E2L0044-17-Y1
半导体
MSM548512L
半导体
524,288-Word
8位高速PSRAM
这个版本: 1998年1月
MSM548512L
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM548512L采用OKI的CMOS硅栅工艺技术制造。这个过程中,
加上单transister存储器的存储单元,允许最大的电路密度,最小
芯片的尺寸和高速。
MSM548512L具有自刷新模式时,除了地址刷新模式和自动刷新
模式。在自刷新模式中,内部刷新定时器和地址计数器刷新
自动动态存储单元。该系列实现了低功耗使用时,
待机模式下具有自我更新。
该MSM548512L还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到
在上升沿存储单元
WE 。
特点
大容量
快速存取时间
低功耗
刷新免费
逻辑兼容
单电源供电
刷新
兼容包
封装选项:
32引脚600密耳的塑料DIP
32引脚525密耳的塑料SOP
:
:
:
:
:
:
:
:
4兆位( 524,288字
8比特)
80 ns(最大值) 。
200
A
最大。 (待机与自刷新)
自刷新
SRAM
WE
脚,没有地址复用
5 V
±10%
2048周期/ 32毫秒自动刷新地址
SRAM标准套餐
(DIP32-P-600-2.54)
(产品: MSM548512L - xxRS )
( SOP32 -P- 525-1.27 -K)个(产品: MSM548512L - xxGS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548512L-80RS
MSM548512L-10RS
MSM548512L-12RS
MSM548512L-80GS-K
MSM548512L-10GS-K
MSM548512L-12GS-K
访问时间(最大值)。
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
525万32针
塑料SOP
600万32针
塑料DIP
包
1/12
半导体
MSM548512L
DC特性
参数
工作电流
符号
I
CC1
I
SB1
待机电流
I
SB2
I
CC2
自刷新电流
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
输出低电平
输出高电平
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
—
–10
–10
—
2.4
100
—
—
—
—
200
10
10
0.4
—
—
—
100
1
200
2
分钟。
—
—
典型值。
50
1
马克斯。
75
2
(V
CC
= 5 V ±10%, V
SS
= 0 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
条件
I
I / O
=开放,T
CYC
=最小值。
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IH
,
V
IN
≥
0 V
CE
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IN
≥
0 V,
OE / RFSH
≥
V
CC
– 0.2 V
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IL
,
V
IN
≥
0 V
CE
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IN
≥
0 V,
OE / RFSH
0.2 V
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= V
SS
到V
CC
OE / RFSH
= V
IH
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1毫安
电容
参数
输入电容
I / O引脚的电容
符号
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
分钟。
—
—
典型值。
—
—
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
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半导体
MSM548512L
半导体
524,288-Word
8位高速PSRAM
这个版本: 1998年1月
MSM548512L
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM548512L采用OKI的CMOS硅栅工艺技术制造。这个过程中,
加上单transister存储器的存储单元,允许最大的电路密度,最小
芯片的尺寸和高速。
MSM548512L具有自刷新模式时,除了地址刷新模式和自动刷新
模式。在自刷新模式中,内部刷新定时器和地址计数器刷新
自动动态存储单元。该系列实现了低功耗使用时,
待机模式下具有自我更新。
该MSM548512L还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到
在上升沿存储单元
WE 。
特点
大容量
快速存取时间
低功耗
刷新免费
逻辑兼容
单电源供电
刷新
兼容包
封装选项:
32引脚600密耳的塑料DIP
32引脚525密耳的塑料SOP
:
:
:
:
:
:
:
:
4兆位( 524,288字
8比特)
80 ns(最大值) 。
200
A
最大。 (待机与自刷新)
自刷新
SRAM
WE
脚,没有地址复用
5 V
±10%
2048周期/ 32毫秒自动刷新地址
SRAM标准套餐
(DIP32-P-600-2.54)
(产品: MSM548512L - xxRS )
( SOP32 -P- 525-1.27 -K)个(产品: MSM548512L - xxGS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548512L-80RS
MSM548512L-10RS
MSM548512L-12RS
MSM548512L-80GS-K
MSM548512L-10GS-K
MSM548512L-12GS-K
访问时间(最大值)。
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
525万32针
塑料SOP
600万32针
塑料DIP
包
1/12
半导体
MSM548512L
DC特性
参数
工作电流
符号
I
CC1
I
SB1
待机电流
I
SB2
I
CC2
自刷新电流
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
输出低电平
输出高电平
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
—
–10
–10
—
2.4
100
—
—
—
—
200
10
10
0.4
—
—
—
100
1
200
2
分钟。
—
—
典型值。
50
1
马克斯。
75
2
(V
CC
= 5 V ±10%, V
SS
= 0 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
条件
I
I / O
=开放,T
CYC
=最小值。
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IH
,
V
IN
≥
0 V
CE
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IN
≥
0 V,
OE / RFSH
≥
V
CC
– 0.2 V
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IL
,
V
IN
≥
0 V
CE
≥
V
CC
– 0.2 V, V
IN
≥
0 V,
OE / RFSH
0.2 V
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= V
SS
到V
CC
OE / RFSH
= V
IH
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1毫安
电容
参数
输入电容
I / O引脚的电容
符号
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
分钟。
—
—
典型值。
—
—
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
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