SMD通用

晶体管（ NPN ）

MMBT3904

SMD通用晶体管（ NPN ）

特点

NPN硅外延平面晶体管

开关和放大器应用

符合RoHS标准

SOT-23

机械数据

案例：

终端：

重量：

SOT -23 ，塑料包装

每MIL -STD- 202G ，方法208

0.008克

最大额定值

(T

环境

= 25°C除非另有说明）

符号

标识代码

描述

MMBT3904

1A

60

40

6.0

200

250

450

150

-55到+150

V

V

V

mA

mW

° C / W

°C

°C

单位

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗在25℃以上

从结点到环境的热阻

结温

存储温度范围

P

合计

R

θJA

T

J

T

英镑

TAITRON零部件股份有限公司

www.taitroncomponents.com

联系电话： （ 800 ） -TAITRON

传真： （ 800 ） -TAITFA

(800)-824-8766

(800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

版本A / AH 2007-12-22

第1页3

SMD通用晶体管（ NPN ）

MMBT3904

电气特性

(T

环境

= 25°C除非另有说明）

符号

描述

分钟。

40

70

马克斯。

-

-

300

-

-

-

-

-

0.2

0.3

0.85

0.95

50

50

-

4.0

8.0

5.0

35

35

200

50

ns

V

V

V

V

单位

条件

V

CE

=1V,

I

C

=0.1mA

V

CE

=1V,

I

C

=1mA

V

CE

=1V,

I

C

=10mA

V

CE

=1V,

I

C

=50mA

V

CE

=1V,

I

C

=100mA

I

C

=10A,

I

E

=0

I

C

=1mA,

I

B

=0

I

E

=10A,

I

C

=0

I

C

=10mA,

I

B

=1mA

I

C

=50mA,

I

B

=5mA

I

C

=10mA,

I

B

=1mA

I

C

=50mA,

I

B

=5mA

V

EB

=3V, V

CE

=30V

V

EB

=3V, V

CE

=30V

V

CE

=20V,

I

C

=10mA,

f

=100MHz

V

CB

=5V,

f

=1.0MHz,

I

E

=0

V

EB

=0.5V,

f

=1.0MHz,

I

C

=0

V

CE

= 5V ，我

C

=100A,

R

S

=1k,

f

= 10Hz到15.7KHz

I

B1

=1mA

I

C

=10mA

I

B1

=

I

B2=

1mA

I

C

=10mA

h

FE

直流电流增益

100

60

30

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CEV

I

EBV

f

T

C

CBO

C

EBO

NF

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

60

40

6.0

-

-

0.65

-

-

-

300

-

-

-

-

-

-

-

基射极饱和电压

集电极 - 发射极截止电流

发射极 - 基极截止电流

电流增益带宽积

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

噪声系数

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

nA

nA

兆赫

pF

pF

dB

t

d

t

r

t

s

t

f

版本A / AH 2007-12-22

www.taitroncomponents.com

分页： 1 2 3

SMD通用晶体管（ NPN ）

MMBT3904

尺寸（mm）

SOT-23

如何联系我们：

美国总部

28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162

联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 247-2232 （ 661 ） 257-6060

传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415

电子邮件：

taitron@taitroncomponents.com

Http://www.taitroncomponents.com

TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。

中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP

42970 MEXICO

电话： + 52-55-5560-1519

传真： + 52-55-5560-2190

TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA

RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL

电话： + 55-11-5574-7949

传真： + 55-11-5572-0052

TAITRON组件INCORPORATED上海代表处

首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国

电话： + 86-21-5424-9942

传真： + 86-21-5424-9931

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第3页3

BL

银河电子

NPN开关晶体管

特点

外延平面模施工。

互补PNP类型可用

(MMBT3906).

集电极电流能力我

c

=200mA.

集电极 - 发射极电压V

首席执行官

=40V.

产品规格

MMBT3904

Pb

LEAD -FREE

应用

通用开关和放大

SOT-23

订购信息

型号

MMBT3904

记号

1AM

封装代码

SOT-23

最大额定值

除非另有规定@ TA = 25 ℃

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

晶体管安装在一FR4印刷电路板。

Tamb≤25°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

60

40

6

-

-

-

-

-65

-

-65

马克斯。

-

-

-

200

200

100

250

+150

150

+150

单位

V

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

°C

°C

文件编号： BL / SSSTC061

Rev.A的

www.galaxycn.com

1

BL

银河电子

NPN开关晶体管

电气特性

@ TA = 25 ℃

符号

I

CBO

I

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

C

= 0; V

EB

= 6 V

V

CE

= 1 V;

I

C

= 0.1毫安

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

B

产品规格

MMBT3904

除非另有说明

分钟。

-

-

60

80

100

60

30

-

-

650

-

-

-

300

-

马克斯。

50

50

-

-

300

-

-

200

300

850

950

4

8

-

5

mV

mV

mV

mV

pF

pF

兆赫

dB

单位

nA

nA

h

FE

直流电流增益

V

CESAT

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪声系数

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

B

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安

B

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安

B

I

E

= I

e

= 0; V

CB

= 5V;

F = 1MHz的

I

C

= I

c

= 0; V

BE

=500mV;

F = 1MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

=20V;

F = 100MHz的

I

C

= 100毫安; V

CE

=5V;

R

S

= 1kΩ的; F = 10Hz的to15.7kHz

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

t

d

t

r

t

s

t

f

记

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

脉冲测试： tp≤300毫秒; d≤0.02 。

I

CON

= 10毫安;我

BON

=1mA;

I

B关

= -1mA

-

-

-

-

35

35

200

50

ns

ns

ns

ns

文件编号： BL / SSSTC061

Rev.A的

www.galaxycn.com

2

BL

银河电子

NPN开关晶体管

产品规格

MMBT3904

典型特征

除非另有规定@ TA = 25 ℃

文件编号： BL / SSSTC061

Rev.A的

www.galaxycn.com

3

BL

银河电子

NPN开关晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装

A

E

产品规格

MMBT3904

SOT-23

SOT-23

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

H

C

民

2.85

1.25

0.37

0.35

1.85

0.02

2.35

最大

2.95

1.35

0.43

0.48

1.95

0.1

2.45

K

B

1.0Typical

D

G

J

J

K

0.1Typical

尺寸：mm

焊接足迹

单位：mm

包

设备

MMBT3904

信息

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

文件编号： BL / SSSTC061

Rev.A的

www.galaxycn.com

4

MMBT3904

Pb

RoHS指令

合规

0.2瓦NPN塑封装晶体管

SOT-23

特点

互补型， PNP晶体管

MMBT3906建议

外延平面片建设

标记：上午01点

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值

类型编号

T

A

= 25℃ ，除非另有规定

o

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极耗散功率

电气特性

价值

60

40

6

0.2

0.2

单位

V

V

V

A

W

参数

集电极 - 基极击穿电压

I

C

=为10uA ，我

e

=0

集电极 - 发射极击穿电压余

C

= 1mA时，我

B

=0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

=为10uA ，我

C

=0

集电极截止电流

V

CB

= 60V我

E

=0

集电极截止电流

V

CE

=30V V

BE

(off)=3V

发射极截止电流

V

EB

= 5V I

C

=0

直流电流增益

V

CE

= 1V我

C

=10mA

V

CE

= 1V我

C

=50mA

V

CE

= 1V我

C

=100mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

跃迁频率V

CE

= 20V我

C

= 10毫安F = 100MHz的

延迟时间

V

CC

=3V V

BE

= 0.5V我

C

=10mA

上升时间

I

B1

=

I

B2

=1.0mA

贮存时间

V

CC

= 3V I

C

=10mA

下降时间

I

B1

=

I

B2

=1.0mA

工作和存储温度范围

分类

h

FE1

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EEO

h

FE(1)

h

FE(2)

h

FE(3)

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

f

T

td

tr

ts

tf

民

60

40

6

最大

单位

V

V

V

uA

nA

uA

100

60

30

0.1

50

0.1

400

0.3

0.95

250

35

35

200

50

-55到+ 150

T

J

, T

英镑

Y

200-300

V

V

兆赫

nS

nS

nS

nS

o

C

秩

范围

O

100-200

G

300-400

版本： A07

收视率和特性曲线

(MMBT3904)

版本： A07

数据表

MMBT3904

NPN通用开关晶体管

电压

特点

NPN硅外延，平面设计

集电极 - 发射极电压VCE = 40V

.056(1.40)

.119(3.00)

.110(2.80)

40伏

动力

225毫瓦

SOT- 23

单位：英寸（毫米）

环境物质指令的要求

机械数据

案例： SOT -23 ，塑料

码头：每MIL -STD- 202G ，方法208

约。重量： 0.008克

标记： S1A

顶视图

3

集热器

1

BASE

3

集热器

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

.006(.15)MAX

.020(.50)

.013(.35)

1

BASE

2

辐射源

2

辐射源

绝对额定值

PA R A M E TE

OL CT R- ê米之rVolage

1。·

e

te

t

OL CT R-B酶Volage

1。·

e

t

ê米是R-B酶Volage

te

t

OL CT RC urent -C ontnuous

1。·

e

r

i

S YM BOL

V

EO

V

BO

V

EBO

I

C

瓦尔ê

u

40

60

6.0

.044(1.10)

.035(0.90)

.103(2.60)

.086(2.20)

集电极电流Ic = 200毫安

无铅产品可供选择：

99 ％以上的锡能符合ROHS

.047(1.20)

.007(.20)MIN

ü NIS

t

V

V

V

mA

200

热特性

PA R A M E TE

M AX P嗷嗷ERD我SI航标（ OT 1 ）

S·P我

否E

疗法ALR ESI吨NCE ， Juncton吨米双向新台币

m

sa

I O

e

每吨 Juncton TEM

i

AUE

每吨R 5吨 GE TEM

oa

AUE

S YM BOL

P

给T

Rθ

JA

T

J

英镑

TI

瓦尔ê

u

225

556

- 5 t 150

5 o

- 5 t 150

5 o

ü NIS

t

mW

O

C/

W

O

C

C

O

注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸

STAD-NOV.26.2004

PAGE 。 1

电气特性

T

A

=25oC

PA RA M E TE

C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B

C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B

英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é

B A S式C UT F F C-UR 鄂西北

C 0 L L权证吨 R C UT F F C-UR 鄂西北

S YM B○升

V

（ B R ）

权证

V

（ B R ）

C B

V

（ B R ）

E B

I

B·L

I

权证X

特S T C 0 N D I T I O

I

C

= 1 。 0米A，I

B

= 0

I

C

= 1 0 U A，I

E

= 0

I

E

= 1 0 U A，I

C

= 0

V

权证

=3 0 V, V

E B

=3 .0 V

V

权证

=3 0 V, V

E B

=3 .0 V

I

C

= 0 。 1米，V

权证

= 1 . 0 V

I

C

= 1 。 0米A，V

权证

= 1 . 0 V

I

C

= 1 0米A，V

权证

= 1 . 0 V

I

C

= 5 0米A，V

权证

= 1 . 0 V

I

C

= 1 0 0米A，V

权证

= 1 . 0 V

I

C

= 1 0微米的，我

B

= 1 。 0米一

I

C

= 5 0米A，I

B

= 5 。 0米一

I

C

= 1 0微米的，我

B

= 1 。 0米一

I

C

= 5 0米A，I

B

= 5 。 0米一

V

C B

= 5 V，I

E

= 0 ， F = 1 M·H

V

C B

= 0 。 5 V，I

C

= 0 ， F = 1 M·H

V

C C

=3 V,V

Bé

=-0 .5 V,

I

C

= 1 0微米的，我

B

= 1 。 0米一

V

C C

=3 V,V

Bé

=-0 .5 V,

I

C

= 1 0微米的，我

B

= 1 。 0米一

V

C C

= 3 V，I

C

= 1 0微米的

I

B

1 = I

B

2 = 1 。 0米一

V

C C

= 3 V，I

C

= 1 0微米的

I

B

1 = I

B

2 = 1 。 0米一

M IN 。

40

60

6 .0

-

-

40

70

100

60

30

-

0 .6 5

-

-

-

-

-

-

-

牛逼YP 。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

MA X 。

-

-

-

50

50

-

-

300

-

-

0 .2

0 .3

0 .8 5

0 .9 5

4 .0

8 .0

35

35

200

50

ü妮吨s

V

V

V

nA

nA

D C C-UR 鄂西北G A I N （N T E 2 ）

h

F ê

-

ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage

（无德2 ）

B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage

（无德2 ）

C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é

ê米I T T E的R - B A S式C一P A C I T A NC é

D E L的钛M E

R I发E钛M E

S T R A克é钛M E

F A L L钛M E

V

权证（S AT ）

V

B E（ AT ）

C

CBO

C

EBO

td

tr

ts

tf

V

V

pF

pF

ns

ns

ns

ns

注2 ：脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％ 。

切换时间等效测试电路

+3V

+ 1 0 .9 V

0

-0 .5 V

300ns

ü TY 嘞 2 0.0 ％

275

< 1ns的

10K

C

S

* < 4 P F

D E LA yand R是（E T） IM E E曲IV勒NT牛逼EST ℃红外立方米它

+

3V

3V

27 5

27 5

+ 10 .9 V

0

1 0 5 0 0美国

ü TY YC嘞 2 0.0 ％

-9 .1 V

10K

C

S

* < 4 pF的

C

S

* < 4 pF的

< 1ns的

1N916

S到RA geand F A LL牛逼IM E E曲IV勒NT牛逼EST IRC它ü

STAD-NOV.26.2004

PAGE 。 2

电气特性曲线

300

250

200

的hFE

150

T

J

= 25 C

100

0.400

1.400

T

J

= 150 C

V

CE

= 1V

1.200

1.000

T

J

= 100 C

V

BE

(V)

0.800

T

J

= 25 C

0.600

T

J

= 100 C

50

0

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.200

0.000

0.01

0.1

T

J

= 150

V

CE

= 1V

1

10

100

1000

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 1.典型

FE

VS集电极电流

1.000

图。 2.典型的V

BE

VS集电极电流

1.0

T

J

= 25 C

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 150 C

T

J

= 100 C

V

CE

（ SAT ） （V ）

0.100

T

J

= 25 C

V

BE

（ SAT ） （V ）

T

J

= 150 C

I

C

/I

B

= 10

0.010

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.1

0.01

0.1

1

集电极电流，I

C

（MA ）

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

图。 3.典型的V

CE

（坐）与集电极电流

10

图。 4.典型的V

BE

（坐）与集电极电流

T

J

= 25 C

C

IB

（ EB）的

电容（pF）

C

OB

（ CB ）

1

0.1

1

10

100

反向电压， V

R

(V)

图。 5.典型的电容VS反向电压

STAD-NOV.26.2004

PAGE 。 3

贴装焊盘布局

SOT-23

单位：英寸（毫米）

0.035(0.9)

0.031(0.8)

0.037(0.95)

订购信息

包装信息

T / R - 12K每13"塑料卷

T / R - 每个7"塑料卷3.0K

法律声明

重要通知

该信息旨在产物，以促进顾客的评价，以明确地表征

该设备在应用程序。这些信息将帮助客户的技术专家确定该设备是

兼容和互换与其他供应商提出了类似的设备。本数据表中的信息被认为

是可靠的和准确的。此处的规格和信息如有变更，恕不另行通知。新产品

并改进产品和产品特性都在不断进行中。因此，工厂应

咨询的最新信息，并没有描述或规定的任何特别的特点。

版权所有潘日新国际公司2003

版权所有。严禁复制全部或部分未经著作权人事先书面同意

所有者。

本文档中提供的信息不构成任何报价或合同的一部分。提供的信息

认为是准确和可靠，如有变更，恕不预先通知。无责任将被接受

发布者use.Publication的任何后果本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可

工业或知识产权。

STAD-NOV.26.2004

0.078(2.0)

PAGE 。 4

MMBT3904

MMBT3904

NPN

表面贴装硅外延平面开关晶体管

硅外延平面Schalttransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

1.3

±0.1

1.1

NPN

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

版本2006-10-17

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

TYPE

CODE

1

1.9

2

尺寸 - 集体[MM ]

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25°C)

集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung

集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung

发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

P

合计

I

C

T

j

T

S

2.5最大

Grenzwerte （T

A

= 25°C)

MMBT3904

40 V

60 V

6V

250毫瓦

1

)

200毫安

-55...+150°C

-55…+150°C

特性（T

j

= 25°C)

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

2

)

I

C

I

C

I

C

I

C

I

C

=

=

=

=

=

0.1毫安，

1毫安，

10毫安，

50毫安，

百毫安，

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

V

CE

=

=

=

=

=

1

1

1

1

1

V

V

V

V

V

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

fe

h

ie

h

oe

h

re

40

80

100

60

30

100

1 k

1 S

Kennwerte （T

j

= 25°C)

典型值。

–

–

–

–

–

–

–

–

–

马克斯。

–

–

300

–

–

400

10 k

40 S

8*10

-4

H-参数为/贝V

CE

= 10 V，I

C

= 1毫安中，f = 1千赫

小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstrkung

输入阻抗 - Eingangs - Impedanz

输出导纳 - Ausgangs - Leitwert

反向电压传输比 - Spannungsrückwirkung

0.5*10

-4

1

2

安装在P.C。主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

测试了脉冲吨

p

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

2%

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

1

MMBT3904

特性（T

j

= 25°C)

分钟。

集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung

2

)

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5毫安

基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

2

)

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5毫安

集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom

V

CE

= 30 V, V

EB

= 3 V

发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom

- V

CE

= 30 V, - V

EB

= 3 V

增益带宽积 - Transitfrequenz

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V ， F = 100 MHz的

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

V

CB

= 5 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

V

EB

= 0.5 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

噪声系数 - Rauschzahl

V

CE

= 5 V，I

C

= 1 μA ，R

G

= 1千欧中，f = 1千赫

开关时间 - Schaltzeiten （10％和90％之间）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 3 V, V

BE

= 0.5 V

I

C

= 10 mA时，我

B1

= 1毫安

V

CC

= 3 V，I

C

= 10毫安，

I

B1

= I

B2

= 1毫安

t

d

t

r

t

s

t

f

R

THA

–

–

–

–

–

–

–

–

< 200 K / W

1

)

MMBT3906

MMBT3904 = 1AM

35纳秒

35纳秒

200纳秒

50纳秒

F

–

–

5分贝

C

EBO

–

–

8 pF的

C

CBO

–

–

4 pF的

f

T

300兆赫

–

–

I

EBV

–

–-

50 nA的

I

CBX

–

–

50 nA的

V

BESAT

V

BESAT

0.65 V

–

–

–

0.85 V

0.95 V

V

CESAT

V

CESAT

–

–

–

–

0.2 V

0.3 V

Kennwerte （T

j

= 25°C)

典型值。

马克斯。

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补PNP晶体管

Empfohlene komplementre PNP - Transistoren

标记 - Stempelung

2

1

测试了脉冲吨

p

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

2%

安装在P.C。主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

2

2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904

N

2N3904

C

C

B

分立功率&信号

技术

MMBT3904

E

TO-92

E

SOT-23

马克： 1A

B

MMPQ3904

B

E

B

E

B

E

B

PZT3904

C

C

E

SOIC-16

C

C

C

C

C

C

C

E

C

B

SOT-223

NPN通用放大器

本设备被设计为通用放大器和开关。

的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并

100MHz的作为放大器。从工艺23采购。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

40

60

6.0

200

-55到+150

单位

V

V

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BL

I

CEX

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CE

= 30 V, V

EB

= 0

V

CE

= 30 V, V

EB

= 0

40

60

6.0

50

50

V

V

V

nA

nA

基本特征*

h

FE

直流电流增益

I

C

= 0.1毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 100毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

40

70

100

60

30

300

V

CE（ s的）

V

BE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

0.65

0.2

0.3

0.85

0.95

V

V

V

V

小信号特性

f

T

C

敖包

C

IBO

NF

电流增益 - 带宽积

输出电容

输入电容

噪声系数

（ MMPQ3904除外）

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

V

CB

= 5.0 V，I

E

= 0,

F = 1.0 MHz的

V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0,

F = 1.0 MHz的

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5.0 V,

R

S

= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫

300

4.0

8.0

5.0

兆赫

pF

pF

dB

开关特性

（ MMPQ3904除外）

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 3.0 V, V

BE

= 0.5 V,

I

C

= 10 mA时，我

B1

= 1.0毫安

V

CC

= 3.0 V，I

C

= 10毫安

I

B1

= I

B2

= 1.0毫安

35

35

200

50

ns

ns

ns

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

SPICE模型

NPN （ IS = 6.734f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 416.4 NE = 1.259伊势= 6.734 IKF = 66.78米XTB = 1.5 BR = 0.7371 NC = 2

ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 3.638p建超= 0.3085 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.493p MJE = 0.2593 VJE = 0.75 Tr的= 239.5n铁蛋白= 301.2p

ITF = 0.4 VTF = 4 XTF = 2的Rb = 10 ）

2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904

NPN通用放大器

（续）

热特性

符号

P

D

R

θ

JC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

2N3904

625

5.0

83.3

200

最大

*PZT3904

1,000

8.0

125

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

符号

P

D

R

θJA

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

有效的4模

每个模具

最大

**MMBT3904

350

2.8

357

MMPQ3904

1,000

8.0

125

240

单位

mW

毫瓦/°C的

°

C / W

° C / W

° C / W

*

设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米

2

.

**

设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

典型特征

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

500

V

CE

= 5V

400

125 °C

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.15

β

= 10

125 °C

300

25 °C

0.1

25 °C

200

100

0

0.1

I

C

- 40 C

0.05

- 40 °C

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

-

BE（上）

基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.8

- 40 °C

25 °C

0.6

125 °C

0.6

125 °C

0.4

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

P 23

100

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

2N3904 / MMBT3904 / MMPQ3904 / PZT3904

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

100

10

1

0.1

功耗与

环境温度

1

P

D

- 功耗（ W）

500

V

CB

= 30V

0.75

0.5

SOT-223

0.25

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

0

0

25

50

75

100

o

温度（℃）

125

150

测试电路

3.0 V

300纳秒

10.6 V

占空比

=

2%

0

- 0.5 V

＆ LT ;

1.0纳秒

10 K

275

C

1

＆ LT ;

4.0 pF的

图1 ：延迟和上升时间等效测试电路

3.0 V

10

＆ LT ;

t

1

＆ LT ;

500

s

t

1

10.9 V

275

占空比

=

2%

0

10 K

C

1

＆ LT ;

4.0 pF的

- 9.1 V

＆ LT ;

1.0纳秒

1N916

图2 ：存储和下降时间等效测试电路

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。

MMBT3904

通用

蒋云良

特点

*集电极 - 发射极电压： V

首席执行官

=40V

*集电极耗散：P

D

(MAX)=350mW

*为了配合UTC MMBT3906

NPN硅晶体管

*无铅电镀产品编号： MMBT3904L

订购信息

订单号

正常

无铅电镀

MMBT3904-AE3-R

MMBT3904L-AE3-R

MMBT3904-AL3-R

MMBT3904L-AL3-R

包

SOT-23

SOT-323

引脚分配

1

2

3

E

B

C

E

B

C

填料

带盘

带盘

MMBT3904L-AE3-R

（ 1 ）包装类型

（ 2 ）封装类型

（ 3 ）铅电镀

（ 1 ）R ：带卷轴

（ 2 ） AE3 ： SOT -23 ， AL3 ： SOT- 323

（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡

记号

www.unisonic.com.tw

2005 Unisonic技术有限公司

1第3

QW-R206-012,B

MMBT3904

参数

NPN硅晶体管

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）

符号

评级

单位

集电极 - 基极电压

V

CBO

60

V

集电极 - 发射极电压

V

首席执行官

40

V

发射极 - 基极电压

V

EBO

6

V

集电极电流

I

C

200

mA

集电极耗散

P

C

350

mW

℃

结温

T

J

+150

℃

储存温度

T

英镑

-55 ~ +150

注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

电气特性

（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）

参数

符号

测试条件

集电极截止电流

I

CEX

V

CE

=30V, V

EB

=3V

底座截止电流

I

BL

V

CE

=30V, V

EB

=3V

集电极 - 基极击穿电压

V

CBO

I

C

= 10μA ，我

E

=0

集电极 - 发射极击穿电压（注）

V

首席执行官

I

C

= 1mA时，我

B

=0

发射极 - 基极击穿电压

V

EBO

I

E

= 10μA ，我

C

=0

h

FE

1

V

CE

= 1V ，我

C

=0.1mA

h

FE

2

V

CE

= 1V ，我

C

=1mA

直流电流增益（注）

h

FE

3

V

CE

= 1V ，我

C

=10mA

h

FE

4

V

CE

= 1V ，我

C

=50mA

h

FE

5

V

CE

= 1V ，我

C

=100mA

V

CE （ SAT ）

1 I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

集电极 - 发射极饱和电压（注）

V

CE （ SAT ）

2 I

C

= 50mA时我

B

=5mA

基射极饱和电压（注）

电流增益带宽积

输出电容

启动时间

V

BE （ SAT ）

1

V

BE （ SAT ）

2

f

T

C

ob

t

ON

最小典型最大单位

50

nA

50

nA

60

V

40

V

6

V

40

70

100

300

60

30

0.2

V

0.3

0.85

0.95

4

70

250

V

V

V

兆赫

pF

ns

ns

关闭时间

t

关闭

注：脉冲测试： PW< = 300μS ，占空比Cycle< = 2 ％

I

C

= 10毫安，我

B

=1mA

0.65

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

V

CE

= 20V ，我

C

= 10毫安中，f = 100MHz的

300

V

CB

= 5V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

CC

=3V,

V

BE

=0.5V,

I

C

=10mA,

I

B

1=1mA

I

B

1=1

B

2=1mA

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 3

QW-R206-012,B

MMBT3904

典型特征

NPN硅晶体管

饱和电压V

BE （ SAT ）

, V

CE （ SAT ）

(V)

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

10

5

3

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0.1 0.3 0.5 1

V

CE （ SAT ）

I

C

=10 I

B

电容C

ob

（PF ）

V

BE （ SAT ）

6

5

4

3

2

1

3 5 10

3050 100

0

1

3

输出电容

I

E

=0

f=1MHz

5

10

30 50 100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或

其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含

在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用

这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现

不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息

本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的

可靠，可恕不另行通知。

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 3

QW-R206-012,B

MMBT3904

通用晶体管

NPN硅

集热器

3

3

1

BASE

1

2

2

辐射源

SOT-23

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

符号

VCEO

VCBO

VEBO

IC

价值

40

60

6.0

200

单位

VDC

VDC

VDC

MADC

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

(1)

T

A

=25 C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，

(2)

T

A

=25 C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结贮藏，温度

符号

PD

R

q

JA

PD

R

q

JA

TJ ， TSTG

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

-55到+150

单位

mW

毫瓦/ C

C / W

mW

毫瓦/ C

C / W

C

器件标识

MMBT3904=1AM

电气特性

关C哈日ACTER istics

(T

A

= 25°C除非另有说明）

符号

民

最大

单位

特征

集电极 - 发射极击穿电压

(3)

(I

C

=1.0mAdc.I

B

=0)

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10 μAdc ，我

E

=0)

发射极 - 基极击穿电压（I

E

= 10 μAdc ，我

C

=0)

底座截止电流（V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

集电极截止电流（V

CE

= 30V直流，V

EB

=3.0Vdc)

1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

3.Pulse测试： Pukse宽度

＆ LT ;

300我们，占空比

＆ LT ;

2.0%.

=

=

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BL

I

CEX

40

60

6.0

-

-

-

50

50

VDC

VDC

VDC

NADC

NADC

-

-

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

MMBT3904

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）

特征

符号

民

最大

单位

基本特征

(3)

直流电流增益

（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0VDC ）

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0VDC ）

（ IC = 50 MADC ， VCE = 1.0VDC ）

（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0VDC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(3)

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0mAdc ）

（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0mAdc ）

基射极饱和电压

(3)

（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）

（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）

VCE （ SAT ）

的hFE

40

70

100

60

30

-

-

0.65

-

-

-

300

-

-

0.2

0.3

0.85

0.95

VDC

-

VBE （ SAT ）

VDC

小信号特性

电流增益带宽积（ 4 ）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100MHz时）

输出电容

（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0MHz的）

输入电容

（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0MHz的）

输入阻抗

（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

电压留言反馈收音机

（ VCE = 10V直流， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益

（ VCE = 10V直流， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

（ VCE = 10V直流， IC = 1.0 MADC ， F = -1.0kHz ）

噪声系数

（ VCE = 5.0VDC ， IC = 100 μAdc ， RS = 1.0K欧姆， F = 1.0kHz ）

fT

科博

CIBO

缺氧缺血性脑病

HRE

的hFE

HOE

NF

300

-

-

1.0

0.5

100

1.0

-

-

兆赫

pF

pF

千欧

x 10-4

4.0

8.0

10

8.0

400

40

-

umhos

dB

5.0

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

（ VCC = 3.0伏，V

BE

= -0.5伏

IC = 10 MADC ，我

B1

= 1.0 MADC ）

（VCC = 3.0伏，

IC = 10 MADC ，我

B1

=I

B2=

1.0 MADC ）

td

tr

ts

tf

-

-

-

-

35

35

200

50

ns

ns

3.Pulse测试：时脉宽度

＆ LT ;

300我们，占空比

＆ LT ;

2.0%.

=

=

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

MMBT3904

值班Cycle≤2 ％

300纳秒

+10.9V

10k

0

-0.5V

<1ns

CS<4 pF的

-9.1V

<1ns

+3V

275

10<t1<500s

值班Cycle≤2 ％

t1

+10.9V

275

10k

1N916

CS<4 pF的

+3V

测试夹具和连接器的*总并联电容

图1延迟和上升时间

等效测试电路

图2中的存储时间和下降时间

等效测试电路

典型的瞬态特性

TJ = 25℃

TJ = 125℃

10

7.0

5000

3000

2000

VCC=40V

IC / IB = 10

电容（pF）

5.0

Q CHARGE （ PC）

1000

700

500

300

200

100

70

QA

QT

CIBO

3.0

2.0

科博

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 40

50

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

反向偏置电压（伏）

IC集电极电流（毫安）

图3电容

图4充电数据

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

MMBT3904

500

300

200

100

500

IC / IB = 10

TF上升时间（ NS ）

300

200

100

70

50

30

20

10

7

5

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20

30

VCC = 40V

IC / IB = 10

时间（纳秒）

70

50

30

20

10

7

5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

tr@VCC=3.0V

40V

15V

td@VOB=0V

20

30

2.0V

50 70 100

200

50 70 100

200

IC集电极电流

IC集电极电流（毫安）

图5开启时间

图6上升时间

500

300

IC / IB = 20

IC / IB = 10

,

吨S = TS - 1 / 8TF

IB1=IB2

TF下降时间（ NS ）

500

300

200

IC / IB = 20

100

70

50

30

20

10

7

5

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20

30

50

70 100

200

IC / IB = 10

VCC=40V

IB1=IB2

,

I

s

存储时间（纳秒）

200

100

70

50

30

20

10

7

5

1.0

IC / IB = 20

IC / IB = 10

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

IC集电极电流（毫安）

IC集电极电流（毫安）

图7中的存储时间

图8下降时间

典型的音频小信号特性的噪声系数变异

（ VCE = 5.0伏， TA = 25℃ ，带宽= 1.0Hz ）

12

10

8

6

4

2

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

20

40

100

F频率（KHZ ）

SOURCE RESISTANCE=500½

IC=100A

源电阻= 200

W

IC = 1.0毫安

NF噪声系数（dB ）

源电阻= 200

W

IC = 0.5毫安

源电阻= 1.0K

IC=50uA

14

F = 1.0kHz

12

10

8

6

4

2

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

20

40

100

IC = 100微安

IC=1.0mA

IC=0.5mA

IC = 50 μA

NF噪声系数（dB ）

RS SOURSE阻抗（欧姆）

FIG.9

FIG.10

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

MMBT3904

（ NPN ）

h参数值

（ VCE = 10 VDC ， M F = 1.0千赫， TA = 25℃）

300

100

锄输出导纳（ μ姆欧）

50

的hFE电流增益

200

20

100

70

50

10

5

2

1

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

30

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

IC集电极电流（毫安）

IC集电极电流（毫安）

图11电流增益

HFE电压反馈RADIO （X 10

-4

)

20

10

7.0

5.0

3.0

2.0

图12是输出导纳

HFE输入阻抗（千欧）

10

5.0

2.0

1.0

1.0

0.7

0.5

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

0.5

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

IC集电极电流（毫安）

IC集电极电流（毫安）

图13是输入阻抗

图14是电压反馈收音机

典型静态特性

的hFE DC电流增益（标准化）

2.0

TJ = + 125 C

1.0

0.7

VCE=1.0V

+25 C

-55 C

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

20

30

50

70

100

200

IC集电极电流（毫安）

图15直流电流增益

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

乐山无线电公司， LTD 。

通用晶体管

NPN硅

3

集热器

MMBT3904LT1

3

1

BASE

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

V

V

V

首席执行官

CBO

EBO

2

辐射源

1

2

价值

40

60

6.0

200

单位

VDC

VDC

VDC

MADC

CASE 318-08 ，风格6

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

I

C

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板， （2）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

P

D

R

θJA

T

J

, T

英镑

器件标识

MMBT3904LT1 = 1AM

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明。 ）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 10

μAdc ，

I

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 10

μAdc ，

I

C

= 0)

基地截止电流

( V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏， ）

收藏家Cuto FF电流

( V

CE

= 30V直流，我

EB

= 3.0VDC ）

1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

3.脉冲测试：脉冲宽度<300

s,

占空比<2.0 ％ 。

I

BL

I

CEX

—

—

50

50

NADC

NADC

V

（ BR ） EBO

6.0

—

VDC

V

（ BR ） CBO

60

—

VDC

V

（ BR ） CEO

40

—

VDC

O11–1/6

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT3904LT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明） （续）

特征

符号

h

FE

40

70

100

60

30

V

CE （ SAT ）

––

––

V

BE （ SAT ）

0.65

––

0.85

0.95

0.2

0.3

VDC

––

––

300

––

––

VDC

民

最大

单位

––

基本特征（ 3 ）

DC电流增益（1）

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 50mAdc ，V

CE

= 1.0VDC ）

(I

C

= 100mAdc ，V

CE

= 1.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）（3）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0mAdc ）

基射极饱和电压（ 3 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0mAdc ）

(I

C

= 50mAdc ，我

B

= 5.0mAdc ）

小信号特性

电流增益 - 带宽积

(I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 20VDC ， F = 100MHz时）

输出电容

(V

CB

= 5.0VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5VDC ，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入Impedancen

(V

CE

= 10Vdc的，我

C

= 1.0mAdc ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数

(V

CE

= 5.0伏，我

C

= 100μAdc ，R

S

= 1.0 k

,

F = 1.0千赫）

f

T

C

敖包

C

IBO

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

NF

300

––

––

1.0

0.5

100

1.0

—

––

4.0

8.0

10

8.0

400

40

5.0

兆赫

pF

pF

pF

X10

–4

—

μmhos

dB

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 3.0伏，V

BE

= -0.5Vdc

I

C

= 10 MADC ，我

B1

= 1.0mAdc ）

(V

CC

= 3.0VDC ，

I

C

= 10 MADC ，我

B1

= I

B2

= 10 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

—

—

—

—

35

35

200

50

ns

ns

3.脉冲测试：脉冲宽度<300

s,

占空比<2.0 ％ 。

O11–2/6

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT3904LT1

+3 V

占空比= 2 ％

300纳秒

+10.9 V

10 k

275

10 <吨

1

＆ LT ; 500

s

占空比= 2 ％

+3 V

t

1

+10.9 V

275

10 k

0

–0.5 V

＆ LT ; 1纳秒

–9.1

*测试夹具和连接器共有并联电容

＆ LT ; 1纳秒

C

S

< 4 PF *

1N916

C

S

< 4 PF *

图1.延迟和上升时间

等效测试电路

图2.存储和下降时间

等效测试电路

典型的瞬态特性

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

10

7.0

5.0

5000

3000

2000

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

电容（pF）

Q， CHARGE （ PC）

1000

700

500

C

IBO

3.0

2.0

Q

T

300

200

100

70

50

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

C

敖包

Q

A

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 40

反向偏置电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.电容

图4.收费数据

O11–3/6

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT3904LT1

500

300

200

100

70

50

500

I

C

/I

B

= 10

300

200

100

70

50

30

20

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

t

r

@ V

CC

= 3.0 V

30

20

40 V

15 V

10

7

5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

t

r

，上升时间（ NS ）

时间（纳秒）

t

d

@ V

OB

= 0 V

20

30

2.0 V

50 70 100

200

10

7

5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

500

300

200

500

图6.上升时间

t ’

s

= t

s

–1 /8 t

f

I

C

/I

B

=20

I

C

/I

B

=10

I

B1

= I

B2

300

200

V

CC

= 40 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 20

t ’

s

，存储时间（纳秒）

50

30

20

I

C

/I

B

=20

I

C

/I

B

=10

t

f

，下降时间（ NS ）

100

70

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

10

7

5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

10

7

5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50

70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

典型的音频小信号特性

噪声系数变异

(V

CE

= 5.0伏，T

A

= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）

12

14

源电阻= 200Ω

10

F = 1.0千赫

12

I

C

= 1.0毫安

I

C

= 1.0毫安

源电阻= 200Ω

I

C

- 0.5毫安

NF ，噪声系数（dB ）

8

NF ，噪声系数（dB ）

10

8

I

C

- 0.5毫安

I

C

= 50

A

I

C

= 100

A

6

源电阻= 1.0K

I

C

= 50A

6

4

2

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

20

40

100

4

2

源电阻= 500Ω

I

C

= 100

A

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

20

40

100

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻值（kΩ ）

图9 。

网络连接gure 10 。

O11–4/6

乐山无线电公司， LTD 。

MMBT3904LT1

h参数值

(V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C)

300

100

h

oe

，输出导纳（姆欧）

50

200

20

h

fe

，目前

100

70

50

10

5

2

1

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

30

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

I

C

，集电极电流（毫安）

h

re

电压反馈RATIO （ ×10

–4

)

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

20

图12.输出导纳

10

7.0

5.0

3.0

2.0

h

ie

，输入阻抗（ kΩ的）

10

5.0

2.0

1.0

0.5

1.0

0.7

0.5

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.输入阻抗

图14.电压反馈比例

典型静态特性

h

FE

，直流电流增益（标准化）

2.0

T

J

= +125°C

1.0

0.7

0.5

V

CE

= 1.0 V

+25°C

–55°C

0.3

0.2

0.1

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

20

30

50

70

100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

图15.直流电流增益

O11–5/6