2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
FL灰内存
MT28F322D20
MT28F322D18
低电压，扩展级温度
采用0.18μm工艺技术
特点
灵活的双存储架构
- 支持真正的并行操作零
潜伏期
- 读取银行
a
在程序库
b
反之亦然
- 读取银行
a
在擦除银行
b
反之亦然
基本配置：
七十一擦块
バ银行
a
（ 8Mb的数据存储）
バ银行
b
（ 24MB用于程序存储）
V
CC
, V
CC
Q，V
PP
电压
- 1.70V （MIN）， 1.90V （最大值）V
CC
, V
CC
Q
（仅MT28F322D18 ）
– 1.80V V
CC
, V
CC
Q（ MIN ） ; 2.20V V
CC
（MAX）和2.25V
V
CC
Q值（ MAX） （ MT28F322D20只）
- 0.9V （典型值）V
PP
（在系统编程/擦除）
12V ±5％ （HV ）V
PP
宽容（工厂编程
兼容性）
随机存取时间： 70ns的/ 80ns的@ 1.70V V
CC
突发模式读访问（ MT28F322D20 ）
最大时钟速率： 54兆赫（
t
CLK = 18.5ns ）
- 突发潜伏期：为70ns @ 1.80V V
CC
和54兆赫
–
t
ACLK ：为17ns @ 1.80V V
CC
和54兆赫
页面模式读取访问权限
1
- 八字的页面
- 页间的读取权限：为70ns / 80ns的@ 1.80V
- 页内读取访问权限：为30ns @ 1.80V
低功耗（V
CC
= 2.20V)
- 异步读取< 15毫安（ MAX）
- 待机< 50μA
- 自动省电功能（ APS ）
增强的写入和擦除挂起选项
- 擦除暂停阅读的同一银行内
- 程序挂起阅读同一银行内
- 擦除挂起到程序的同一银行内
双64位芯片的寄存器保护安全
施行
跨兼容命令支持
扩展指令集
- 通用闪存接口
编程/擦除周期
- 每块100,000次写/擦除周期
注意：
1.数据基于MT28F322D20设备上。
2. “ 5 ”中的一部分标记代表两个不同的
频率： 54兆赫（ MT28F322D20 ）或52 MHz的
(MT28F322D18)
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
BALL转让
58球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
A11
2
A8
3
V
SS
4
V
CC
5
V
PP
6
A18
7
A6
8
A4
A12
A9
A20
CLK
RST ＃
A17
A5
A3
A13
A10
ADV ＃
WE＃
A19
A7
A2
A15
A14
WAIT ＃
A16
DQ12
WP ＃
A1
V
CC
Q
DQ15
DQ6
DQ4
DQ2
DQ1
CE＃
A0
V
SS
DQ14
DQ13
DQ11
DQ10
DQ9
DQ0
OE ＃
DQ7
V
SS
Q
DQ5
V
CC
DQ3
V
CC
Q
DQ8
V
SS
Q
顶视图
（球下）
注意：
看到球说明表7页。
机械制图参阅第43页。
选项
时机
为70ns存取
80ns的访问
- 频率
54兆赫
40 MHZ
无突发操作
引导块配置
顶部
底部
包
58球FBGA （ 8 ×7球栅）
工作温度范围
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
产品编号举例：
记号
-70
-80
5
2
4
无
T
B
FH
ET
MT28F322D20FH -804 BET
1
2002年，美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
概述
该MT28F322D20和MT28F322D18是高
性能，高密度，非易失性闪存存储器
解决方案，可以显著改善系统perfor-
曼斯。这种新的架构采用双内存 -
支持双银行经营银行配置
无延迟。
高性能的总线接口，可以快速爆裂
或页模式的数据传输;传统asynchro-
知性总线接口设置为好。
该设备允许块软保护，如读
只是，通过配置的软保护寄存器与德迪
cated命令序列。出于安全的目的，二
提供64位芯片保护寄存器。
内嵌的字写和块擦除
功能由一个片上写状态完全自动化
机（ WSM ） 。两个片上的状态寄存器，一个用于
每两个存储器分区，可以使用来监控
TOR的WSM状态并确定的进度
编程/擦除任务。
擦除/编程挂起功能允许
与现有EEPROM仿真软件的兼容性
包。
该器件采用0.18微米工艺制造
技术。
请参考美光网站（ www.micron.com/
FLASH ）
最新的数据表。
结构和存储器
组织
闪存器件包含两个独立的银行
内存（银行
a
和银行
b)
可同时读取和
写操作，并提供以下银行
分割配置：
バ银行
a
是在存储器中含有的四分之一
8× 4K字参数块，而其余的
银行
a
被分割为15× 32K字块。
バ银行
b
表示四分之三的存储器的，则
同样扇形，并含有48个32K字块。
图2和图3显示了底部和顶部的存储器
组织。
器件标识
由于包的大小， Micron的标准件
数量并不印在每个装置的顶部。相反，
由五位的缩写标记设备
字母数字码。缩写标记设备
交叉参考美光部分号码
表1中。
表1
交叉参考的缩写标记设备
产品型号
MT28F322D20FH -705 TET
MT28F322D20FH -705 BET
MT28F322D20FH -804 TET
MT28F322D20FH -804 BET
MT28F322D18FH -705 TET
MT28F322D18FH -705 BET
MT28F322D18FH -804 TET
MT28F322D18FH -804 BET
产品
记号
FW546
FW547
FW548
FW549
FW558
FW559
FW543
FW542
样品
记号
FX546
FX547
FX548
FX549
FX558
FX559
FX543
FX542
机械
打标
FY546
FY547
FY548
FY549
FY558
FY559
FY543
FY542
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
品名信息
Micron的低功耗器件具有sev-
的特征全部擦除不同的组合（见图1） 。
的特征和它们的相应的有效组合
产品编号列在表2 。
图1
产品型号表
MT 28F 322 D20 FH - 80 4 B等
美光科技
快闪族
28F =双电源闪存
工作温度范围
ET =扩展级（ -40°C至+ 85°C ）
引导块起始地址
B =底部启动
T =顶部引导
密度/组织/银行
322 = 32Mb的（ 2,048K ×16 ）
银行
a
= 1/4 ;银行
b
= 3/4
突发模式频率
空白=无
4 - 40 MHz的
5 = 54兆赫（ MT28F322D20 ）或
52兆赫（ MT28F322D18 ）
阅读模式操作
D =异步/页/突发读
工作电压范围
18 = 1.70V–1.90V
20 = 1.80V–2.20V V
CC
20 = 1.80V–2.25V V
CC
Q
存取时间
-70 = 70ns的
-80 = 80ns的
封装代码
FH = 58球FBGA （ 8× 7格）
表2
有效的部件号组合
ACCESS
时间（纳秒）
70
70
80
80
70
70
80
80
BOOT BLOCK
开始
地址
底部
顶部
底部
顶部
底部
顶部
底部
顶部
BURST
频率
（兆赫）
54
54
40
40
52
52
40
40
操作
温度
范围
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
产品型号
MT28F322D20FH -705 BET
MT28F322D20FH -705 TET
MT28F322D20FH -804 BET
MT28F322D20FH -804 TET
MT28F322D18FH -705 BET
MT28F322D18FH -705 TET
MT28F322D18FH -804 BET
MT28F322D18FH -804 TET
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
功能框图
PR锁
PR锁
询问
查询/ OTP
OTP
DQ0–DQ15
X月
数据输入
卜FF器
数据
注册
RST ＃
CE＃
WE＃
OE ＃
Y / Z DEC
银行1块
Y / Z选通/传感
制造商ID
器件ID
锁座
RCR
ID注册。
CSM
状态
注册。
WSM
计划/
抹去
泵压
发电机
产量
多路复用器
DQ0–DQ15
I / O逻辑
产量
卜FF器
A0–A20
地址
输入
卜FF器
地址
CNT WSM
WAIT ＃
地址
多路复用器
Y / Z DEC
X月
Y / Z选通/传感
银行2块
ADV ＃
地址锁存
CLK
BSM
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
4
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
图2
底部引导块设备
块
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
银行
b
= 24MB
BLOCK SIZE
（K字节/ K-字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围
(x16)
1F8000h-1FFFFFh
1F0000h-1F7FFFh
1E8000h-1EFFFFh
1E0000h-1E7FFFh
1D8000h-1DFFFFh
1D0000h-1D7FFFh
1C8000h-1CFFFFh
1C0000h-1C7FFFh
1B8000h-1BFFFFh
1B0000h-1B7FFFh
1A8000h-1AFFFFh
1A0000h-1A7FFFh
198000h-19FFFFh
190000h-197FFFh
188000h-18FFFFh
180000h-187FFFh
178000h-17FFFFh
170000h-177FFFh
168000h-16FFFFh
160000h-167FFFh
158000h-15FFFFh
150000h-157FFFh
148000h-14FFFFh
140000h-147FFFh
138000h-13FFFFh
130000h-137FFFh
128000h-12FFFFh
120000h-127FFFh
118000h-11FFFFh
110000h-117FFFh
108000h-10FFFFh
100000h-107FFFh
0F8000h-0FFFFFh
0F0000h-0F7FFFh
0E8000h-0EFFFFh
0E0000h-0E7FFFh
0D8000h-0DFFFFh
0D0000h-0D7FFFh
0C8000h-0CFFFFh
0C0000h-0C7FFFh
0B8000h-0BFFFFh
0B0000h-0B7FFFh
0A8000h-0AFFFFh
0A0000h-0A7FFFh
098000h-097FFFh
090000h-097FFFh
088000h-087FFFh
080000h-087FFFh
块
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
银行
a
= 8Mb的
BLOCK SIZE
（K字节/ K-字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
地址范围
(x16)
078000h-07FFFFh
070000h-077FFFh
068000h-067FFFh
060000h-067FFFh
058000h-05FFFFh
050000h-057FFFh
048000h-04FFFFh
040000h-047FFFh
038000h-03FFFFh
030000h-037FFFh
028000h-02FFFFh
020000h-027FFFh
018000h-01FFFFh
010000h-017FFFh
008000h-00FFFFh
007000h-007FFFh
006000h-006FFFh
005000h-005FFFh
004000h-004FFFh
003000h-003FFFh
002000h-002FFFh
001000h-001FFFh
000000h-000FFFh
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
FL灰内存
MT28F322D20
MT28F322D18
低电压，扩展级温度
采用0.18μm工艺技术
特点
灵活的双存储架构
- 支持真正的并行操作零
潜伏期
- 读取银行
a
在程序库
b
反之亦然
- 读取银行
a
在擦除银行
b
反之亦然
基本配置：
七十一擦块
バ银行
a
（ 8Mb的数据存储）
バ银行
b
（ 24MB用于程序存储）
V
CC
, V
CC
Q，V
PP
电压
- 1.70V （MIN）， 1.90V （最大值）V
CC
, V
CC
Q
（仅MT28F322D18 ）
– 1.80V V
CC
, V
CC
Q（ MIN ） ; 2.20V V
CC
（MAX）和2.25V
V
CC
Q值（ MAX） （ MT28F322D20只）
- 0.9V （典型值）V
PP
（在系统编程/擦除）
12V ±5％ （HV ）V
PP
宽容（工厂编程
兼容性）
随机存取时间： 70ns的/ 80ns的@ 1.70V V
CC
突发模式读访问（ MT28F322D20 ）
最大时钟速率： 54兆赫（
t
CLK = 18.5ns ）
- 突发潜伏期：为70ns @ 1.80V V
CC
和54兆赫
–
t
ACLK ：为17ns @ 1.80V V
CC
和54兆赫
页面模式读取访问权限
1
- 八字的页面
- 页间的读取权限：为70ns / 80ns的@ 1.80V
- 页内读取访问权限：为30ns @ 1.80V
低功耗（V
CC
= 2.20V)
- 异步读取< 15毫安（ MAX）
- 待机< 50μA
- 自动省电功能（ APS ）
增强的写入和擦除挂起选项
- 擦除暂停阅读的同一银行内
- 程序挂起阅读同一银行内
- 擦除挂起到程序的同一银行内
双64位芯片的寄存器保护安全
施行
跨兼容命令支持
扩展指令集
- 通用闪存接口
编程/擦除周期
- 每块100,000次写/擦除周期
注意：
1.数据基于MT28F322D20设备上。
2. “ 5 ”中的一部分标记代表两个不同的
频率： 54兆赫（ MT28F322D20 ）或52 MHz的
(MT28F322D18)
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
BALL转让
58球FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
A11
2
A8
3
V
SS
4
V
CC
5
V
PP
6
A18
7
A6
8
A4
A12
A9
A20
CLK
RST ＃
A17
A5
A3
A13
A10
ADV ＃
WE＃
A19
A7
A2
A15
A14
WAIT ＃
A16
DQ12
WP ＃
A1
V
CC
Q
DQ15
DQ6
DQ4
DQ2
DQ1
CE＃
A0
V
SS
DQ14
DQ13
DQ11
DQ10
DQ9
DQ0
OE ＃
DQ7
V
SS
Q
DQ5
V
CC
DQ3
V
CC
Q
DQ8
V
SS
Q
顶视图
（球下）
注意：
看到球说明表7页。
机械制图参阅第43页。
选项
时机
为70ns存取
80ns的访问
- 频率
54兆赫
40 MHZ
无突发操作
引导块配置
顶部
底部
包
58球FBGA （ 8 ×7球栅）
工作温度范围
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
产品编号举例：
记号
-70
-80
5
2
4
无
T
B
FH
ET
MT28F322D20FH -804 BET
1
2002年，美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
概述
该MT28F322D20和MT28F322D18是高
性能，高密度，非易失性闪存存储器
解决方案，可以显著改善系统perfor-
曼斯。这种新的架构采用双内存 -
支持双银行经营银行配置
无延迟。
高性能的总线接口，可以快速爆裂
或页模式的数据传输;传统asynchro-
知性总线接口设置为好。
该设备允许块软保护，如读
只是，通过配置的软保护寄存器与德迪
cated命令序列。出于安全的目的，二
提供64位芯片保护寄存器。
内嵌的字写和块擦除
功能由一个片上写状态完全自动化
机（ WSM ） 。两个片上的状态寄存器，一个用于
每两个存储器分区，可以使用来监控
TOR的WSM状态并确定的进度
编程/擦除任务。
擦除/编程挂起功能允许
与现有EEPROM仿真软件的兼容性
包。
该器件采用0.18微米工艺制造
技术。
请参考美光网站（ www.micron.com/
FLASH ）
最新的数据表。
结构和存储器
组织
闪存器件包含两个独立的银行
内存（银行
a
和银行
b)
可同时读取和
写操作，并提供以下银行
分割配置：
バ银行
a
是在存储器中含有的四分之一
8× 4K字参数块，而其余的
银行
a
被分割为15× 32K字块。
バ银行
b
表示四分之三的存储器的，则
同样扇形，并含有48个32K字块。
图2和图3显示了底部和顶部的存储器
组织。
器件标识
由于包的大小， Micron的标准件
数量并不印在每个装置的顶部。相反，
由五位的缩写标记设备
字母数字码。缩写标记设备
交叉参考美光部分号码
表1中。
表1
交叉参考的缩写标记设备
产品型号
MT28F322D20FH -705 TET
MT28F322D20FH -705 BET
MT28F322D20FH -804 TET
MT28F322D20FH -804 BET
MT28F322D18FH -705 TET
MT28F322D18FH -705 BET
MT28F322D18FH -804 TET
MT28F322D18FH -804 BET
产品
记号
FW546
FW547
FW548
FW549
FW558
FW559
FW543
FW542
样品
记号
FX546
FX547
FX548
FX549
FX558
FX559
FX543
FX542
机械
打标
FY546
FY547
FY548
FY549
FY558
FY559
FY543
FY542
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
2
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
品名信息
Micron的低功耗器件具有sev-
的特征全部擦除不同的组合（见图1） 。
的特征和它们的相应的有效组合
产品编号列在表2 。
图1
产品型号表
MT 28F 322 D20 FH - 80 4 B等
美光科技
快闪族
28F =双电源闪存
工作温度范围
ET =扩展级（ -40°C至+ 85°C ）
引导块起始地址
B =底部启动
T =顶部引导
密度/组织/银行
322 = 32Mb的（ 2,048K ×16 ）
银行
a
= 1/4 ;银行
b
= 3/4
突发模式频率
空白=无
4 - 40 MHz的
5 = 54兆赫（ MT28F322D20 ）或
52兆赫（ MT28F322D18 ）
阅读模式操作
D =异步/页/突发读
工作电压范围
18 = 1.70V–1.90V
20 = 1.80V–2.20V V
CC
20 = 1.80V–2.25V V
CC
Q
存取时间
-70 = 70ns的
-80 = 80ns的
封装代码
FH = 58球FBGA （ 8× 7格）
表2
有效的部件号组合
ACCESS
时间（纳秒）
70
70
80
80
70
70
80
80
BOOT BLOCK
开始
地址
底部
顶部
底部
顶部
底部
顶部
底部
顶部
BURST
频率
（兆赫）
54
54
40
40
52
52
40
40
操作
温度
范围
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
产品型号
MT28F322D20FH -705 BET
MT28F322D20FH -705 TET
MT28F322D20FH -804 BET
MT28F322D20FH -804 TET
MT28F322D18FH -705 BET
MT28F322D18FH -705 TET
MT28F322D18FH -804 BET
MT28F322D18FH -804 TET
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
3
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
功能框图
PR锁
PR锁
询问
查询/ OTP
OTP
DQ0–DQ15
X月
数据输入
卜FF器
数据
注册
RST ＃
CE＃
WE＃
OE ＃
Y / Z DEC
银行1块
Y / Z选通/传感
制造商ID
器件ID
锁座
RCR
ID注册。
CSM
状态
注册。
WSM
计划/
抹去
泵压
发电机
产量
多路复用器
DQ0–DQ15
I / O逻辑
产量
卜FF器
A0–A20
地址
输入
卜FF器
地址
CNT WSM
WAIT ＃
地址
多路复用器
Y / Z DEC
X月
Y / Z选通/传感
银行2块
ADV ＃
地址锁存
CLK
BSM
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
4
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
2 MEG ×16
ASYNC /页/爆闪存储器
图2
底部引导块设备
块
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
银行
b
= 24MB
BLOCK SIZE
（K字节/ K-字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围
(x16)
1F8000h-1FFFFFh
1F0000h-1F7FFFh
1E8000h-1EFFFFh
1E0000h-1E7FFFh
1D8000h-1DFFFFh
1D0000h-1D7FFFh
1C8000h-1CFFFFh
1C0000h-1C7FFFh
1B8000h-1BFFFFh
1B0000h-1B7FFFh
1A8000h-1AFFFFh
1A0000h-1A7FFFh
198000h-19FFFFh
190000h-197FFFh
188000h-18FFFFh
180000h-187FFFh
178000h-17FFFFh
170000h-177FFFh
168000h-16FFFFh
160000h-167FFFh
158000h-15FFFFh
150000h-157FFFh
148000h-14FFFFh
140000h-147FFFh
138000h-13FFFFh
130000h-137FFFh
128000h-12FFFFh
120000h-127FFFh
118000h-11FFFFh
110000h-117FFFh
108000h-10FFFFh
100000h-107FFFh
0F8000h-0FFFFFh
0F0000h-0F7FFFh
0E8000h-0EFFFFh
0E0000h-0E7FFFh
0D8000h-0DFFFFh
0D0000h-0D7FFFh
0C8000h-0CFFFFh
0C0000h-0C7FFFh
0B8000h-0BFFFFh
0B0000h-0B7FFFh
0A8000h-0AFFFFh
0A0000h-0A7FFFh
098000h-097FFFh
090000h-097FFFh
088000h-087FFFh
080000h-087FFFh
块
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
银行
a
= 8Mb的
BLOCK SIZE
（K字节/ K-字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
8/4
地址范围
(x16)
078000h-07FFFFh
070000h-077FFFh
068000h-067FFFh
060000h-067FFFh
058000h-05FFFFh
050000h-057FFFh
048000h-04FFFFh
040000h-047FFFh
038000h-03FFFFh
030000h-037FFFh
028000h-02FFFFh
020000h-027FFFh
018000h-01FFFFh
010000h-017FFFh
008000h-00FFFFh
007000h-007FFFh
006000h-006FFFh
005000h-005FFFh
004000h-004FFFh
003000h-003FFFh
002000h-002FFFh
001000h-001FFFh
000000h-000FFFh
2梅格×16异步/页/突发闪存
MT28F322D20FH_4.p65 - 启示录4 ，酒吧。 7/02
5
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2002年，美光科技公司
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