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E2L0025-17-Y1
半导体
MSM54V16273
半导体
262,144-Word
16位多端口DRAM
这个版本: 1998年1月
MSM54V16273
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM54V16273是4兆位的CMOS多端口DRAM由16位组成的262,144字的
动态RAM ,以及512字×16位的SAM 。它的RAM和SAM独立运作,
异步。
它支持三种类型的操作:随机存取的RAM端口,高速串行访问
SAM端口和数据的任何选择的行之间在RAM端口双向传送和
SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作模式中, MSM54V16273
功能块写入,闪存写入功能,扩展页模式内存端口,一个分裂的数据
传送能力,并在SAM端口上的可编程停止。 SAM端口无需刷新
操作,因为它采用静态CMOS触发器。
特点
单电源: 3.3 V
±0.3
V
RAS
只刷新
完全兼容TTL
CAS
RAS
刷新
多端口企业
CAS
RAS
自刷新
RAM : 256K字
16位
隐藏刷新
SAM : 512字
16位
串行读/写
扩展页模式
512抽头位置
每位写
可编程停止
每比特持续写入
双向数据传输
字节的读/写
分割转让
屏蔽的flash写
蒙面写传输
蒙面块写( 8列)
刷新: 512次/ 8毫秒
封装选项:
64引脚525密耳的塑料SSOP
( SSOP64 -P- 525-0.80 -K)个(产品: MSM54V16273 - xxGS -K)个
六十四分之七十〇针400密耳的塑料TSOP (II型)( TSOPII70 / 64 -P- 400-0.65 -K)个(产品: MSM54V16273 - xxTS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54V16273-60
MSM54V16273-70
存取时间
内存
60纳秒
70纳秒
SAM
18纳秒
20纳秒
周期
内存
120纳秒
140纳秒
SAM
22纳秒
22纳秒
功耗
操作
160毫安
150毫安
待机
8毫安
8毫安
1/42
 
半导体
MSM54V16273
引脚配置(顶视图)
V
CC
TRG
V
SS
SDQ0
DQ0
SDQ1
DQ1
V
CC
SDQ2
DQ2
SDQ3
DQ3
V
SS
SDQ4
DQ4
SDQ5
DQ5
V
CC
SDQ6
DQ6
SDQ7
DQ7
V
SS
CASL
WE
RAS
A8
A7
A6
A5
A4
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
SC
SE
V
SS
SDQ15
DQ15
SDQ14
DQ14
V
CC
SDQ13
DQ13
SDQ12
DQ12
V
SS
SDQ11
DQ11
SDQ10
DQ10
V
CC
SDQ9
DQ9
SDQ8
DQ8
V
SS
DSF
NC
CASU
QSF
A0
A1
A2
A3
V
SS
V
CC
TRG
V
SS
SDQ0
DQ0
SDQ1
DQ1
V
CC
SDQ2
DQ2
SDQ3
DQ3
V
SS
SDQ4
DQ4
SDQ5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
SC
SE
V
SS
SDQ15
DQ15
SDQ14
DQ14
V
CC
SDQ13
DQ13
SDQ12
DQ12
V
SS
SDQ11
DQ11
SDQ10
DQ5
V
CC
SDQ6
DQ6
SDQ7
DQ7
V
SS
CASL
WE
RAS
A8
A7
A6
A5
A4
V
CC
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
DQ10
V
CC
SDQ9
DQ9
SDQ8
DQ8
V
SS
DSF
NC
CASU
QSF
A0
A1
A2
A3
V
SS
64引脚塑封SSOP
六十四分之七十〇引脚塑料TSOP ( II )
(K型)
引脚名称
A0 - A8
DQ0 - DQ15
SDQ0 - SDQ15
RAS
CASL
CASU
WE
TRG
功能
地址输入
RAM输入/输出
SAM输入/输出
行地址选通
列地址选通下
列地址选通上
写使能
转让/输出使能
引脚名称
SC
SE
DSF
QSF
V
CC
V
SS
NC
功能
串行时钟
SAM端口启用
特殊功能输入
特殊功能输出
电源( 3.3 V )
接地( 0 V )
无连接
注意:
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
2/42
框图
半导体
COLUMN
地址
卜FF器
列解码器
块写
控制
I / O控制
列面膜
注册
套色
屏蔽寄存器
RAM输入
卜FF器
DQ 0 - 15
RAM输出
卜FF器
感测放大器。
行解码器
ROW
地址
卜FF器
512
512
16
RAM阵列
Flash写
控制
SAM输入
A0 - A8
刷新
计数器
SAM
SAM
卜FF器
SDQ 0 - 15
SAM输出
卜FF器
定时
发电机
RAS
CASU
/
CASL
TRG
WE
DSF
SC
SE
串行解码器
SAM
地址
卜FF器
SAM地址
计数器
SE
SAM停止
控制
QSF
V
CC
V
SS
MSM54V16273
3/42
半导体
MSM54V16273
电气特性
绝对最大额定值
(注:1)
参数
输入输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
等级
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
(大= 0 ° C至70 ° C) (注2 )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
电容
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V , F = 1MHz时, TA = 25 ° C)
参数
输入电容
输入/输出电容
输出电容
符号
C
i
C
io
C
o
( QSF )
分钟。
马克斯。
6
7
7
单位
pF
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
直流特性1
参数
输出"H"电平电压
输出"L"电平电压
输入漏电流
符号
V
OH
V
OL
I
LI
条件
I
OH
= -2毫安
I
OL
= 2毫安
0
V
IN
V
CC
所有其它引脚不
被测= 0V
0
V
OUT
V
CC
输出禁用
分钟。
2.4
–10
马克斯。
0.4
10
mA
–10
10
单位
V
输出漏电流
I
LO
4/42
半导体
直流特性2
MSM54V16273
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
项(RAM)的
工作电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
待机电流
( RAS ,
CAS
= V
IH
)
RAS
只刷新当前
( RAS骑自行车,
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
分)
页面模式电流
( RAS = V
IL
,
CAS
骑自行车,T
PC
= t
PC
分)
CAS
RAS
刷新当前
( RAS骑自行车,
CAS
RAS ,
t
RC
= t
RC
分)
数据传输电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
闪存的写入电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
块写入电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
CAS
RAS
自刷新电流
( RAS ,
CAS
0.2 V)
SAM
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
符号
I
CC1
I
CC1
A
I
CC2
I
CC2
A
I
CC3
I
CC3
A
I
CC4
I
CC4
A
I
CC5
I
CC5
A
I
CC6
I
CC6
A
I
CC7
I
CC7
A
I
CC8
I
CC8
A
I
CC9
-60
马克斯。
120
160
8
55
120
160
120
160
100
140
110
150
110
150
110
150
1
-70
马克斯。
110
150
8
55
110
150
110
150
90
130
100
140
100
140
100
140
1
mA
3, 4
3, 4
17
3, 4
18
3, 4
3, 4
3, 4
17
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
单位注
3, 4
17
5/42
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSM54V16273
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MSM54V16273
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