【4MbSMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORYFL灰内存MT28F004B5M】,IC型号MT28F400B5,MT28F400B5 PDF资料,MT28F400B5经销商,ic,电子元器件-51电子网

4Mb

SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

FL灰内存

MT28F004B5

MT28F400B5

只有5V ，双电源（智能5 ）

0.3微米工艺技术

特点

七擦除块：

16KB / 8K字引导块（保护）

两个8KB / 4K字的参数块

四个主要的内存块

智能5技术（ B5 ）：

5V ±10% V

应用/生产

程序设计

12V ±5% V

兼容产品

程序设计

地址访问时间： 60ns的， 80ns的

100,000次擦除周期

业界标准引脚

输入和输出完全兼容TTL

自动写入和擦除算法

双循环写/擦除序列

字节或字宽READ和WRITE

（ MT28F400B5 ， 256K ×16 / 512K ×8 ）

字节宽的阅读与写

（ MT28F004B5 ， 512K ×8 ）

TSOP和SOP封装选项

40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型

44引脚SOP

概述

该MT28F004B5的（x8）和MT28F400B5 （ X16 ， X8 ）

是非易失性的，电的块擦除（闪存），亲

可编程，只读包含4,194,304回忆

位组织为262144个字（ 16位）或524288

个字节（8位）。写或擦除设备与完成

一个5V V

电压，而正在执行的所有操作

用5V V

。由于工艺技术的进步， 5V

是最佳的应用和生产编程

明。对于SmartVoltage向后兼容性

技术， 12V V

是否支持最多100个

个周期，并且可以连接多达100个累积

小时。这些设备均选用美光科技公司AD-

vanced的CMOS浮栅工艺。

该MT28F004B5和MT28F400B5组织

为七个单独擦除块。以确保

关键的固件被意外删除或保护

覆盖，该器件具有硬件保护

引导块。写或擦除引导块需要

无论是采用了超电压的RP ＃引脚或driv-

荷兰国际集团WP ＃高，除了执行正常的

写或擦除序列。该块可以被用来存储

在低级别的系统恢复代码执行。该

其余的块变化的密度和写入和

删除不需要额外的安全措施。

请参考美光公司的网站（ www.micron.com/

闪存/ HTMLS / datasheets.html ） P为最新的数据表。

选项

时机

60ns的访问

80ns的访问

配置

512K ×8

256K ×16 / 512K ×8

引导块起始字地址

顶（ 3FFFFH ）

底部（ 00000H ）

工作温度范围

商用（0 ° C至+ 70 ° C）

扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）

包

塑料44引脚SOP （ 600万）

塑料48针TSOP 1型

（12毫米X 20毫米）

塑料40针TSOP

（ 10毫米x10 20毫米）

产品编号举例：

记号

-6

-8

-8 ET

MT28F004B5

MT28F400B5

无

MT28F400B5SG - 8，T

4MB的智能5引导块闪存

F44_B.p65 - 修订版7/02

美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

2002年，美光科技公司

产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。

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SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

引脚配置（顶视图）

48引脚TSOP I型

A15

A14

A13

A12

A11

A10

WE＃

RP ＃

WP ＃

A17

A16

BYTE ＃

DQ15/(A-1)

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

CE＃

WP ＃

A17

CE＃

OE ＃

DQ0

DQ8

DQ1

DQ9

DQ2

DQ10

44引脚SOP

RP ＃

WE＃

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

BYTE ＃

DQ15/(A-1)

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

订单号码和最热

MT28F400B5WG - 6 B

MT28F400B5WG - 6吨

MT28F400B5WG - 8 B

MT28F400B5WG - 8，T

MT28F400B5WG - 8 BET

MT28F400B5WG - 8 TET

DQ3

DQ11

订单号码和最热

MT28F400B5SG - 6 B

MT28F400B5SG - 6吨

MT28F400B5SG - 8 B

MT28F400B5SG - 8，T

MT28F400B5SG - 8 BET

MT28F400B5SG - 8 TET

40引脚TSOP I型

A16

A15

A14

A13

A12

A11

WE＃

RP ＃

WP ＃

A18

A17

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

OE ＃

CE＃

订单号码和最热

MT28F004B5VG - 6 B

MT28F004B5VG - 6吨

MT28F004B5VG - 8 B

MT28F004B5VG - 8，T

MT28F004B5VG - 8 BET

MT28F004B5VG - 8 TET

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SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

功能框图

输入

卜FF器

BYTE ＃

I / O

控制

逻辑

16KB的引导块

18 (19)

8KB参数块

96KB主座

输入

卜FF器

A-1

输入数据

锁存器/多路复用器

128KB主座

命令

执行

逻辑

状态

机

Y-

解码器

- 盖茨选择

开关/

泵

感测放大器

写/擦除位

比较和验证

输入

卜FF器

地址。

A0–A17/(18)

缓冲器/

LATCH

X - 解码器/块擦除控制

(10)

地址。

动力

（目前）

控制

计数器

128KB主座

DQ15 / （ A - 1 ）

DQ8–DQ14

128KB主座

WP ＃

CE＃

OE ＃

WE＃

RP ＃

DQ0–DQ7

产量

卜FF器

DQ15

状态

鉴定

产量

卜FF器

产量

卜FF器

MUX

注意：

1.不适用于MT28F004B5 。

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SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY

引脚说明

44引脚SOP 40脚TSOP 48针TSOP

号码数字数字符号

WE＃

TYPE

输入

描述

写使能：确定是否一个给定的周期是一个写周期。如果

WE＃为低，周期可以是一个写命令

执行逻辑（ CEL）或以对存储器阵列。

写保护：解锁引导块，如果V HIGH的时候

PPH

（5V）或V

PPH

(12V)

和RP ＃ = V

写操作期间或

抹去。不影响写入或擦除其他操作

块。

芯片启动：启动设备时低。当CE＃为

高，设备被禁用，并且进入待机功耗

模式。

复位/掉电：当LOW ， RP ＃清除状态寄存器，

设置内部状态机（ISM）到该阵列中读取模式

而将器件置于深度掉电模式。所有输入，

包括CE ＃，是“不关心”，并且所有输出高阻。

RP ＃解锁引导块和覆盖的条件

WP ＃在V时

（12V ），并且必须在V举行

在所有

其他的操作模式。

输出使能：允许数据输出缓冲器低的时候。

当OE＃为高电平时，输出缓冲器被禁止。

字节使能：如果BYTE ＃ =高，高字节是通过活跃

DQ8 - DQ15 。如果BYTE ＃ =低， DQ8 - DQ14是高阻，所有

数据通过DQ0 - DQ7的访问。 DQ15 / （ A - 1 ）成为

最显著的地址输入。

地址输入：选择一个唯一的16位字或8位字节。该

DQ15 / （ A - 1 ）输入变为最低阶地址时，

字节＃ =低（ MT28F400B5 ），以允许选择的8-

位字节从524,288可用。

WP ＃

输入

CE＃

输入

RP ＃

输入

–

OE ＃

BYTE ＃

输入

11, 10, 9, 8,

21, 20, 19,

25, 24, 23,

7, 6, 5, 4,

18, 17, 16,

22, 21, 20,

42, 41, 40,

15, 14, 8, 7, 19, 18, 8, 7,

39, 38, 37, 36, 6, 5, 4, 3, 6, 5, 4, 3, 2,

36, 35, 34, 3 2, 1, 40, 13

1, 48, 17

–

A0-A17/

(A18)

输入

15, 17, 19,

21, 24, 26,

28, 30

16, 18, 20,

22, 25, 27,

13, 32

–

输入/数据I / O：数据的MSB时， BYTE ＃ = HIGH 。地址输入： LSB

地址输入时， BYTE ＃ =低在读或写输出

操作。

25-28, 32-35 29, 31, 33,

DQ0-DQ7

输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚或

35, 38, 40,

输出数据在写入期间输入引脚。这些引脚用于输入

42, 44

命令来对CEL 。

–

30 ， 32 ， 34 ， DQ8 - DQ14

输入/数据的I / O ：任何读取操作过程中的数据输出引脚或

36, 39, 41,

写操作期间的输出数据输入引脚时， BYTE ＃ = HIGH 。这些

引脚为高阻时， BYTE ＃为低。

供应写/擦除电源电压：从写入或擦除CONFIRM

直到写或擦除，V完成

必须是在V

PPH

（5V）或V

PPH

(12V)

. V

=在所有其他“无关”

操作。

30, 31

供电电源： + 5V ± 10 ％。

23, 39

27, 46

供应地。

29, 37, 38

9, 10, 15, 16

–

无连接：这些引脚可被驱动或悬空。

DQ15

(A - 1)

注意：

1.对于SmartVoltage兼容的生产编程， 12V V

支持最多100个循环，并且可以

可连接多达100个累计小时。

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真值表（ MT28F400B5 ）

功能

待机

RESET

读

READ （字模式）

READ （字节模式）

输出禁用

删除设置

擦除确认

写设置

写（字模式）

WRITE （字节模式）

读阵列

写/擦除（ BOOT BLOCK ）

2, 7

删除设置

擦除确认

3, 6

写设置

写（字模式）

4, 6

WRITE （字节模式）

4, 6

读阵列

设备Identi科幻阳离子

8, 9

制造商的兼容性

（字模式）

制造商的兼容性

（字节模式）

设备（字模式，顶部引导）

设备（字节模式，顶部引导）

设备（字模式，底部启动）

设备（字节模式，底部启动）

注意：

10.

RP ＃

CE＃

OE ＃

WE＃ WP ＃ BYTE ＃ A0

PPH

DQ0 - DQ7 DQ8 - DQ14 DQ15 / A - 1

高-Z

数据输出数据输出数据输出

数据输出高阻

高-Z

20H

D0H

10H/40H

数据在

FFH

20H

D0H

10H/40H

数据在

FFH

89H

70H

71H

高-Z

数据在

00H

高-Z

44H

高-Z

44H

高-Z

A-1

高-Z

数据在

A-1

数据在

A-1

–

写/擦除（除引导块）

L = V

（低），H = V

（高）中，X = V

或V

（ “无关” ）。

PPH

= V

PPH1

= 5V.

操作之前必须先擦除设置命令。

操作之前必须先写SETUP命令。

读阵列写入或擦除后之前，必须发出读阵列命令。

当WP ＃ = V

， RP ＃可能是在V

或V

= 12V.

= 12V ;也可以通过发出IDENTIFY DEVICE命令读取。

A1 -A8 ， A10 ， A17 = V

值反映DQ8 - DQ15 。

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