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奥斯汀半导体公司
256K ×4 VRAM
256K ×4的DRAM
有512K ×4的SAM
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-89497
MIL -STD- 883
SMJ44C251B
MT42C4256
引脚分配
( TOP VIEW )
VRAM
28引脚DIP (C )
( 400 MIL )
SC
SDQ1
SDQ2
TR \\ / OE \\
DQ1
DQ2
ME \\ / WE \\
NC
RAS \\
A8
A6
A5
A4
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
SDQ4
SDQ3
SE \\
DQ4
DQ3
DSF
CAS \\
QSF
A0
A1
A2
A3
A7
28引脚SOJ ( DCJ )
28引脚LCC ( EC)
SC
SDQ1
SDQ2
TR \\ / OE \\
DQ1
DQ2
ME \\ / WE \\
NC
RAS \\
A8
A6
A5
A4
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
SDQ4
SDQ3
SE \\
DQ4
DQ3
DSF
CAS \\
QSF
A0
A1
A2
A3
A7
特点
B级高可靠性处理
DRAM : 262144字× 4位
SAM : 512字× 4位
采用5 V单电源( ± 10 %容差)
双端口可访问性,同步和异步访问
从DRAM和SAM端口
在DRAM和之间的双向,数据传输功能
串行数据寄存器
4 × 4块写入功能的快速区域填充操作;由于许多
作为四个内存地址,每个周期书面的
片套色
写每比特的功能选择和每一个内存I / O;两
写每比特模式来简化系统设计
为了更快访问增强分页模式操作
CAS先于RAS ( CBR)和隐藏刷新模式
所有的输入/输出和时钟是TTL兼容
龙刷新周期: 8毫秒(最大值)
高达33 MHz的不间断串行数据流
三态串行I / O的允许视频数据的简单复
512可选串行寄存器启动
拆分串行数据寄存器用于简化实时注册刷新
28引脚ZIP ( CZ )
DSF
DQ3
SDQ2
VSS
SDQ0
TRG \\
DQ1
GND
A8
A5
VCC
A3
A1
QSF
1
3
5
7
9
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19
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2
4
6
8
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16
18
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24
26
28
DQ2
SE \\
SDQ3
SC
SDQ1
DQ0
W\
RAS \\
A8
A4
A7
A2
A0
CAS \\
28引脚FP (F )
SC
SDQ1
SDQ2
TR \\ / OE \\
DQ1
DQ2
ME \\ / WE \\
NC
RAS \\
A8
A6
A5
A4
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
SDQ4
SDQ3
SE \\
DQ4
DQ3
DSF
CAS \\
QSF
A0
A1
A2
A3
A7
选项
时机
为100ns ,为30ns / 27ns
120ns的,为35ns / 35ns的
包( S)
陶瓷SOJ
陶瓷DIP ( 400密耳)
陶瓷LCC
陶瓷扁平封装
陶瓷ZIP
陶瓷LCC
记号
-10
-12
MT前缀
DCJ
C
EC
F
CZ
---
SMJ前缀
---
JDM
HMM
---
SVM
HJM
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
引脚名称
引脚名称
( SMJ )
(MT )
A0 - A8
A0 - A8
CAS \\
CAS \\
DQ0 - DQ3
DQ1 - DQ4
SE \\
SE \\
RAS \\
RAS \\
SC
SC
SDQ0 - SDQ3 SDQ1 - SDQ4
TRG \\
TR \\ / OE \\
W\
ME \\ / WE \\
DSF
DSF
QSF
QSF
VCC
VCC
VSS
VSS
GND
NC
描述
地址输入
列启用
DRAM数据输入 - 输出/写屏蔽位
串行启用
行启用
串行数据时钟
串行数据输入 - 输出
转移登记/ Q输出使能
写面膜选择/写使能
特殊功能选择
分注册活动状态
5V电源
地面(重要提示:未连接到
内部VSS时,引脚应悬空或
接地。
SMJ44C251B/MT42C4256
修订版0.1 12/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
奥斯汀半导体公司
描述
该SMJ44C251B / MT42C4256多端口视频RAM是
高速,双端口存储器装置。它包括一个
组织为262144的动态随机存取存储器( DRAM)的
4比特的字,每个接口到串行数据寄存器或serial-
组织为每个4位512个字存取存储器(SAM)。
该SMJ44C251B / MT42C4256支持三种类型的
操作:随机存取和从DRAM ,串行存取
向和从串行寄存器和数据的双向传送
在DRAM中的任何行和串行寄存器之间。除了
在传输过程中的操作, SMJ44C251B / MT42C4256可以
从同时异步访问
DRAM和SAM端口。
DRAM的过程中的转印操作中, 512列
被连接到在该串行数据寄存器512的位置。
的512 ×4比特串行数据寄存器可以从装载
存储器行(转印读)或512× 4位的内容
串行数据寄存器可以被写入到存储器行(转
写) 。
该SMJ44C251B / MT42C4256配有多种
特点而设计,以提供更高的系统级带宽
并简化双方的DRAM和SAM的设计集成
端口。在DRAM端口,更大的像素平局率可
由设备的4×4块的写入模式来实现的。在块级
写模式允许在一个芯片上根经过颜色四比特数据(本
数据寄存器)将被写入的四个相邻的任意组合
列地址的位置。数据的多达16位可以是
在每个CAS周期时间写入存储器。同样在
的DRAM端口,写入掩模或写的每比特特征允许掩蔽
荷兰国际集团的任何写四个输入/输出的任意组合
周期。持续写每比特功能使用屏蔽寄存器
的是,一旦被装入,可以用在随后的写周期。该
屏蔽寄存器消除了具有提供关于每个掩模数据
掩模 - 写周期。
该SMJ44C251B / MT42C4256提供了一个分裂的寄存器
传输读取( DRAM到SAM)功能,串行测试仪( SAM
端口)。通过此功能,实时登记重装
实现真正的不连续的串行数据流
关键定时要求。该寄存器被分成高
SMJ44C251B
MT42C4256
VRAM
半部和下半部。而一个半正被读出的SAM的
端口,另一半可以从存储器阵列载入。为
应用程序不要求实时寄存器的重载(例如,
在CRT回扫期间进行重新加载) ,单寄存器
操作模式被保留,以简化设计。山姆能
也可以在输入模式中配置,接受来自串行数据
外部设备。一旦在SAM内的串行寄存器是
加载后,其内容可以被传输到相应的
在内存中的任何行中的单条内存列位置
周期。
SAM端口是专为最高性能。数据
可以被输入到或从SAM存取在串行速率高达
33兆赫。在操作的分割寄存器模式时,内部
电路检测当最后一个比特位置从所访问
该寄存器的积极一半,并立即将控制转移到
相反的一半。一个单独的输出,改进业务质量基金,包括以
指示哪一半串行寄存器的是在任何给定
时间在分割寄存器模式。
所有的输入,输出和时钟的SMJ44C251B /信号
MT42C4256与54系列的TTL器件兼容。所有AD-
裙线和数据输入线被锁存片上,以简化
系统设计。所有数据输出线是虚掩的,以允许更大
系统的灵活性。
增强的分页模式操作允许更快的内存
同时选择通过保持相同的行地址的访问
随机列地址。时间为行地址设置,
行地址保持和地址复用被消除,并且
可以实现高达3 ×存储器周期时间减少,
相比于最小的RAS周期时间。的最大数量
可以访问由最大确定列
RAS低的时间和页面模式的周期使用。该
SMJ44C251B / MT42C4256允许一整页( 512次)
可以在读出的访问的信息,写入或读取 - 修改 - 写入
使用相对conser-在一个RAS-低周期模式
vative页面模式的周期时间。
该SMJ44C251B / MT42C4256采用国家最先进的
技术非常高的性能,并具有改进的
可靠性。
SMJ44C251B/MT42C4256
修订版0.1 12/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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奥斯汀半导体公司
功能框图
SMJ44C251B
MT42C4256
VRAM
SMJ44C251B/MT42C4256
修订版0.1 12/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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奥斯汀半导体公司
功能表
RAS \\ FALL
功能
CAS \\
CBR刷新
注册到内存的传输
(转写)
备用传输写入
( SE独立\\ )
串行写入模式下启用
(伪传输写入)
内存到寄存器传输
(转读)
分寄存器传输读
(必须重新加载TAP)
加载并使用写屏蔽,
将数据写入DRAM
加载并使用写屏蔽,
块写入到DRAM
持续写入每比特,
将数据写入DRAM
持续写入每比特,
块写入到DRAM
正常的DRAM的读/写
(非屏蔽)
块写入到DRAM
(非屏蔽)
负载写屏蔽
加载套色
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
TRG \\
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
W\
X
L
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
1
SMJ44C251B
MT42C4256
CAS \\
秋天
VRAM
地址
RAS \\
CAS \\
DQ0 - DQ3
RAS \\ CAS \\
W\
X
X
X
X
X
X
X
DQ
面膜
DQ
面膜
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
有效
数据
COL
面膜
有效
数据
COL
面膜
有效
数据
COL
面膜
DQ
面膜
颜色
数据
2
TYPE
R
T
T
T
T
T
R
R
R
R
R
R
R
R
3
DSF
X
X
H
L
L
H
L
L
H
H
L
L
H
H
SE \\
X
L
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
DSF
X
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
ROW
龙头
ADDR
ROW
龙头
ADDR
刷新
龙头
ADDR
ROW
龙头
ADDR
ROW
龙头
ADDR
ROW
COL
ADDR
ADDR
排座地址
ADDR
A2-A8
ROW
COL
ADDR
ADDR
排座地址
A2-A8
ADDR
ROW
COL
ADDR
ADDR
排座地址
A2-A8
ADDR
刷新
X
ADDR
刷新
X
ADDR
注意事项:
1.在持续写每比特的功能,W \\一定是在刷新周期高点。
2. DQ0 - DQ3被锁定在W的\\或CAS \\下降沿后。山口面膜= H :写使能地址/列位置。
DQ面膜= H :写入I / O功能。
3. R =随机接入操作时, T =传送操作。
传说
H = HIGH
L =低
X =无关
SMJ44C251B/MT42C4256
修订版0.1 12/03
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奥斯汀半导体公司
A0 - A8
CAS \\
DQI
DSF
RAS \\
SE \\
SC
SDQ
TRG \\
W\
QSF
NC / GND
VCC
VSS
不作任何外部连接或领带
系统Vss的
5V电源(典型值)
接地装置
DRAM
行,列地址
列启用,输出使能
DRAM数据I / O,写掩码位
块写使能
持续写入每比特能
颜色寄存器加载启用
行启用
转让
行,点击地址
分接开关的地址选通
分寄存器使能
另类写使能转移
行启用
串行输入模式使能
SMJ44C251B
MT42C4256
SAM
VRAM
详细信号说明VS.运算模式
串行启用
串行时钟
串行数据I / O
Q输出使能
写使能,写每比特选择
发送使能
转移 - 写使能
拆分注册
工作状态
手术
取决于操作的选择的类型,所述信号
在SMJ44C251B / MT42C4256执行不同的功能。该
“信号详细说明与操作模式”表
总结了信号的描述和操作模式
他们控制。
该SMJ44C251B / MT42C4256有三种
操作:随机存取操作典型的DRAM中,
从存储器阵列到SAM ,并serial-传输操作
通过SAM端口的访问操作。用于将信号
控件这些操作都在这里描述的,随后
讨论业务本身。
地址( A0 -A8 )
对于DRAM的操作中, 18个地址位需
解码的262144存储单元的位置之一。九行向
地址位被设置在A0 A8和锁存到芯片上
的RAS \\下降沿。九列地址位设置
在A0 A8和锁存到芯片上的下降沿
CAS \\ 。所有的地址必须是稳定的或下落之前
的RAS \\和CAS \\边缘。
在传输操作中, A0 A8的状态是
锁存RAS \\下降沿来选择512中的一个
其中发生转移的行。选择的512抽头点之一
(起始位置)为串行数据输入或输出时,该
适当的9位列地址( A0 - A8 )必须是有效的,当
CAS \\下降。
SMJ44C251B/MT42C4256
修订版0.1 12/03
ROW -ADDRESS STROBE (RAS \\)
RAS \\类似于一个芯片使能,因为所有的DRAM周期
和传输周期是由RAS \\下降沿启动。
RAS \\是控制输入锁存行地址的状态,
W \\ , TRG \\ , SE \\ , CAS \\和DSF到芯片上调用DRAM
和传递函数。
COLUMN-地址选通( CAS \\)
CAS \\是控制输入锁存列的状态
地址和DSF的控制DRAM和传递函数。
当CAS \\是在一个传输周期拉低,其锁定
新的抽头点为串行数据输入或输出。 CAS \\也
行为作为输出使能用于DRAM输出DQ0 - DQ3 。
OUTPUT ENABLE / TRANSFER SELECT ( TRG \\ )
TRG \\选择相应的DRAM或转移操作RAS \\
瀑布。对于DRAM操作, TRG \\必须保持高RAS \\
瀑布。在DRAM的操作, TRG \\用作输出
启用对DRAM输出DQ0 - DQ3 。对于转移
操作, TRG \\必须拉低RAS \\下挫之前。
WRITE - Mask选择,写使能(W \\ )
在DRAM中的操作中,W \\使要写入的数据
DRAM 。 W \\还用于选择所述DRAM写每比特模式。
拿着W \\低的RAS \\下降沿调用将写
按位操作。该SMJ44C251B / MT42C4256支持
正常的写入每比特模式和持续写入每比特
模式。
持续
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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    MT42C4256C-10/883C
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    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890
联系人:蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
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MT
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电话:755-83950890(高端元件渠道商)/83950019/83950895
联系人:朱先生
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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