ML3406
引脚配置
引脚功能
运行（引脚1 ） ：
运行控制输入。强制该引脚高于1.5V使
的一部分。强制该引脚低于0.3V关断器件。在
关机，所有的功能都被禁用绘图<1μA供应
电流。不要离开RUN浮动。
GND （引脚2 ） ：
接地引脚。
SW （引脚3 ） ：
开关节点连接到电感。该引脚连接到
内部的主同步电源的漏极
标记规则
描述
符号
7
1
B
5
8
MOSFET开关。
1
2
3
4
产品名称： DC- DC降压
产品系列： 01 ： ML3406
项
VOUT = FB
Vout=1.5V
Vout=1.8V
VIN（引脚4 ） ：
主电源引脚。必须紧密耦至GND ， 2脚，
用2.2μF或更大的陶瓷电容。
V
FB
（引脚5 ） （ ML3406 - FB ） ：
反馈引脚。接收从反馈电压
在输出外部电阻分压器。
VOUT（ 5脚） （ ML3406-1.5V ， 1.8V ）
输出电压反馈引脚。一个内部电阻分压器
将所述输出电压降低为相比于
内部参考电压
2 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
绝对最大额定值
(T
a
=25
o
C， VIN = 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入电源电压
RUN ，V
FB
电压
SW电压
P沟道开关源极电流（ DC ）
N沟道开关灌电流（ DC ）
峰值SW接收器和电流源
工作温度范围
结温（注3 ）
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
符号
VIN
V
FB
, V
RUN
V
SW
I
SW -P
I
SW -N
I
SWmax
Ta
Tj
TSTG
T
L
最大额定值
-0.3V至6V
-0.3V至VIN
-0.3V至（ VIN + 0.3V ）
800mA
800mA
1.3A
0°至70℃
C
125°
C
在-65°至150°
C
C
300°
C
单位
V
V
V
mA
mA
A
°C
°C
°C
°C
电气特性
(T
a
=25
o
C， VIN = 3.6V ，除非另有说明）
参数
反馈电流
监管的反馈电压
符号
I
VFB
V
FB
条件
T
A
=25°
C
0° T
A
≤85°
C
C
-40°C≤T
A
≤85°
C
V
IN
= 2.5V至5.5V （注4 ）
ML3406-1.5 ， IOUT = 100毫安
ML3406-1.8 ， IOUT = 100毫安
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
=3V, V
FB
= 0.5V或V
OUT
=90%,
值班Cycle<35 ％
588.0
586.5
585.0
1.455
1.746
0.75
600
600
600
0.04
1.500
1.800
0.04
1
0.5
V
FB
-0.5或V
OUT
=90%, I
负载
=0A
V
FB
= 0.62V或V
OUT
=103%, I
负载
=0A
V
RUN
=0V, V
IN
=4.2V
V
FB
= 0.6V或V
OUT
=100%
V
FB
= 0V或V
OUT
=0V
I
SW
=100mA
I
SW
=-100mA
V
RUN
=0V, V
SW
= 0V或5V ，V
IN
=5V
0.3
2.5
300
20
0.1
1.5
210
0.4
0.35
±0.01
1
±0.01
5.5
400
35
1
1.8
0.5
0.45
±1
1.5
±1
民
典型值。
最大
±30
612.0
613.5
615.0
0.4
1.545
1.854
0.4
1.25
单位
nA
mV
mV
mV
%/V
V
V
%/V
A
%
V
A
A
A
兆赫
千赫
A
V
A
参考电压线路调整
稳压输出电压
输出电压线路调整
峰值电感电流
输出电压负载调整
输入电压范围
输入直流
主动模式
偏置电流
睡眠模式
关闭
振荡器频率
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
SW泄漏
RUN门槛
RUN漏电流
V
FB
V
OUT
V
OUT
I
PK
V
LOADREG
V
IN
I
S
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
LSW
V
RUN
I
RUN
1.2
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值
超出该装置的寿命可能受到损害。
注2 ：
的ML3406是保证符合性能
从0°到70°以上规格的规格
C
C.
-40°至85°的工作温度范围可以放心
C
C
通过设计，表征和相关的统计
过程控制。
* ：适用
在整个工作温度范围内。
注3 ：
环境温度为钽+ （PD） （250°
C / W ）
注4 ：
的ML3406是在专用的测试模式测试
连接VFB至误差放大器的输出端。
注5 ：
动态电源电流较高，由于栅
电荷传递在开关频率。
3 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
操作
主控制回路
所述ML3406采用恒定频率，电流模式
降压架构。两个主（ P沟道
MOSFET）和同步（ N沟道MOSFET ）
开关内部。在正常操作期间，内部
顶部电源MOSFET导通每个周期时，
振荡器设定RS锁存器，并关闭时电流
比较，我
COMP
，复位RS锁存器。峰值电感
目前在我
COMP
将复位RS锁存器，由控制
误差放大器EA的输出。当负载电流
的增加，它会导致在反馈略有下降
电压，FB相对于0.6V基准，这反过来，
使EA扩增fi er的输出电压增加，直到
平均电感电流相匹配的新的负载电流。
而高端MOSFET关闭时，底部MOSFET导通
上，直到电感电流开始反向，如
由电流比较器反向指示我
加拿大皇家骑警
或
开始下一个时钟周期的。
突发模式工作
该ML3406能够突发模式工作在其中
内部功率MOSFET进行操作间歇性的基础
在负载需求。
在突发模式操作，电感的峰值电流
设定为约200毫安无论输出负载的。
每一个突发事件可以从几个周期持续在轻负载
几乎连续短睡眠间隔循环
中等载荷。在这些突发事件之间，功率
MOSFET和任何不需要的电路被关断，
降低到20μA的静态电流。在此睡眠状态下，
负载电流正在从输出供给仅
电容。当输出电压下垂，在EA放大器
输出高于睡眠阈值的信号
BURST比较器跳闸，打开顶部MOSFET。
这个过程反复进行，其速率取决于
负载需求。
短路保护
时的输出被短路到地，的频率
振荡器被减少至约210kHz ， 1/7标称
频率。该频率折返确保
电感电流有更多的时间来衰减，从而防止
暴走。振荡器的频率将逐渐
增加至1.5MHz当V
FB
或V
OUT
高于0V 。
斜率补偿和电感峰值
当前
斜坡补偿提供了长期稳定
频率架构，防止次谐波
振荡在高占空比。它在内部完成
通过添加一个斜坡补偿的电感电流
信号在超过40％的占空比。通常，这
结果为减少最大电感峰值电流
的占空比> 40％。然而， ML3406采用了专利 -
待处理方案，它抵消这种斜坡补偿，
它允许的最大电感峰值电流保持
不受影响的在所有的占空比。
差操作
作为输入电源电压下降到一个值
接近输出电压时，占空比增加
向着导通时间的最大值。进一步降低的
电源电压迫使主开关保持开启更多
超过一个周期，直到达到100 ％的占空比。输出
电压会由输入电压减去来确定
横跨P沟道MOSFET和电压降
电感器。
记住一个重要的细节是，在低输入电压
电压时，R
DS （ ON）
的P沟道开关增加。
因此，用户应计算的功率耗散
当ML3406是用在100％占空比的低输入
电压。
低电源供电
该ML3406将与输入电源电压低至操作
为2.5V，但允许的最大输出电流是
减少了在这个低电压。图4示出了减少
在最大输出电流作为输入的函数
电压为各种输出电压。
图4
基本ML3406应用电路示于外部
元件的选择是由负载需求的驱动和
开始的L ，接着为C的选择
IN
和C
OUT
.
5 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
引脚配置
引脚功能
运行（引脚1 ） ：
运行控制输入。强制该引脚高于1.5V使
的一部分。强制该引脚低于0.3V关断器件。在
关机，所有的功能都被禁用绘图<1μA供应
电流。不要离开RUN浮动。
GND （引脚2 ） ：
接地引脚。
SW （引脚3 ） ：
开关节点连接到电感。该引脚连接到
内部的主同步电源的漏极
标记规则
描述
符号
7
1
B
5
8
MOSFET开关。
1
2
3
4
产品名称： DC- DC降压
产品系列： 01 ： ML3406
项
VOUT = FB
Vout=1.5V
Vout=1.8V
VIN（引脚4 ） ：
主电源引脚。必须紧密耦至GND ， 2脚，
用2.2μF或更大的陶瓷电容。
V
FB
（引脚5 ） （ ML3406 - FB ） ：
反馈引脚。接收从反馈电压
在输出外部电阻分压器。
VOUT（ 5脚） （ ML3406-1.5V ， 1.8V ）
输出电压反馈引脚。一个内部电阻分压器
将所述输出电压降低为相比于
内部参考电压
2 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
绝对最大额定值
(T
a
=25
o
C， VIN = 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入电源电压
RUN ，V
FB
电压
SW电压
P沟道开关源极电流（ DC ）
N沟道开关灌电流（ DC ）
峰值SW接收器和电流源
工作温度范围
结温（注3 ）
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
符号
VIN
V
FB
, V
RUN
V
SW
I
SW -P
I
SW -N
I
SWmax
Ta
Tj
TSTG
T
L
最大额定值
-0.3V至6V
-0.3V至VIN
-0.3V至（ VIN + 0.3V ）
800mA
800mA
1.3A
0°至70℃
C
125°
C
在-65°至150°
C
C
300°
C
单位
V
V
V
mA
mA
A
°C
°C
°C
°C
电气特性
(T
a
=25
o
C， VIN = 3.6V ，除非另有说明）
参数
反馈电流
监管的反馈电压
符号
I
VFB
V
FB
条件
T
A
=25°
C
0° T
A
≤85°
C
C
-40°C≤T
A
≤85°
C
V
IN
= 2.5V至5.5V （注4 ）
ML3406-1.5 ， IOUT = 100毫安
ML3406-1.8 ， IOUT = 100毫安
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
=3V, V
FB
= 0.5V或V
OUT
=90%,
值班Cycle<35 ％
588.0
586.5
585.0
1.455
1.746
0.75
600
600
600
0.04
1.500
1.800
0.04
1
0.5
V
FB
-0.5或V
OUT
=90%, I
负载
=0A
V
FB
= 0.62V或V
OUT
=103%, I
负载
=0A
V
RUN
=0V, V
IN
=4.2V
V
FB
= 0.6V或V
OUT
=100%
V
FB
= 0V或V
OUT
=0V
I
SW
=100mA
I
SW
=-100mA
V
RUN
=0V, V
SW
= 0V或5V ，V
IN
=5V
0.3
2.5
300
20
0.1
1.5
210
0.4
0.35
±0.01
1
±0.01
5.5
400
35
1
1.8
0.5
0.45
±1
1.5
±1
民
典型值。
最大
±30
612.0
613.5
615.0
0.4
1.545
1.854
0.4
1.25
单位
nA
mV
mV
mV
%/V
V
V
%/V
A
%
V
A
A
A
兆赫
千赫
A
V
A
参考电压线路调整
稳压输出电压
输出电压线路调整
峰值电感电流
输出电压负载调整
输入电压范围
输入直流
主动模式
偏置电流
睡眠模式
关闭
振荡器频率
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
SW泄漏
RUN门槛
RUN漏电流
V
FB
V
OUT
V
OUT
I
PK
V
LOADREG
V
IN
I
S
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
LSW
V
RUN
I
RUN
1.2
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值
超出该装置的寿命可能受到损害。
注2 ：
的ML3406是保证符合性能
从0°到70°以上规格的规格
C
C.
-40°至85°的工作温度范围可以放心
C
C
通过设计，表征和相关的统计
过程控制。
* ：适用
在整个工作温度范围内。
注3 ：
环境温度为钽+ （PD） （250°
C / W ）
注4 ：
的ML3406是在专用的测试模式测试
连接VFB至误差放大器的输出端。
注5 ：
动态电源电流较高，由于栅
电荷传递在开关频率。
3 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
操作
主控制回路
所述ML3406采用恒定频率，电流模式
降压架构。两个主（ P沟道
MOSFET）和同步（ N沟道MOSFET ）
开关内部。在正常操作期间，内部
顶部电源MOSFET导通每个周期时，
振荡器设定RS锁存器，并关闭时电流
比较，我
COMP
，复位RS锁存器。峰值电感
目前在我
COMP
将复位RS锁存器，由控制
误差放大器EA的输出。当负载电流
的增加，它会导致在反馈略有下降
电压，FB相对于0.6V基准，这反过来，
使EA扩增fi er的输出电压增加，直到
平均电感电流相匹配的新的负载电流。
而高端MOSFET关闭时，底部MOSFET导通
上，直到电感电流开始反向，如
由电流比较器反向指示我
加拿大皇家骑警
或
开始下一个时钟周期的。
突发模式工作
该ML3406能够突发模式工作在其中
内部功率MOSFET进行操作间歇性的基础
在负载需求。
在突发模式操作，电感的峰值电流
设定为约200毫安无论输出负载的。
每一个突发事件可以从几个周期持续在轻负载
几乎连续短睡眠间隔循环
中等载荷。在这些突发事件之间，功率
MOSFET和任何不需要的电路被关断，
降低到20μA的静态电流。在此睡眠状态下，
负载电流正在从输出供给仅
电容。当输出电压下垂，在EA放大器
输出高于睡眠阈值的信号
BURST比较器跳闸，打开顶部MOSFET。
这个过程反复进行，其速率取决于
负载需求。
短路保护
时的输出被短路到地，的频率
振荡器被减少至约210kHz ， 1/7标称
频率。该频率折返确保
电感电流有更多的时间来衰减，从而防止
暴走。振荡器的频率将逐渐
增加至1.5MHz当V
FB
或V
OUT
高于0V 。
斜率补偿和电感峰值
当前
斜坡补偿提供了长期稳定
频率架构，防止次谐波
振荡在高占空比。它在内部完成
通过添加一个斜坡补偿的电感电流
信号在超过40％的占空比。通常，这
结果为减少最大电感峰值电流
的占空比> 40％。然而， ML3406采用了专利 -
待处理方案，它抵消这种斜坡补偿，
它允许的最大电感峰值电流保持
不受影响的在所有的占空比。
差操作
作为输入电源电压下降到一个值
接近输出电压时，占空比增加
向着导通时间的最大值。进一步降低的
电源电压迫使主开关保持开启更多
超过一个周期，直到达到100 ％的占空比。输出
电压会由输入电压减去来确定
横跨P沟道MOSFET和电压降
电感器。
记住一个重要的细节是，在低输入电压
电压时，R
DS （ ON）
的P沟道开关增加。
因此，用户应计算的功率耗散
当ML3406是用在100％占空比的低输入
电压。
低电源供电
该ML3406将与输入电源电压低至操作
为2.5V，但允许的最大输出电流是
减少了在这个低电压。图4示出了减少
在最大输出电流作为输入的函数
电压为各种输出电压。
图4
基本ML3406应用电路示于外部
元件的选择是由负载需求的驱动和
开始的L ，接着为C的选择
IN
和C
OUT
.
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修订版E， 2005年9月
ML3406
引脚配置
引脚功能
运行（引脚1 ） ：
运行控制输入。强制该引脚高于1.5V使
的一部分。强制该引脚低于0.3V关断器件。在
关机，所有的功能都被禁用绘图<1μA供应
电流。不要离开RUN浮动。
GND （引脚2 ） ：
接地引脚。
SW （引脚3 ） ：
开关节点连接到电感。该引脚连接到
内部的主同步电源的漏极
标记规则
描述
符号
7
1
B
5
8
MOSFET开关。
1
2
3
4
产品名称： DC- DC降压
产品系列： 01 ： ML3406
项
VOUT = FB
Vout=1.5V
Vout=1.8V
VIN（引脚4 ） ：
主电源引脚。必须紧密耦至GND ， 2脚，
用2.2μF或更大的陶瓷电容。
V
FB
（引脚5 ） （ ML3406 - FB ） ：
反馈引脚。接收从反馈电压
在输出外部电阻分压器。
VOUT（ 5脚） （ ML3406-1.5V ， 1.8V ）
输出电压反馈引脚。一个内部电阻分压器
将所述输出电压降低为相比于
内部参考电压
2 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
绝对最大额定值
(T
a
=25
o
C， VIN = 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入电源电压
RUN ，V
FB
电压
SW电压
P沟道开关源极电流（ DC ）
N沟道开关灌电流（ DC ）
峰值SW接收器和电流源
工作温度范围
结温（注3 ）
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
符号
VIN
V
FB
, V
RUN
V
SW
I
SW -P
I
SW -N
I
SWmax
Ta
Tj
TSTG
T
L
最大额定值
-0.3V至6V
-0.3V至VIN
-0.3V至（ VIN + 0.3V ）
800mA
800mA
1.3A
0°至70℃
C
125°
C
在-65°至150°
C
C
300°
C
单位
V
V
V
mA
mA
A
°C
°C
°C
°C
电气特性
(T
a
=25
o
C， VIN = 3.6V ，除非另有说明）
参数
反馈电流
监管的反馈电压
符号
I
VFB
V
FB
条件
T
A
=25°
C
0° T
A
≤85°
C
C
-40°C≤T
A
≤85°
C
V
IN
= 2.5V至5.5V （注4 ）
ML3406-1.5 ， IOUT = 100毫安
ML3406-1.8 ， IOUT = 100毫安
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
=3V, V
FB
= 0.5V或V
OUT
=90%,
值班Cycle<35 ％
588.0
586.5
585.0
1.455
1.746
0.75
600
600
600
0.04
1.500
1.800
0.04
1
0.5
V
FB
-0.5或V
OUT
=90%, I
负载
=0A
V
FB
= 0.62V或V
OUT
=103%, I
负载
=0A
V
RUN
=0V, V
IN
=4.2V
V
FB
= 0.6V或V
OUT
=100%
V
FB
= 0V或V
OUT
=0V
I
SW
=100mA
I
SW
=-100mA
V
RUN
=0V, V
SW
= 0V或5V ，V
IN
=5V
0.3
2.5
300
20
0.1
1.5
210
0.4
0.35
±0.01
1
±0.01
5.5
400
35
1
1.8
0.5
0.45
±1
1.5
±1
民
典型值。
最大
±30
612.0
613.5
615.0
0.4
1.545
1.854
0.4
1.25
单位
nA
mV
mV
mV
%/V
V
V
%/V
A
%
V
A
A
A
兆赫
千赫
A
V
A
参考电压线路调整
稳压输出电压
输出电压线路调整
峰值电感电流
输出电压负载调整
输入电压范围
输入直流
主动模式
偏置电流
睡眠模式
关闭
振荡器频率
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
SW泄漏
RUN门槛
RUN漏电流
V
FB
V
OUT
V
OUT
I
PK
V
LOADREG
V
IN
I
S
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
LSW
V
RUN
I
RUN
1.2
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值
超出该装置的寿命可能受到损害。
注2 ：
的ML3406是保证符合性能
从0°到70°以上规格的规格
C
C.
-40°至85°的工作温度范围可以放心
C
C
通过设计，表征和相关的统计
过程控制。
* ：适用
在整个工作温度范围内。
注3 ：
环境温度为钽+ （PD） （250°
C / W ）
注4 ：
的ML3406是在专用的测试模式测试
连接VFB至误差放大器的输出端。
注5 ：
动态电源电流较高，由于栅
电荷传递在开关频率。
3 / 12
修订版E， 2005年9月
ML3406
操作
主控制回路
所述ML3406采用恒定频率，电流模式
降压架构。两个主（ P沟道
MOSFET）和同步（ N沟道MOSFET ）
开关内部。在正常操作期间，内部
顶部电源MOSFET导通每个周期时，
振荡器设定RS锁存器，并关闭时电流
比较，我
COMP
，复位RS锁存器。峰值电感
目前在我
COMP
将复位RS锁存器，由控制
误差放大器EA的输出。当负载电流
的增加，它会导致在反馈略有下降
电压，FB相对于0.6V基准，这反过来，
使EA扩增fi er的输出电压增加，直到
平均电感电流相匹配的新的负载电流。
而高端MOSFET关闭时，底部MOSFET导通
上，直到电感电流开始反向，如
由电流比较器反向指示我
加拿大皇家骑警
或
开始下一个时钟周期的。
突发模式工作
该ML3406能够突发模式工作在其中
内部功率MOSFET进行操作间歇性的基础
在负载需求。
在突发模式操作，电感的峰值电流
设定为约200毫安无论输出负载的。
每一个突发事件可以从几个周期持续在轻负载
几乎连续短睡眠间隔循环
中等载荷。在这些突发事件之间，功率
MOSFET和任何不需要的电路被关断，
降低到20μA的静态电流。在此睡眠状态下，
负载电流正在从输出供给仅
电容。当输出电压下垂，在EA放大器
输出高于睡眠阈值的信号
BURST比较器跳闸，打开顶部MOSFET。
这个过程反复进行，其速率取决于
负载需求。
短路保护
时的输出被短路到地，的频率
振荡器被减少至约210kHz ， 1/7标称
频率。该频率折返确保
电感电流有更多的时间来衰减，从而防止
暴走。振荡器的频率将逐渐
增加至1.5MHz当V
FB
或V
OUT
高于0V 。
斜率补偿和电感峰值
当前
斜坡补偿提供了长期稳定
频率架构，防止次谐波
振荡在高占空比。它在内部完成
通过添加一个斜坡补偿的电感电流
信号在超过40％的占空比。通常，这
结果为减少最大电感峰值电流
的占空比> 40％。然而， ML3406采用了专利 -
待处理方案，它抵消这种斜坡补偿，
它允许的最大电感峰值电流保持
不受影响的在所有的占空比。
差操作
作为输入电源电压下降到一个值
接近输出电压时，占空比增加
向着导通时间的最大值。进一步降低的
电源电压迫使主开关保持开启更多
超过一个周期，直到达到100 ％的占空比。输出
电压会由输入电压减去来确定
横跨P沟道MOSFET和电压降
电感器。
记住一个重要的细节是，在低输入电压
电压时，R
DS （ ON）
的P沟道开关增加。
因此，用户应计算的功率耗散
当ML3406是用在100％占空比的低输入
电压。
低电源供电
该ML3406将与输入电源电压低至操作
为2.5V，但允许的最大输出电流是
减少了在这个低电压。图4示出了减少
在最大输出电流作为输入的函数
电压为各种输出电压。
图4
基本ML3406应用电路示于外部
元件的选择是由负载需求的驱动和
开始的L ，接着为C的选择
IN
和C
OUT
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修订版E， 2005年9月
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