于最新的数据资料,请参考美光网络
网站:
www.micron.com/sdramds
引脚配置(顶视图)
86针TSOP
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE#
CAS #
RAS #
CS #
A11
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
DD
Q
DQ19
DQ20
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
DD
Q
DQ23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
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21
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26
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28
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30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
选项
配置
4梅格×32 ( 1兆×32× 4组)
封装 - OCPL
1
86针TSOP ( 400万)
时间(周期时间)
为6ns ( 166兆赫)
7ns的( 143兆赫)
工作温度范围
商用(0 °C至+ 70 ° C)
扩展级(-40 ° C至+ 85°C )
注意:
1.关中心分界线
2.可在-7
产品编号举例:
记号
4M32B2
TG
-6
-7
IT
2
MT48LC4M32B2TG-7
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DD
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
DD
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
注意:
#符号指示信号是低电平有效。
关键时序参数
速度
GRADE
-6
-7
时钟
存取时间
频率
CL = 3 *
166兆赫
143兆赫
5.5ns
5.5ns
格局
时间
1.5ns
2ns
HOLD
时间
1ns
1ns
4梅格×32
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
1梅格×32× 4银行
4K
4K ( A0 -A11 )
4 ( BA0 , BA1 )
256 (A0–A7)
* CL = CAS ( READ )延迟
128MB : X32 SDRAM
128MbSDRAMx32_D.p65 - Rev. D的;酒馆。 6月2日
1
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2002年,美光科技公司
128MB : X32
SDRAM
128MB ( X32 ) SDRAM器件型号
产品型号
MT48LC4M32B2TG
架构
4梅格×32
概述
128MB的SDRAM是高速CMOS动态
随机存取存储器包含134217728位。
它在内部配置为四银行DRAM与
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。每个
33554432位银行的组织结构4096行,256
列由32位。
读取和写入访问到SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置和反对
tinue的位置在一个亲一个设定的号码
编程序列。访问开始与registra-
一个活跃的命令,然后后面的灰
读或写命令。地址位寄存器
羊羔暗合了ACTIVE命令使用
选择银行和行访问( BA0 , BA1
选择银行, A0 -A11选择行) 。地址
位注册暗合了读或写的COM
命令是用来选择起始列位置
对于突发的访问。
在SDRAM提供了可编程只读或
的1 ,2,4 ,或8个位置,或全写入脉冲串长度
页面上,一阵终止选项。自动预充电
功能可被使能,以提供一个自定时排
预充电是在脉冲结束时启动的SE-
quence 。
128MB的SDRAM采用内部管线AR-
构以实现高速操作。这AR-
民族形式与预取的2n个规则兼容
体系结构,但它也可以使列地址到
在每个时钟周期被改变,以实现高
速,完全随机访问。预充电一家银行
在访问其他三家银行的人会隐藏
预充电周期,并提供无缝的,高
速度,随机存取操作。
128MB的SDRAM设计为3.3V运作,
低功耗存储器系统。自动刷新模式是
设置,以及一个省电,掉电
模式。所有输入和输出都是LVTTL兼容。
SDRAM的报价在DRAM重大进展能操作
阿婷的性能,包括同步系统的能力
nously在高数据速率的自动突发数据
列地址的产生,对交织的能力
之间的内部银行隐藏预充电时间,
的能力,随意改变地址栏
关于在一个脉冲串存取的每个时钟周期。
128MB : X32 SDRAM
128MbSDRAMx32_D.p65 - Rev. D的;酒馆。 6月2日
2
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2002年,美光科技公司
128MB : X32
SDRAM
目录
功能框图 - 4梅格×32 ..................
引脚说明................................................ ......
功能说明
......................................
初始化................................................. .....
寄存器定义.............................................
模式寄存器..............................................
突发长度............................................
突发型...............................................
操作模式.....................................
写突发模式...................................
CAS延迟............................................
COMMANDS
............................................................
事实表1 (命令和DQM操作)
............
命令禁止.............................................
无操作( NOP ) ........................................
加载模式寄存器..........................................
主动................................................. ...............
阅读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
自动预充电................................................ ..
突发终止................................................ 。
自动刷新................................................ ......
自刷新................................................ ........
手术
..............................................................
银行/行激活.......................................
读................................................. ...............
写................................................. ...............
预充电................................................. ..........
掉电............................................... ......
4
5
7
7
7
7
7
8
9
9
10
10
10
11
11
11
11
11
11
11
11
12
12
12
13
13
14
20
22
22
时钟暂停................................................ ..
突发读/写单....................................
同时自动预充电..............................
写带自动预充电..............................
真值表2 ( CKE )
................................................
事实表3 (目前的状态,同一家银行)
.....................
事实表4 (目前的状态,不同的银行)
.................
绝对最大额定值..................................
DC电气特性
与工作条件.....................................
I
DD
规格和条件........................
电容................................................. ...........
23
23
24
25
26
27
29
31
31
31
32
AC电气特性
(时序表) .... 32
AC功能特点...........................
33
时序波形
初始化和加载模式寄存器....................
掉电模式..........................................
时钟挂起模式........................................
自动刷新模式...........................................
自刷新模式.............................................
读和写
阅读 - 单读.......................................
读 - 如果没有自动预充电.................
阅读 - 使用自动预充电.......................
交行读访问..................
阅读 - 全页突发.................................
阅读 - DQM操作..............................
写到
写 - 单写.....................................
写 - 如果没有自动预充电................
写 - 使用自动预充电......................
交行写访问.................
写 - 全页突发................................
写 - DQM操作.............................
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
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128MB : X32 SDRAM
128MbSDRAMx32_D.p65 - Rev. D的;酒馆。 6月2日
3
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2002年,美光科技公司
128MB : X32
SDRAM
功能框图
4梅格×32 SDRAM
CKE
CLK
CS #
WE#
CAS #
RAS #
控制
逻辑
BANK3
BANK2
BANK1
BANK0
命令
解码
模式寄存器
REFRESH 12
计数器
12
12
行向
地址
MUX
12
BANK0
行向
地址
LATCH
&放大器;
解码器
4096
BANK0
内存
ARRAY
(4,096 x 256 x 32)
4
4
DQM0–
DQM3
感测放大器
32
8192
数据
产量
注册
2
A0–A11,
BA0 , BA1
地址
注册
银行
控制
逻辑
14
I / O选通
DQM MASK逻辑
读数据锁存器
编写驱动程序
32
256
(x32)
数据
输入
注册
32
DQ0–
DQ31
2
COLUMN
解码器
柱分离
地址
计数器/
LATCH
8
8
128MB : X32 SDRAM
128MbSDRAMx32_D.p65 - Rev. D的;酒馆。 6月2日
4
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2002年,美光科技公司
128MB : X32
SDRAM
引脚说明
PIN号码
68
符号类型
CLK
输入
描述
时钟: CLK由系统时钟驱动。所有SDRAM的输入信号
采样于CLK的上升沿。 CLK也递增
内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能: CKE激活( HIGH)和停用( LOW )的
CLK信号。停用该时钟提供预充电POWER-
向下和自刷新操作(所有银行闲置) , ACTIVE
POWER- DOWN (行积极参与任何银行)或时钟挂起
操作(进行中突发/接入) 。 CKE是同步的,除了
器件进入掉电和自刷新模式后,
其中, CKE ,直到退出后,同异步变
模式。输入缓冲器,包括CLK ,都在禁用
断电和自刷新模式,提供低待机
力。 CKE可连接到高电平。
芯片选择: CS #启用(注册LOW )和禁用(寄存器
羊羔HIGH )命令解码器。所有的命令被屏蔽
当CS #注册HIGH 。 CS#为外部银行
选择与多个银行系统。 CS #被认为是部分
的命令代码。
输入命令: WE# , CAS #和RAS # (连同CS # )
定义所输入的命令。
输入/输出面膜: DQM采样为高,是一个输入掩码
信号,用于写访问和输出使能信号进行读
访问。在写周期的输入数据被屏蔽。输出
缓冲区期间,放置在一个高阻抗状态(双时钟延迟)
读周期。 DQM0对应DQ0 - DQ7 , DQM1对应
到DQ8 - DQ15 , DQM2对应DQ16 - DQ23和DQM3
对应于DQ24 - DQ31 。 DQM0 - DQM3被认为是相同的
作为DQM状态时参考。
银行地址输入( S) : BA0和BA1确定哪个银行
ACTIVE , READ,WRITE或预充电命令正在
应用。
地址输入: A0 - A11的ACTIVE的COM过程中采样
命令(行地址A0 - A10)和读/写命令
(列地址A0 -A7与A10定义自动预充电),以
在各选择一个位置从存储器阵列的
银行。预充电命令时A10采样
确定是否所有银行都必须预充电( A10 [高] )或
银行通过BA0 , BA1 ( LOW )选择。地址输入也
提供一个加载模式寄存器命令在操作码。
67
CKE
输入
20
CS #
输入
17, 18, 19
WE# ,
CAS # ,
RAS #
DQM0–
DQM3
输入
16, 71, 28, 59
输入
22, 23
BA0 , BA1输入
25-27, 60-66, 24, 21
A0-A11
输入
2,
74,
85,
40,
4, 5, 7, 8, 10, 11, 13,
76, 77, 79, 80, 82, 83,
31, 33, 34, 36, 37, 39,
42, 45, 47, 48, 50, 51,
53, 54, 56
DQ0–
DQ31
输入/数据的I / O :数据总线。
产量
128MB : X32 SDRAM
128MbSDRAMx32_D.p65 - Rev. D的;酒馆。 6月2日
5
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2002年,美光科技公司
128MB : X32 SDRAM
特点
SDR SDRAM
MT48LC4M32B2 - 1兆欧×32× 4银行
特点
PC100兼容
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟的边沿
内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
自动预充电,同时包括自动预充电
和自动刷新模式
自刷新模式(而不是AT设备提供)
自动刷新
- 64毫秒, 4096周期刷新(商业和
工业)
- 为16ms , 4096周期刷新(汽车)
LVTTL兼容的输入和输出
单3.3V ± 0.3V电源
支持CAS延迟(CL)的1,2,和3中
选项
配置
- 4梅格×32 ( 1兆×32× 4组)
封装 - OCPL
1
- 86针TSOP II ( 400万)
- 86针TSOP II ( 400万)无铅
- 90球VFBGA (8毫米X 13毫米)
- 90球VFBGA (8毫米X 13毫米)有铅
免费
时间(周期时间)
- 为6ns ( 166兆赫)
- 为6ns ( 166兆赫)
- 为7ns ( 143兆赫)
修订
工作温度范围
=商业( 0 ° C至+ 70 ° C)
=工业( -40 ° C至+ 85°C )
- 汽车( -40℃至+ 105℃ )
注意事项:
1.
2.
3.
4.
偏离中心的分界线。
只适用于修订L.
只适用于修改G.
联系美光的可用性。
记号
4M32B2
TG
P
F5
B5
-6A
2
-6
3
-7
3
: G / :L
IT
AT
4
表1 :关键时序参数
CL = CAS ( READ )延迟
速度等级
-6A
-6
-7
时钟
频率(MHz)
167
167
143
目标
t
RCD-
t
RP- CL
3-3-3
3-3-3
3-3-3
t
RCD
(纳秒)
t
RP
(纳秒)
CL(纳秒)
18
18
21
18
18
20
18
18
20
PDF : 09005aef80872800
128mb_x32_sdram.pdf - 牧师ü 04/13 EN
1
产品与这里讨论的规格如有美光更改,恕不另行通知。
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2001年美光科技公司保留所有权利。
128MB : X32 SDRAM
特点
表2 :地址表
参数
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
4梅格×32
1梅格×32× 4银行
4K
4K A [ 11 : 0 ]
4 BA [ 1:0]
256 A[7:0]
表3 :128MB ( X32 ) SDR品名
产品编号
MT48LC4M32B2TG
MT48LC4M32B2P
MT48LC4M32B2F5
1
MT48LC4M32B2B5
1
注意:
1. FBGA设备解码器:
www.micron.com/decoder 。
架构
4梅格×32
4梅格×32
4梅格×32
4梅格×32
PDF : 09005aef80872800
128mb_x32_sdram.pdf - 牧师ü 04/13 EN
2
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2001年美光科技公司保留所有权利。
128MB : X32 SDRAM
特点
目录
概述......................................................................................................................................... 7
汽车温度.............................................................................................................................. 7
功能框图................................................................................................................................ 8
脚和球的分配和描述....................................................................................................... 9
封装尺寸....................................................................................................................................... 12
温度和热阻抗............................................................................................................ 14
电气规格.................................................................................................................................. 17
电气规格 - 我
DD
参数........................................................................................................ 18
电气规格 - 交流工作条件............................................ ............................................. 20
功能描述................................................................................................................................... 23
命令.................................................................................................................................................... 24
COMMAND INHIBIT .................................................................................................................................. 24
无操作( NOP ) ............................................................................................................................... 25
加载模式寄存器( LMR ) ................................................................................................................... 25
ACTIVE ...................................................................................................................................................... 25
读......................................................................................................................................................... 26
写....................................................................................................................................................... 27
预充电.............................................................................................................................................. 28
BURST TERMINATE ................................................................................................................................... 28
刷新................................................................................................................................................... 29
自动刷新..................................................................................................................................... 29
自刷新....................................................................................................................................... 29
真值表...................................................................................................................................................三十
初始化.................................................................................................................................................. 35
模式寄存器................................................................................................................................................ 37
突发长度.............................................................................................................................................. 39
突发类型.................................................................................................................................................. 39
CAS延迟............................................................................................................................................... 41
操作模式......................................................................................................................................... 41
写突发模式....................................................................................................................................... 41
银行/行激活...................................................................................................................................... 42
读操作............................................................................................................................................. 43
写操作........................................................................................................................................... 52
突发读/写单.............................................................................................................................. 59
预充电操作.................................................................................................................................. 60
自动预充电........................................................................................................................................... 60
自动刷新操作............................................................................................................................. 72
自刷新操作............................................................................................................................... 74
掉电.................................................................................................................................................. 76
时钟暂停............................................................................................................................................... 77
PDF : 09005aef80872800
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3
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2001年美光科技公司保留所有权利。
128MB : X32 SDRAM
特点
图列表
图1 : 4梅格×32功能框图........................................ .................................................. 8 .......
图2 : 86引脚TSOP引脚分配(顶视图) ..................................... .................................................. 9 ....
图3 : 90球FBGA球分配(顶视图) ..................................... .................................................. 10
图4 : 86引脚塑料TSOP II ( 400万) - 封装代码TG / P ............................... ....................................... 12
图5 : 90球VFBGA (8毫米X 13毫米) ......................................................................................................... 13
图6 :例:温度测试点位置, 54引脚TSOP (顶视图) ................................ ................. 15
图7 :例:温度测试点位置, 90球VFBGA (顶视图) ................................ .............. 16
图8 :ACTIVE命令.......................................................................................................................... 25
图9 :读命令............................................................................................................................. 26
图10 :写命令......................................................................................................................... 27
图11 :预充电命令................................................................................................................ 28
图12 :初始化和加载模式寄存器.......................................... .................................................. ...... 36
图13 :模式寄存器定义............................................................................................................... 38
图14 : CAS延迟.................................................................................................................................. 41
图15 :示例:会议
t
RCD ( MIN )当2 <
t
RCD ( MIN ) /
t
CK < 3 ............................................... ........... 42
图16 :连续的读连发.............................................................................................................. 44
图17 :随机读访问................................................................................................................ 45
图18 :读 - 写............................................................................................................................ 46
图19 :读 - 写有额外的时钟周期...................................... .................................................. 47
图20 :读至预充电.................................................................................................................. 47
图21 :终止读突发............................................................................................................. 48
图22 :交替行读访问..................................................................................................... 49
图23 :连续阅读页突发......................................................................................................... 50
图24 :阅读 - DQM操作................................................................................................................ 51
图25 :写突发................................................................................................................................. 52
图26 :写 - 写.......................................................................................................................... 53
图27 :随机写入周期.................................................................................................................. 54
图28 :写阅读............................................................................................................................ 54
图29 :写至预充电................................................................................................................. 55
图30 :终止写突发............................................................................................................ 56
图31 :交替行写访问..................................................................................................... 57
图32 :写 - 连续突发页..................................................................................................... 58
图33 :写 - DQM操作............................................................................................................... 59
图34 :读取自动预充电中断通过读....................................... .................................. 61
图35 :读取自动预充电中断一个写....................................... ................................. 62
图36 :读取自动预充电............................................................................................................ 63
图37 :读不带自动预充电....................................................................................................... 64
图38 :单阅读自动预充电.......................................... .................................................. ...... 65
图39 :单读不带自动预充电.......................................... .................................................. 。 66
图40 :写带自动预充电而中断READ ....................................... ................................. 67
图41 :写带自动预充电中断一个写....................................... ............................... 67
图42 :写带自动预充电........................................................................................................... 68
图43 :乱写自动预充电..................................................................................................... 69
图44 :一次写带自动预充电.......................................... .................................................. ..... 70
图45 :单乱写自动预充电.......................................... .................................................. 71
图46 :自动刷新模式........................................................................................................................ 73
图47 :自刷新模式.......................................................................................................................... 75
图48 :掉电模式........................................................................................................................ 76
图49 :时钟暂停在写突发.......................................... .................................................. ... 77
图50 :时钟暂停在读突发.......................................... .................................................. ..... 78
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图51 :时钟挂起模式..................................................................................................................... 79
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