【MPSW13一瓦达林顿晶体管NPN硅特点http://onsemi.com集热器3BASE2无铅包装】,IC型号MPSW13RLRAG,MPSW13RLRAG PDF资料,MPSW13RLRAG经销商,ic,电子元器件-51电子网

MPSW13

一瓦达林顿

晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

集热器3

BASE

无铅包装是可用*

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

CES

CBO

EBO

, T

英镑

价值

1.0

8.0

2.5

-55到+150

单位

VDC

ADC

毫瓦/°C的

°C

发射器1

TO-92 （TO- 226）

情况29-10

风格1

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

qJA

QJC

最大

125

单位

° C / W

MPS

W13

AYWW

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

MPSW13 =器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

MPSW13RLRA

MPSW13RLRAG

包

TO92

（无铅）

航运

2000 /磁带&卷轴

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

出版订单号：

MPSW13/D

2006年2月 - 第4版

MPSW13

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压

= 100

MADC ，

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= 30伏直流电，我

= 0)

发射Cuto FF电流

= 10 VDC ，我

= 0)

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

= 10 MADC ，V

= 5.0伏）

= 100 MADC ，V

= 5.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

= 100 MADC ，我

= 0.1 MADC ）

基射极电压ON

= 100 MADC ，V

= 5.0伏）

小信号特性

电流增益 - 带宽积（注2 ）

= 10 MADC ，V

= 5.0伏， F = 100兆赫）

1.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

2. f

= |h

TEST

125

兆赫

5,000

10,000

CE （ SAT ）

BE（上）

1.5

2.0

VDC

（ BR ） CES

CBO

EBO

100

VDC

NADC

符号

民

最大

单位

I C ，集电极电流（毫安）

3.0 k

2.0 k

电流限制

占空比

≤

10%

热限制

第二击穿极限

100

1.0毫秒

1.0 k

1.0 s

500

= 25°C

200

1.5

= 25°C

2.0

5.0

，集电极 - 发射极电压（伏）

图1.活动区 - 安全工作区

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MPSW13

= 125°C

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

200 k

100 k

70 k

50 k

30 k

20 k

10 k

7.0 k

5.0 k

55°C

= 5.0 V

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

10毫安

50毫安

250毫安

500毫安

= 25°C

^ h FE ， DC电流增益

25°C

3.0 k

2.0 k

5.0 7.0 10

50 70 100

200 300

500

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

100 200

500 1000

，集电极电流（毫安）

，基极电流（毫安）

图2.直流电流增益

图3.集电极饱和区

V，温度系数（MV /

1.6

= 25°C

1.4

V，电压（V ）

BE （ SAT ）

@ I

= 1000

1.2

1.0

0.8

0.6

BE（上）

@ V

= 5.0 V

1.0

2.0

3.0

4.0

*适用于我

≤

/3.0

对于V

CE （ SAT ）

25 ° C至125°C

-55 ° C到25°C时

25 ° C至125°C

对于V

CE （ SAT ）

@ I

= 1000

5.0 7.0 10

70 100

200 300

500

5.0

6.0

-55 ° C到25°C时

5.0 7.0 10

70 100

200 300

500

，集电极电流（毫安）

图4. “开”电压

图5.温度系数

4.0

^ h FE ，小信号电流增益

= 5.0 V

= 25°C

F = 100 MHz的

= 25°C

C，电容（pF ）

7.0

5.0

敖包

IBO

2.0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

3.0

2.0

0.5

1.0

2.0

5.0

100

200

500

0.04

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

，集电极电流（毫安）

，反向电压（伏）

图6.高频电流增益

图7.电容

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MPSW13

包装尺寸

TO-92 （TO- 226）

情况29-10

ISSUE AL

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4.尺寸f适用P和L之间

尺寸D和J适用I和K之间

MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制

在P型和超越维数k最低限度。

暗淡

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.290

0.310

0.125

0.165

0.018

0.021

0.016

0.019

0.045

0.055

0.095

0.105

0.018

0.024

0.500

0.250

0.080

0.105

0.100

0.135

MILLIMETERS

民

最大

4.44

5.21

7.37

7.87

3.18

4.19

0.457

0.533

0.407

0.482

1.15

1.39

2.42

2.66

0.46

0.61

12.70

6.35

2.04

2.66

2.54

3.43

X X

1 2 3

第X-X

N c个

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.基

3.收集

安森美半导体

和

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