E2G1049-18-33
半导体
MSM56V16160D/DH
半导体
这
MSM56V16160D/DH
版本： 1998年3月
e
Pr
LIM
y
ar
in
2-Bank
524,288-Word
16位同步动态RAM
描述
该MSM56V16160D / DH有2银行
524,288-word
16位同步动态RAM ，
制作Oki的CMOS硅栅工艺技术。该器件工作在3.3伏。
输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
硅栅，四联多晶硅CMOS ， 1晶体管存储单元
2-bank
524,288-word
16位配置
3.3 V电源供电，
±0.3
V宽容
输入
： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容
刷新： 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
–
CAS
等待时间（ 1，2， 3）
–
CAS
延迟（ 2,3） *
1
- 突发长度（ 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，整版）
- 突发长度（1， 2，4， 8） *
1
- 数据加扰（连续，交错）
*
1
：只有H版。
CBR自动刷新，自刷新功能
??包装：
50引脚400密耳的塑料TSOP （ II型） （ TSOPII50 -P - 400-0.80 -K ）
（产品： MSM56V16160D / DH- xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM56V16160D-10
MSM56V16160D-12
MSM56V16160DH-15
马克斯。
频率
100兆赫
83兆赫
66兆赫
访问时间（最大值）。
t
AC2
9 NS
14纳秒
9 NS
t
AC3
9 NS
10纳秒
9 NS
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半导体
MSM56V16160D/DH
引脚说明
CLK
CS
CKE
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
UDQM和LDQM 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
地址
行&列复用。
行地址： RA0 - RA10
列地址： CA0 - CA7
A11
RAS
CAS
WE
UDQM ，
LDQM
掩模的两个时钟后，当UDQM和LDQM设置"H"在"H"边缘的时钟信号的读出的数据。
掩模相同的时钟的时UDQM和LDQM设置"H"在"H"边缘的时钟信号的写入数据。
UDQM控制高字节和LDQM控制低字节。
DQI
数据输入/输出复用相同的引脚。
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和读/
在列地址锁存器的时间写。 A11 = "L" ： A银行， A11 = "H" ： B银行
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半导体
MSM56V16160D/DH
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
V
CC
电源电压
储存温度
功耗
短路电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CC
Q
T
英镑
P
D
*
I
OS
T
OPR
等级
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到4.6
-55到150
600
50
0到70
（电压参考V
SS
)
单位
V
V
°C
mW
mA
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
—
—
（电压参考V
SS
= 0 V)
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.2
0.8
单位
V
V
V
电容
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ A0 - A11 ）
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ，
RAS ， CAS，WE ，
UDQM ， LDQM ）
输入/输出电容
（ DQ1 - DQ16 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
分钟。
2
2
2
马克斯。
5
5
7
单位
pF
pF
pF
5/30
QQ：2880707522 复制
