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MJD31B/31C
MJD32B/32C
互补硅功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
表面贴装TO- 252 ( DPAK )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B / C和
TIP32B/C
3
1
应用
s
通用开关和
放大器晶体管
描述
该MJD31B和MJD31C和MJD32B和
MJD32C形式互补NPN -PNP配对。
他们使用的是制作的外延基地
技术,经济高效的性能。
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
吨OT
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
= 25 C
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
价值
MJD31B
MJD32B
80
80
5
3
5
1
15
-65到150
150
MJD31C
MJD32C
100
100
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
适用于PNP型的值intented负。
1999年5月
1/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
8.33
100
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
SYMB OL
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
CEO ( SUS )
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 0)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
饱和电压
基Emitt器电压
直流电流增益
动态电流摹泉
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
=最大额定值
V
CE
= 60 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
MJD31B/32B
MJD31C/32C
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
B
= 375毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
10
20
3
分钟。
典型值。
马克斯。
20
50
0.1
取消它
A
A
mA
80
100
1.2
1.8
50
V
V
V
V
V
CE (SAT)
V
BE(上)
h
F ê
h
fe
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
安全工作区
降额曲线
2/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
直流电流增益( NPN型)
直流电流增益( PNP型)
集电极 - 发射极饱和电压( NPN型)
集电极 - 发射极饱和电压( PNP型)
基射极饱和电压( NPN型)
集电极 - 基极电容( PNP型)
3/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
TO- 252 ( DPAK )机械数据
mm
分钟。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
0.60
0
o
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.8
1.00
8
o
0.024
0
o
典型值。
马克斯。
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.087
0.035
0.001
0.025
0.204
0.018
0.019
0.236
0.252
0.173
0.368
0.031
0.039
0
o
典型值。
马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.213
0.024
0.024
0.244
0.260
0.181
0.398
DIM 。
P032P_B
4/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
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ST的标志是意法半导体公司的商标。
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    -
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