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E2L0044-17-Y1
半导体
MSM548512L
半导体
524,288-Word
8位高速PSRAM
这个版本: 1998年1月
MSM548512L
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM548512L采用OKI的CMOS硅栅工艺技术制造。这个过程中,
加上单transister存储器的存储单元,允许最大的电路密度,最小
芯片的尺寸和高速。
MSM548512L具有自刷新模式时,除了地址刷新模式和自动刷新
模式。在自刷新模式中,内部刷新定时器和地址计数器刷新
自动动态存储单元。该系列实现了低功耗使用时,
待机模式下具有自我更新。
该MSM548512L还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到
在上升沿存储单元
WE 。
特点
大容量
快速存取时间
低功耗
刷新免费
逻辑兼容
单电源供电
刷新
兼容包
封装选项:
32引脚600密耳的塑料DIP
32引脚525密耳的塑料SOP
:
:
:
:
:
:
:
:
4兆位( 524,288字
8比特)
80 ns(最大值) 。
200
A
最大。 (待机与自刷新)
自刷新
SRAM
WE
脚,没有地址复用
5 V
±10%
2048周期/ 32毫秒自动刷新地址
SRAM标准套餐
(DIP32-P-600-2.54)
(产品: MSM548512L - xxRS )
( SOP32 -P- 525-1.27 -K)个(产品: MSM548512L - xxGS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548512L-80RS
MSM548512L-10RS
MSM548512L-12RS
MSM548512L-80GS-K
MSM548512L-10GS-K
MSM548512L-12GS-K
访问时间(最大值)。
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
525万32针
塑料SOP
600万32针
塑料DIP
1/12
半导体
MSM548512L
引脚配置(顶视图)
A
18
1
A
16
2
A
14
3
A
12
4
A
7
5
A
6
6
A
5
7
A
4
8
A
3
9
A
2
10
A
1
11
A
0
12
I / O
0
13
I / O
1
14
I / O
2
15
V
SS
16
32引脚塑料DIP
32 V
CC
31 A
15
30 A
17
29
WE
28 A
13
27 A
8
26 A
9
25 A
11
24
OE / RFSH
23 A
10
22
CE
21 I / O
7
20 I / O
6
19 I / O
5
18 I / O
4
17 I / O
3
A
18
1
A
16
2
A
14
3
A
12
4
A
7
5
A
6
6
A
5
7
A
4
8
A
3
9
A
2
10
A
1
11
A
0
12
I / O
0
13
I / O
1
14
I / O
2
15
V
SS
16
,
32引脚塑料SOP
32 V
CC
31 A
15
30 A
17
29
WE
28 A
13
27 A
8
26 A
9
25 A
11
24
OE / RFSH
23 A
10
22
CE
21 I / O
7
20 I / O
6
19 I / O
5
18 I / O
4
17 I / O
3
引脚名称
A
0
- A
18
I / O
0
- I / O
7
CE
OE / RFSH
WE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能/输入刷新
写使能输入
电源电压( 5V)
接地( 0 V )
2/12
半导体
MSM548512L
框图
A
0
地址
LATCH
控制
A
10
ROW
解码器
存储矩阵
(2048
256)
8
I / O
0
输入
数据
控制
列I / O
列解码器
I / O
7
地址锁存控制
A
11
A
18
刷新
控制
CE
定时脉冲发生器
OE / RFSH
WE
读/写控制
3/12
半导体
MSM548512L
功能表
CE
L
L
L
H
H
OE / RFSH
L
X
H
L
H
WE
H
L
H
X
X
I / O引脚
低Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
模式
刷新
待机
L:低电平输入
H:高电平输入
X:无关
电气特性
绝对最大额定值
参数
从V任意引脚电压
SS
*1
功耗
工作温度
储存温度
存储温度(偏)
短路输出电流
符号
V
T
P
D
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
I
OS
等级
-1.0 7.0
1.0
0到70
-55至125
-10到85
50
单位
V
W
°C
°C
°C
mA
*1
注意:
到V
SS
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应限制的条件详
本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
(大= 0 ° C至70 ° C)
分钟。
4.5
0
2.4
–0.5
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4/12
半导体
MSM548512L
DC特性
参数
工作电流
符号
I
CC1
I
SB1
待机电流
I
SB2
I
CC2
自刷新电流
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
输出低电平
输出高电平
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
–10
–10
2.4
100
200
10
10
0.4
100
1
200
2
分钟。
典型值。
50
1
马克斯。
75
2
(V
CC
= 5 V ±10%, V
SS
= 0 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
条件
I
I / O
=开放,T
CYC
=最小值。
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IH
,
V
IN
0 V
CE
V
CC
– 0.2 V, V
IN
0 V,
OE / RFSH
V
CC
– 0.2 V
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IL
,
V
IN
0 V
CE
V
CC
– 0.2 V, V
IN
0 V,
OE / RFSH
0.2 V
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= V
SS
到V
CC
OE / RFSH
= V
IH
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1毫安
电容
参数
输入电容
I / O引脚的电容
符号
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
分钟。
典型值。
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
5/12
E2L0044-17-Y1
半导体
MSM548512L
半导体
524,288-Word
8位高速PSRAM
这个版本: 1998年1月
MSM548512L
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM548512L采用OKI的CMOS硅栅工艺技术制造。这个过程中,
加上单transister存储器的存储单元,允许最大的电路密度,最小
芯片的尺寸和高速。
MSM548512L具有自刷新模式时,除了地址刷新模式和自动刷新
模式。在自刷新模式中,内部刷新定时器和地址计数器刷新
自动动态存储单元。该系列实现了低功耗使用时,
待机模式下具有自我更新。
该MSM548512L还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到
在上升沿存储单元
WE 。
特点
大容量
快速存取时间
低功耗
刷新免费
逻辑兼容
单电源供电
刷新
兼容包
封装选项:
32引脚600密耳的塑料DIP
32引脚525密耳的塑料SOP
:
:
:
:
:
:
:
:
4兆位( 524,288字
8比特)
80 ns(最大值) 。
200
A
最大。 (待机与自刷新)
自刷新
SRAM
WE
脚,没有地址复用
5 V
±10%
2048周期/ 32毫秒自动刷新地址
SRAM标准套餐
(DIP32-P-600-2.54)
(产品: MSM548512L - xxRS )
( SOP32 -P- 525-1.27 -K)个(产品: MSM548512L - xxGS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548512L-80RS
MSM548512L-10RS
MSM548512L-12RS
MSM548512L-80GS-K
MSM548512L-10GS-K
MSM548512L-12GS-K
访问时间(最大值)。
80纳秒
100纳秒
120纳秒
80纳秒
100纳秒
120纳秒
525万32针
塑料SOP
600万32针
塑料DIP
1/12
半导体
MSM548512L
引脚配置(顶视图)
A
18
1
A
16
2
A
14
3
A
12
4
A
7
5
A
6
6
A
5
7
A
4
8
A
3
9
A
2
10
A
1
11
A
0
12
I / O
0
13
I / O
1
14
I / O
2
15
V
SS
16
32引脚塑料DIP
32 V
CC
31 A
15
30 A
17
29
WE
28 A
13
27 A
8
26 A
9
25 A
11
24
OE / RFSH
23 A
10
22
CE
21 I / O
7
20 I / O
6
19 I / O
5
18 I / O
4
17 I / O
3
A
18
1
A
16
2
A
14
3
A
12
4
A
7
5
A
6
6
A
5
7
A
4
8
A
3
9
A
2
10
A
1
11
A
0
12
I / O
0
13
I / O
1
14
I / O
2
15
V
SS
16
,
32引脚塑料SOP
32 V
CC
31 A
15
30 A
17
29
WE
28 A
13
27 A
8
26 A
9
25 A
11
24
OE / RFSH
23 A
10
22
CE
21 I / O
7
20 I / O
6
19 I / O
5
18 I / O
4
17 I / O
3
引脚名称
A
0
- A
18
I / O
0
- I / O
7
CE
OE / RFSH
WE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能/输入刷新
写使能输入
电源电压( 5V)
接地( 0 V )
2/12
半导体
MSM548512L
框图
A
0
地址
LATCH
控制
A
10
ROW
解码器
存储矩阵
(2048
256)
8
I / O
0
输入
数据
控制
列I / O
列解码器
I / O
7
地址锁存控制
A
11
A
18
刷新
控制
CE
定时脉冲发生器
OE / RFSH
WE
读/写控制
3/12
半导体
MSM548512L
功能表
CE
L
L
L
H
H
OE / RFSH
L
X
H
L
H
WE
H
L
H
X
X
I / O引脚
低Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
模式
刷新
待机
L:低电平输入
H:高电平输入
X:无关
电气特性
绝对最大额定值
参数
从V任意引脚电压
SS
*1
功耗
工作温度
储存温度
存储温度(偏)
短路输出电流
符号
V
T
P
D
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
I
OS
等级
-1.0 7.0
1.0
0到70
-55至125
-10到85
50
单位
V
W
°C
°C
°C
mA
*1
注意:
到V
SS
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应限制的条件详
本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
(大= 0 ° C至70 ° C)
分钟。
4.5
0
2.4
–0.5
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4/12
半导体
MSM548512L
DC特性
参数
工作电流
符号
I
CC1
I
SB1
待机电流
I
SB2
I
CC2
自刷新电流
I
CC3
输入漏电流
输出漏电流
输出低电平
输出高电平
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
–10
–10
2.4
100
200
10
10
0.4
100
1
200
2
分钟。
典型值。
50
1
马克斯。
75
2
(V
CC
= 5 V ±10%, V
SS
= 0 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
条件
I
I / O
=开放,T
CYC
=最小值。
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IH
,
V
IN
0 V
CE
V
CC
– 0.2 V, V
IN
0 V,
OE / RFSH
V
CC
– 0.2 V
CE
= V
IH
,
OE / RFSH
= V
IL
,
V
IN
0 V
CE
V
CC
– 0.2 V, V
IN
0 V,
OE / RFSH
0.2 V
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= V
SS
到V
CC
OE / RFSH
= V
IH
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1毫安
电容
参数
输入电容
I / O引脚的电容
符号
C
IN
C
I / O
条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
分钟。
典型值。
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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