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GaAlAs的大功率T-1 3/4封装
红外发光二极管
描述
在MIE - 544H4是GaAlAs的LED红外线具有
峰值波长为850nm 。它具有超高的功率,
高的响应速度和模制封装的更高
辐射强度。除了提高了S / N比
在应用光学系统中, MIE- 544H4有着很大
改进的长距离特性以及点登录
ificantly增加的适用性范围。
见注2
1.00
(.040)
7.62
(.300)
5.90
(.230
φ5.05
(.200)
MIE-544H4
单位:mm (英寸)
包装尺寸
5.47
(.215)
FLAT为负极
特点
l
超高辐射强度
高响应速度
标准T - 1 3/4 (
φ
5mm)封装
峰值波长
λ
p
= 850 nm的
辐射角度: 40 °
0.50典型。
(.020)
23.40 MIN
(.920)
l
l
l
l
1.00MIN.
(.040)
2.54NOM.
(.100)
见注3
A
C
应用
l
数据通信
爵士
注意事项:
1.Tolerance是±0.25毫米( 0.010" ),除非另有说明。
下法兰2.Protruded树脂为1.5毫米( 0.059" )最大。
3.Lead间距的测量,其中,所述引线从封装。
l
绝对最大额定值
'@ T
A
=25
o
C
参数
功耗
峰值正向电流( 300pps , 10μs的脉冲)
连续的正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
最大额定值
120
1
100
5
-55℃至+ 100℃
-55
o
C至+100
o
C
260
o
下5秒
o
o
单位
mW
A
mA
V
东贝光电科技有限公司
11/17/2000
MIE-544H4
光电特性
@ T
A
=25 C
参数
辐射强度
正向电压
反向电流
峰值波长
光谱带宽
视角
上升时间
下降时间
相对辐射强度
o
测试条件
I
F
=50mA
I
F
=50mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
1
0.5
0
750
符号
Ie
V
F
I
R
λ
p
λ
2θ1/2
Tr
Tf
分钟。
典型值。
3.0
1.5
850
30
40
20
30
马克斯。
1.8
100
单位
毫瓦/ SR
V
A
nm
nm
度。
纳秒
纳秒
典型的光 - 电特性曲线
850
出把电源珍惜我
F
=20mA
波长(nm )
图1的光谱分布
950
100
正向电流(mA )
80
60
40
20
0
1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
正向电压( V)
图2正向电流与
正向电压
出把电源相
在我的价值
F
=20mA
5
0.8
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-40 -20
0
20
40
o
60
环境温度T
A
( C)
图3相对辐射强度VS.
- 环境温度
0° 10° 20°
相对辐射强度
4
3
2
1
0
0
20 40 60 80 100
正向电流(mA )
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
1.0
0.9
0.8
0.5 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6
图5辐射方向图
图4相对辐射强度
与正向电流
东贝光电科技有限公司
11/17/2000
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