MGA-65606
低噪声放大器，具有旁路切换/关闭模式
在小尺寸封装
数据表
描述
Avago的MGA- 65606是一款经济， easy-
易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器（ LNA）与旁路/
关断模式。 LNA具有低噪声和高线性度
通过使用Avago Technologies公司propri-的实现
etary 0.25
m
GaAs增强模式pHEMT工艺。
旁路/关闭模式，使LNA是
在高输入信号功率旁路，降低
电流消耗。它坐落在一个低调的2.0× 1.3
X 0.5毫米
3
6引脚超薄封装。紧凑的足迹
和低调再加上低噪声，高线性度使
到MGA - 65606的理想选择作为低噪声放大器，用于
移动和CPE的接收器，在WiMAX和WLL （ 2.5 - 4 ）
GHz频段。
特点
低电流消耗
可调偏置电流
简单的匹配网络
宽带运营（ 2.5 - 4 ） GHz的
低噪声系数
低电流消耗在旁路模式， <100
A
完全匹配到50欧姆旁路模式
高线性度（ LNA和旁路模式）
低廓包
典型性能
3.5 GHz的; 3V以及10 mA （典型值） ：
15.3分贝增益
1.05分贝噪声系数
5.7 dBm的输入IP3
-2.4 dBm的输入功率为1 dB增益压缩
在旁路模式4.2分贝插入损耗
17 dBm的IIP3在旁路模式（引脚= -20 dBm的）
<100
A
消耗电流在旁路模式
分量图像
2.0× 1.3× 0.5毫米
3
6引脚超薄封装
注意：
包装标识提供
方向和identi网络阳离子
“ 65 ” =产品代码
“X” =月守则
65X
引脚配置
引脚1 （ V偏压）
引脚2 （ RFIN ）
3脚（ GND）
顶视图
GND
引脚6 （ VSD ）
引脚5 （ RFOUT ）
引脚4 （ VDD）
应用
低噪声放大器用于WiMAX ，无线本地环路。
4 GHz的 - 在2.5其他超低噪声应用
乐队。
简化的原理图
R
VBIAS
RF
IN
L
3
LNA
4
1
偏置/
控制
6
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 50 V
ESD人体模型= 300 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
VSD
L
RF OUT
L
C
R
VDD
C
2
5
绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25° C
符号
V
dd
VBIAS
P
IN，最大
P
DISS
T
j
T
英镑
热阻
单位
V
V
DBM
mW
°C
°C
参数
器件的电压，射频输出接地
控制电压
CW RF输入功率
总功耗
结温
储存温度
绝对最大
5
(Vdd-0.3)
+12
104
150
-65到150
热阻
[2,3]
(V
dd
= 3.0 V，编号= 10 mA）的，
jc
= 80 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用红外线测量2.热阻
测量技术。
3.电路板温度（T
b
）为25℃ ，对于T
b
>146 ℃，
减免设备电源，每°C 14毫瓦
上升委员会（ pakcage肚）的温度。
产品的一致性分布图表
[1]
LSL
USL
USL
13
14
15
16
17
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
图1.增益@ 3.5 GHz频段，VDD电压3V ; VBIAS 2.7 V
LSL = 14 dB时，标称= 15.3分贝， USL = 17分贝
图2. NF @ 3.5 GHz频段，VDD电压3 V ; VBIAS 2.7 V
额定= 1.05分贝， USL = 1.35分贝
USL
注意：
1.分配数据样本大小是从3个不同的取3000个样品
晶圆和3个不同批次。分配给该产品的未来晶圆
可以具有任意位置之间的上部和下部的标称值
极限。
7
8
9
10
11
12
13
图3.独立同@ 3.5 GHz频段，VDD电压3 V ; VBIAS 2.7 V
标称值为10.0毫安， USL = 12.0毫安
2
电气规格
[1]
T
A
= 25°C ， VDD = 3 V ， V偏压= 2.7 V ， 3.5 GHz射频测量 - 典型性能
符号
国际直拨电话
收益
NF
IIP3
IP1dB
S11
S22
S12
|S21|
绕行
IIP3
绕行
国际直拨电话
绕行
|S21|
关闭
国际直拨电话
关闭
参数和测试条件
偏置电流
收益
噪声系数
输入三阶截点
1 dB增益压缩输入功率
输入回波损耗， 50
来源
输出回波损耗， 50
负载
反向隔离
旁路模式插入损耗
旁路模式IIP3 （经测试，在-20 dBm的输入功率）
旁路模式电流
关断模式隔离
关断模式电流
单位
mA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
A
dB
A
分钟。
–
14
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
10
15.3
1.05
+5.7
-2.4
-13.6
-11
-24
4.2
17
70
17
105
马克斯。
12
17
1.35
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
LNA性能模式（VDD = 3V ， V偏压= 2.7 V & VSD = 0 V）
旁路模式的性能（VDD = 3V ， V偏压= 0 V & VSD = 0 V）
关断模式下的性能（VDD = 3V ， V偏压= 0 V & VSD = 3V）
注意：
1. 3.5 GHz的IIP3测试条件：F
RF1
= 3.5 GHz的，女
RF2
= 3.505 GHz的每个音-20 dBm的输入功率。
表1. LNA切换真值表
V偏压（V）/ VSD （V）的
2.7 / 0
[1]
0 / 0
[2]
0 / 3
[3]
Vdd的（V）的
3
3
3
模式
LNA
绕行
关闭
注意事项：
在LNA模式1.设备的操作，如果V偏压> 2.2 V和VSD LNA的< 0.5V，偏置电流可以改变
用V偏压为V偏压> 2.2V。参见图5所示不同的值。
在旁路模式下2.设备的操作，如果V偏压< 0.3 V和VSD < 0.5 V.
3.设备处于停机状态，如果VSD >2.6五，在关断模式下， LNA和内部旁路开关转
OFF 。关断模式下覆盖V偏压电压设置。引脚6 （ VSD ）是一个下拉逻辑功能
引脚和建议接地，如果关机功能没有在应用程序中使用。
3
演示电路板布局
GND
1
GND
2010年10月
安华高
技术
VBIAS
2
VBIAS
GND
3
GND
VSD
4
VSD
VDD
5
VDD
GND
6
GND
MIMOSA V2
RF输入
IN
L1
RF输出
OUT
L2
R2
L3
C1
R1
C2
图4.演示板布局图
应用笔记
在一个特定频带1.性能可以通过在演示板改变的元件值进行优化
以上，以适应在该频率下的应用。用来展示第5页显示组件的原理
表现在（3.0 - 4.0） GHz频带。
2.引脚1 （ V偏压销）电压中的LNA模式可以改变，以使LNA的偏压电流进行调节，参考下一个
图：
12.0
10.0
8.0
ID （MA ）
6.0
4.0
2.0
0.0
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5 2.6
VBIAS （ V）
2.7
2.8
2.9
3.0
图5.标识VS V偏压（VDD = 3V ; VSD = 0 V） 。 VBIAS在这个情节各不相同。
4
演示电路板原理图3.5 GHz的应用
V BIAS
（引脚1）
RF
IN
（引脚
2)
50-Ohms
TL
R2
1
偏置/
控制
6
VSD
（引脚
6)
L2
50-Ohms
TL
2
L1
LNA
3
5
RF OUT
（引脚
5)
L3
4
C1
R1
C2
VDD
（引脚
4)
GND
（引脚
3)
图6.演示板原理图
表2典型使用的组件为演示板在图4
和示意图示于图6， R 2被调节为所需
电流。
部件
L1
L2
L3
C1
C2
R1
R2
MGA- 65606的典型表现（ 3.5 GHz的比赛）
T
A
= + 25 ° C，V
dd
= 3 V，I
ds
= 10 MA（ V偏压= 2.7 V ） ，射频测
surement在3.5 GHz频段，输入信号CW =除非另有说明，
否则。
20
10
0
-10
dB
-20
-30
-40
-50
-60
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 3.5 4.0
频率（GHz ）
4.5
5.0
5.5
6.0
输入回波损耗
输出回波损耗
收益
隔离
供应商
太阳诱电
太阳诱电
太阳诱电
太阳诱电
村田
ROHM
ROHM
SIZE
0402
0402
0402
0402
0402
0402
0402
价值
2.2 nH的
2.4 nH的
1.0 nH的
8 pF的
0.1
F
10欧姆
1.8千欧
图7. LNA增益模式下，输入回波损耗，输出回波损耗，隔离VS
频率
5
QQ：2880707522 复制
