【MMBFU310LT1首选设备JFET晶体管N沟道特点无铅包装是否可用http://onsemi.c】,IC型号MMBFU310LT1,MMBFU310LT1 PDF资料,MMBFU310LT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBFU310LT1

首选设备

JFET晶体管

N沟道

特点

无铅包装是否可用

http://onsemi.com

2 SOURCE

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

栅电流

符号

价值

单位

VDC

MADC

1 DRAIN

门

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

热特性

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

225

1.8

qJA

, T

英镑

556

-55到+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

CASE 318-08

10风格

标记图

6C M

=具体设备守则

=日期代码

= Pb-Free包装

订购信息

设备

MMBFU310LT1

MMBFU310LT1G

包

SOT23

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年4月 - 第3版

出版订单号：

MMBFU310LT1/D

MMBFU310LT1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

门源击穿电压 - （我

= 1.0

MADC ，

= 0)

1号门漏电流 - （V

= -15伏直流，V

= 0)

2号门漏电流 - （V

= -15伏直流，V

= 0, T

= 125°C)

门源截止电压 - （V

= 10 VDC ，我

= 1.0 NADC ）

基本特征

零栅极电压漏极电流 - （V

= 10 VDC ，V

= 0)

门源正向电压 - （我

= 10 MADC ，V

= 0)

小信号特性

正向转移导纳 - （V

= 10 VDC ，我

= 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳 - （V

= 10 VDC ，我

= 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输入电容 - （V

= -10伏直流，V

= 0伏， F = 1.0兆赫）

反向传输电容 - （V

= -10伏直流，V

= 0伏， F = 1.0兆赫）

国际空间站

RSS

250

5.0

2.5

毫姆欧

DSS

GS （ F）

1.0

MADC

VDC

（ BR ） GSS

G1SS

G2SS

GS （ OFF ）

2.5

150

6.0

VDC

NADC

VDC

符号

民

最大

单位

I D ，漏电流（毫安）

= 10 V

5.0

DSS

+25

°C

= 55°C

+25

°C

+150°C

+25

°C

+150°C

1.0

4.0

3.0

2.0

，栅源电压（伏）

DSS

，栅源截止电压（伏）

IDSS ，饱和漏极电流（毫安）

YFS ，正向跨导（毫姆欧）

+150°C

°C

+150°C

+25

°C

= 10 V

F = 1.0 MHz的

= 55°C

+25

°C

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

，栅源电压（伏）

图1.漏电流和转让

特点VS栅源电压

图2.正向跨导

VS栅源电压

http://onsemi.com

MMBFU310LT1

YFS ，正向跨导（

姆欧）

100 k

1.0 k

YOS ，输出导纳（

姆欧）

电容（pF）

7.0

4.0

120

R DS ，导通阻抗（欧姆）

10 k

100

1.0 k

GS （ OFF ）

= 2.3 V =

GS （ OFF ）

= 5.7 V =

1.0

100

0.01

1.0

0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100

，漏极电流（毫安）

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

，门源极电压（伏）

图3.共源输出导纳

与正向跨VS漏电流

图4.导通电阻和结

电容VS栅源电压

|, |S

= 10 V

= 10毫安

= 25°C

3.0

0.85 0.45

2.4

Y12 （毫姆欧）

0.79 0.39

1.8

0.73 0.33

= 10 V

= 10毫安

= 25°C

0.6

100

200

300

500

男，频率（MHz）

700

1000

0.55 0.15

100

0.61 0.21

200

300

500

男，频率（MHz）

|, |S

0.060 1.00

| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）

0.048 0.98

0.036 0.96

1.2

0.67 0.27

0.024 0.94

6.0

0.012 0.92

700 1000

0.90

图5.共栅参数y

幅度与频率

180° 50°

170°

40°

0° 87°

100

150°

20°

140°

10°

= 10 V

= 10毫安

= 25°C

700

120

84°

140

160

83°

180

200

82°

1000

85°

86°

图6.共栅的S参数

幅度与频率

120°

100°

80°

60°

100

40°

120

20°

100

= 10 V

= 10毫安

= 25°C

200

300

500

男，频率（MHz）

100

1000

160°

30°

130°

0°

100

200

300

500

男，频率（MHz）

700

图7.共栅参数y

相角与频率

图8. s参数相角

与频率

http://onsemi.com

MMBFU310LT1

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

CASE 318-08

AH发行

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新

标准318-08 。

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0350

0.0440

0.0150

0.0200

0.0701

0.0807

0.0005

0.0040

0.0034

0.0070

0.0140

0.0285

0.0350

0.0401

0.0830

0.1039

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.89

1.11

0.37

0.50

1.78

2.04

0.013

0.100

0.085

0.177

0.35

0.69

0.89

1.02

2.10

2.64

0.45

0.60

B·S

暗淡

风格10 ：

PIN 1.排放

2.源

3.门

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利

这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任

由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。

这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有

运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可

也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应

买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，

和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等

机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA

电话：

480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

orderlit@onsemi.com

N.美国技术支持：

免费电话800-282-9855

美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051

电话：

81357733850

安森美半导体网站：

http://onsemi.com

为了文学：

http://www.onsemi.com/litorder

有关更多信息，请联系您

当地销售代表。

http://onsemi.com

MMBFU310LT1/D

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MMBFU310LT1 / D

JFET晶体管

N沟道

2 SOURCE

门

MMBFU310LT1

摩托罗拉的首选设备

1 DRAIN

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

栅电流

符号

VDS

VGS

价值

单位

VDC

MADC

CASE 318 - 08 ， 10风格

SOT- 23 （ TO - 236AB ）

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局（ 1 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

TJ ， TSTG

556

- 55 + 150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

MMBFU310LT1 = 6C

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

栅源击穿电压（ IG = -1.0

μAdc ，

VDS = 0）的

1号门漏电流（ VGS = -15伏直流， VDS = 0 ）

门2漏电流（ VGS = -15伏， VDS = 0 ， TA = 125 ° C）

门源截止电压（ VDS = 10 VDC ， ID = 1.0 NADC ）

V（ BR ） GSS

IG1SS

IG2SS

VGS （关闭）

– 25

—

– 2.5

—

– 150

– 6.0

VDC

NADC

VDC

基本特征

零栅极电压漏极电流（ VDS = 10 VDC ， VGS = 0 ）

门源正向电压（ IG = 10 MADC ， VDS = 0 ）

IDSS

VGS （ F）

—

1.0

MADC

VDC

小信号特性

正向转移导纳

（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输入电容

（ VGS = -10伏直流， VDS = 0伏， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

（ VGS = -10伏直流， VDS = 0伏， F = 1.0兆赫）

1， FR- 5 = 1.0

| YFS |

| YOS |

西塞

CRSS

—

250

5.0

2.5

毫姆欧

μmhos

0.75

0.062英寸

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

MMBFU310LT1

来源

U310

1.0 k

VDD +

C1 = C2 = 0.8 - 10 pF的， JFD ＃ MVM010W 。

C3 = C4 = 8.35 pF的伊利＃ 539-002D 。

C5 = C6 = 5000 pF的伊利（ 2443-000 ）。

C7 = 1000 pF的，艾伦布拉德利＃ FA5C 。

RFC = 0.33

米勒＃ 9230-30 。

L1 =一个回合＃ 16铜， 1/4“内径（空芯）。

L2P =一匝＃ 16铜， 1/4“内径（空芯）。

L2S =一匝＃ 16铜， 1/4“内径（空芯）。

RFC

L2P

L2S

负载

图1. 450 MHz的共栅放大器测试电路

I D ，漏电流（毫安）

VDS = 10V

–5.0

IDSS

+ 25°C

TA = - 55°C

+150°C

+ 25°C

– 55°C

IDSS ，饱和漏极电流（毫安）

YFS ，正向跨导（毫姆欧）

+150°C

+ 25°C

– 55°C

+150°C

VDS = 10V

F = 1.0 MHz的

TA = - 55°C

+ 25°C

+150°C 10

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

–1.0

–4.0

–3.0

–2.0

ID - VGS ，栅源电压（伏）

IDSS - VGS ，栅源截止电压（伏）

VGS ，栅源电压（伏）

图2.漏电流和转让

特性与栅源电压

图3.正向跨导

与栅源电压

YFS ，正向跨导（

姆欧）

100 k

YFS

1.0 k

YOS ，输出导纳（

姆欧）

RDS

电容（pF）

7.0

120

R DS ，导通阻抗（欧姆）

YFS

10 k

100

CGS

4.0

1.0 k

YOS

VGS （OFF ） = - 2.3 V =

VGS （OFF ） = - 5.7 V =

CGD

1.0

100

0.01

1.0

0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100

ID ，漏极电流（毫安）

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

VGS ，门源极电压（伏）

图4.共源输出

准入和正向跨导

与漏极电流

图5.导通电阻和结

电容与栅源电压

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBFU310LT1

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

3.0

|S21|, |S11|

0.85 0.45

S22

2.4

Y12 （毫姆欧）

Y11

0.79 0.39

S21

1.8

0.73 0.33

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

S11

0.6

Y12

100

200

300

500

男，频率（MHz）

700

1000

0.55 0.15

100

0.61 0.21

S12

200

300

500

男，频率（MHz）

700 1000

0.90

0.012 0.92

0.036 0.96

0.048 0.98

|S12|, |S22|

0.060 1.00

| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）

Y21

Y22

1.2

0.67 0.27

0.024 0.94

6.0

图6.共栅参数y

幅度与频率

21,

180° 50°

170°

40°

12,

– 20°

87°

– 20°

– 40°

– 60°

– 80°

– 100°

150°

20°

140°

10°

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

700

– 120° 84°

– 140°

– 160° 83°

– 180°

– 200° 82°

1000

– 120°

– 100°

– 80°

85°

– 60°

86°

图7.共栅的S参数

幅度与频率

11,

– 20° 120°

21,

– 40° 100°

– 20°

160°

30°

80°

– 40°

60°

40°

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

200

300

500

男，频率（MHz）

– 60°

– 80°

130°

0°

100

200

300

500

男，频率（MHz）

20°

100

700

– 100°

1000

图8.共栅参数y

相角与频率

图9. s参数相角

与频率

8.0

7.0

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

5.0

GPG

4.0

3.0

2.0

1.0

4.0

6.0

8.0

10 12

14 16

ID ，漏极电流（毫安）

VDD = 20 V

F = 450 MHz的

≈

10兆赫

图1所示电路

PG ，功率增益（分贝）

NF ，噪声系数（dB ）

9.0

6.0

3.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

2.0

100

200 300

男，频率（MHz）

500 700 1000

GPG

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

图1所示电路

6.0

PG ，功率增益（分贝）

图10.噪声系数和

功率增益与漏电流

图11.噪声系数和功率增益

与频率

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBFU310LT1

输入

RS = 50

U310

BW （3 dB为单位） - 36.5兆赫

ID - 10 MADC

VDS = 20伏直流

设备外壳接地

IM测试音调 - F1 = 449.5兆赫， F2 = 450.5兆赫

C1 = 1-10 pF的约翰森空气可变微调。

C2，C5 = 100pF的供给通钮电容器。

C3，C4， C6 = 0.5-6 pF的约翰森空气可变

微调。

L1 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-5 / 8 “铜条。

L2 ， L4 = Ferroxcube公司Vk200呛。

L3 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-7 / 8 “铜条。

产量

RL = 50

盾

图12. 450 MHz的IMD评估放大器

放大器的功率增益和IMD产物是负载阻抗的函数。用于与C4和上面所示的放大器设计

C6调整，以反映负载造成9 dB的额定功率增益漏，三阶截取点（ IP ）值

29 dBm的。调节C4，C6 ，以提供较大的负载的值将导致更高的增益，小的带宽和更低的IP值。为

例如， 13 dB的额定增益为19 dBm的截点来实现。

+40

输出功率PER TONE （ DBM）

+20

–20

–40

–60

–80

–100

–120

U310 JFET

VDS = 20伏直流

ID - 10 MADC

F1 = 449.5兆赫

F2 = 450.5兆赫

3阶截取点

基本输出

拦截点的情节使用示例：

假设-20 dBm的带内的两个信号在放大器的输入端。

它们将产生一个第三阶IMD信号时的输出

-90 dBm的。还有，在输出端的各信号电平将是

-11 dBm时，显示为9.0放大器的增益分贝和

互调比79分贝（ IMR ）的能力。增益和

IMR值仅适用于以下比较信号电平。

+20

三阶IMD输出

–100

–40

–20

–60

–80

输入功率PER TONE （ DBM）

图13.双音3阶截取点

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBFU310LT1

对于采用SOT- 23表面贴装封装信息

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.037

0.95

0.037

0.95

0.079

2.0

0.035

0.9

0.031

0.8

英寸

SOT–23

SOT- 23功耗

采用SOT -23的功耗的功能

焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化

焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。

功耗用于表面贴装器件，确定

由TJ （最大值）的最大额定结温

死，R

θJA

从器件结的热阻

环境，以及工作温度TA 。使用

所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，

PD可以计算如下：

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

焊接注意事项

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

总是预热装置。

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应为最大10 ℃。

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度应为5 ℃或更小。

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

机械应力或冲击不应在被应用

冷却。

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况是225毫瓦。

PD =

150°C – 25°C

556°C/W

= 225毫瓦

为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用

玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹

板实现了225毫瓦的功耗。那里

其他选择实现更高的功率耗散

从SOT- 23封装。另一个替代方案是

使用陶瓷基板或铝芯板如

热复合。使用的基板材料，如热

包层，铝芯板，功耗可

翻倍使用相同的足迹。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉

半导体技术资料

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通过MMBFU310LT1 / D

JFET晶体管

N沟道

2 SOURCE

门

MMBFU310LT1

摩托罗拉的首选设备

1 DRAIN

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

栅电流

符号

VDS

VGS

价值

单位

VDC

MADC

CASE 318 - 08 ， 10风格

SOT- 23 （ TO - 236AB ）

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局（ 1 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

TJ ， TSTG

556

- 55 + 150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

MMBFU310LT1 = 6C

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

栅源击穿电压（ IG = -1.0

μAdc ，

VDS = 0）的

1号门漏电流（ VGS = -15伏直流， VDS = 0 ）

门2漏电流（ VGS = -15伏， VDS = 0 ， TA = 125 ° C）

门源截止电压（ VDS = 10 VDC ， ID = 1.0 NADC ）

V（ BR ） GSS

IG1SS

IG2SS

VGS （关闭）

– 25

—

– 2.5

—

– 150

– 6.0

VDC

NADC

VDC

基本特征

零栅极电压漏极电流（ VDS = 10 VDC ， VGS = 0 ）

门源正向电压（ IG = 10 MADC ， VDS = 0 ）

IDSS

VGS （ F）

—

1.0

MADC

VDC

小信号特性

正向转移导纳

（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

（ VDS = 10 VDC ， ID = 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输入电容

（ VGS = -10伏直流， VDS = 0伏， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

（ VGS = -10伏直流， VDS = 0伏， F = 1.0兆赫）

1， FR- 5 = 1.0

| YFS |

| YOS |

西塞

CRSS

—

250

5.0

2.5

毫姆欧

μmhos

0.75

0.062英寸

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

MMBFU310LT1

来源

U310

1.0 k

VDD +

C1 = C2 = 0.8 - 10 pF的， JFD ＃ MVM010W 。

C3 = C4 = 8.35 pF的伊利＃ 539-002D 。

C5 = C6 = 5000 pF的伊利（ 2443-000 ）。

C7 = 1000 pF的，艾伦布拉德利＃ FA5C 。

RFC = 0.33

米勒＃ 9230-30 。

L1 =一个回合＃ 16铜， 1/4“内径（空芯）。

L2P =一匝＃ 16铜， 1/4“内径（空芯）。

L2S =一匝＃ 16铜， 1/4“内径（空芯）。

RFC

L2P

L2S

负载

图1. 450 MHz的共栅放大器测试电路

I D ，漏电流（毫安）

VDS = 10V

–5.0

IDSS

+ 25°C

TA = - 55°C

+150°C

+ 25°C

– 55°C

IDSS ，饱和漏极电流（毫安）

YFS ，正向跨导（毫姆欧）

+150°C

+ 25°C

– 55°C

+150°C

VDS = 10V

F = 1.0 MHz的

TA = - 55°C

+ 25°C

+150°C 10

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

–1.0

–4.0

–3.0

–2.0

ID - VGS ，栅源电压（伏）

IDSS - VGS ，栅源截止电压（伏）

VGS ，栅源电压（伏）

图2.漏电流和转让

特性与栅源电压

图3.正向跨导

与栅源电压

YFS ，正向跨导（

姆欧）

100 k

YFS

1.0 k

YOS ，输出导纳（

姆欧）

RDS

电容（pF）

7.0

120

R DS ，导通阻抗（欧姆）

YFS

10 k

100

CGS

4.0

1.0 k

YOS

VGS （OFF ） = - 2.3 V =

VGS （OFF ） = - 5.7 V =

CGD

1.0

100

0.01

1.0

0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100

ID ，漏极电流（毫安）

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

VGS ，门源极电压（伏）

图4.共源输出

准入和正向跨导

与漏极电流

图5.导通电阻和结

电容与栅源电压

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBFU310LT1

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

3.0

|S21|, |S11|

0.85 0.45

S22

2.4

Y12 （毫姆欧）

Y11

0.79 0.39

S21

1.8

0.73 0.33

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

S11

0.6

Y12

100

200

300

500

男，频率（MHz）

700

1000

0.55 0.15

100

0.61 0.21

S12

200

300

500

男，频率（MHz）

700 1000

0.90

0.012 0.92

0.036 0.96

0.048 0.98

|S12|, |S22|

0.060 1.00

| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）

Y21

Y22

1.2

0.67 0.27

0.024 0.94

6.0

图6.共栅参数y

幅度与频率

21,

180° 50°

170°

40°

12,

– 20°

87°

– 20°

– 40°

– 60°

– 80°

– 100°

150°

20°

140°

10°

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

700

– 120° 84°

– 140°

– 160° 83°

– 180°

– 200° 82°

1000

– 120°

– 100°

– 80°

85°

– 60°

86°

图7.共栅的S参数

幅度与频率

11,

– 20° 120°

21,

– 40° 100°

– 20°

160°

30°

80°

– 40°

60°

40°

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

200

300

500

男，频率（MHz）

– 60°

– 80°

130°

0°

100

200

300

500

男，频率（MHz）

20°

100

700

– 100°

1000

图8.共栅参数y

相角与频率

图9. s参数相角

与频率

8.0

7.0

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

5.0

GPG

4.0

3.0

2.0

1.0

4.0

6.0

8.0

10 12

14 16

ID ，漏极电流（毫安）

VDD = 20 V

F = 450 MHz的

≈

10兆赫

图1所示电路

PG ，功率增益（分贝）

NF ，噪声系数（dB ）

9.0

6.0

3.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

2.0

100

200 300

男，频率（MHz）

500 700 1000

GPG

VDS = 10V

ID = 10毫安

TA = 25°C

图1所示电路

6.0

PG ，功率增益（分贝）

图10.噪声系数和

功率增益与漏电流

图11.噪声系数和功率增益

与频率

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBFU310LT1

输入

RS = 50

U310

BW （3 dB为单位） - 36.5兆赫

ID - 10 MADC

VDS = 20伏直流

设备外壳接地

IM测试音调 - F1 = 449.5兆赫， F2 = 450.5兆赫

C1 = 1-10 pF的约翰森空气可变微调。

C2，C5 = 100pF的供给通钮电容器。

C3，C4， C6 = 0.5-6 pF的约翰森空气可变

微调。

L1 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-5 / 8 “铜条。

L2 ， L4 = Ferroxcube公司Vk200呛。

L3 = 1/8 “× 1/32 ”× 1-7 / 8 “铜条。

产量

RL = 50

盾

图12. 450 MHz的IMD评估放大器

放大器的功率增益和IMD产物是负载阻抗的函数。用于与C4和上面所示的放大器设计

C6调整，以反映负载造成9 dB的额定功率增益漏，三阶截取点（ IP ）值

29 dBm的。调节C4，C6 ，以提供较大的负载的值将导致更高的增益，小的带宽和更低的IP值。为

例如， 13 dB的额定增益为19 dBm的截点来实现。

+40

输出功率PER TONE （ DBM）

+20

–20

–40

–60

–80

–100

–120

U310 JFET

VDS = 20伏直流

ID - 10 MADC

F1 = 449.5兆赫

F2 = 450.5兆赫

3阶截取点

基本输出

拦截点的情节使用示例：

假设-20 dBm的带内的两个信号在放大器的输入端。

它们将产生一个第三阶IMD信号时的输出

-90 dBm的。还有，在输出端的各信号电平将是

-11 dBm时，显示为9.0放大器的增益分贝和

互调比79分贝（ IMR ）的能力。增益和

IMR值仅适用于以下比较信号电平。

+20

三阶IMD输出

–100

–40

–20

–60

–80

输入功率PER TONE （ DBM）

图13.双音3阶截取点

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MMBFU310LT1

对于采用SOT- 23表面贴装封装信息

推荐的最低足迹表面安装应用程序

表面贴装电路板布局是总的关键部分

设计。占地面积为半导体封装必须

为保证适当的焊料连接的正确大小

电路板和封装之间的接口。与

正确的垫几何，包会自我调整的时候

经受回流焊接工艺。

0.037

0.95

0.037

0.95

0.079

2.0

0.035

0.9

0.031

0.8

英寸

SOT–23

SOT- 23功耗

采用SOT -23的功耗的功能

焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化

焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。

功耗用于表面贴装器件，确定

由TJ （最大值）的最大额定结温

死，R

θJA

从器件结的热阻

环境，以及工作温度TA 。使用

所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，

PD可以计算如下：

PD =

TJ（MAX） - TA

θJA

焊接注意事项

焊料的熔融温度比额定高

温度的装置。当整个装置被加热

到很高的温度，不内完成焊接

短的时间内可能会导致器件失效。因此，该

下列项目应始终以观察到

最小化的热应力，以使设备

受。

总是预热装置。

预热之间的温度增量

焊接应为100 ℃或更低。 *

在预热和焊接，对温度

引线和外壳必须不超过最大

温度额定值上所示的数据表。当

采用红外加热与回流焊接方法，

的差值应为最大10 ℃。

焊接温度和时间应不超过

260 ℃下进行10秒以上。

当从预热焊接移位时，

最大温度梯度应为5 ℃或更小。

焊接完成后，该设备应

可以使其自然冷却至少三分钟。

逐渐冷却应作为采用强制

冷却将增加的温度梯度，从而导致

在潜失效由于机械应力。

机械应力或冲击不应在被应用

冷却。

*进行焊接装置无需预热可导致过度

热冲击和应力，这可能导致损坏

装置。

该方程的值被发现的最大

评级表上的数据表。这些值代入

该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以

计算在此所述装置的功率耗散

情况是225毫瓦。

PD =

150°C – 25°C

556°C/W

= 225毫瓦

为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用

玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹

板实现了225毫瓦的功耗。那里

其他选择实现更高的功率耗散

从SOT- 23封装。另一个替代方案是

使用陶瓷基板或铝芯板如

热复合。使用的基板材料，如热

包层，铝芯板，功耗可

翻倍使用相同的足迹。