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E2L0033-17-Y1
半导体
MSM518222
半导体
262,214-Word
8位字段存储
这个版本： 1998年1月
MSM518222
上一版本： 1996年12月
描述
在OKI MSM518222是一款高性能的2 - Mbit的， 256K
8位，场存储器。它被设计为
高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视，录像机，数字电影
和多媒体系统。在2兆位容量适合现有的NTSC电视屏幕中的一个字段。两
级联MSM518222s使画面一帧：两个或两个以上MSM518222s可级联
直接在它们之间没有任何延迟装置。 （层叠提供了更大的存储深度或
较长的延迟） 。
每个8位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制
时钟，支持异步读取和写入操作。不同的时钟速率也都支持，
这让写之间交替的数据传输速率和读取数据流。
该MSM518222提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：
它会自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列
访问操作，从而使串行读和/或写控制时钟可停止高电平或低电平的任何
期间，只要电源打开。内存访问和刷新操作内部冲突
通过特殊的仲裁逻辑被阻止。
该MSM518222的功能是简单的和类似的数字延迟器的延迟的比特长度是
通过复位时序轻松设置。延迟的长度，并写入和读出之间的延迟时钟数
阅读，是由外部控制决定写和读的复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
8位实现高速
刚过写或读复位时序第位访问无时钟延迟。
该MSM518222是在操作和功能，以冲电气1兆位场存储器MSM514221B相似，
通过加入级联能力。 （至于MSM514221B操作兼容2 - Mbit的场
内存方面， OKI拥有MSM518221这是MSM518222的妹妹设备） 。
此外，该MSM518222有写掩码功能或输入使能功能（IE） ，以及读数据
跳过功能或输出使能功能（ OE ） 。写之间的差异使能（WE ）和
输入使能（ IE浏览器） ，和读的使能（ RE）和输出使能（ OE ）是WE和RE可以停止
串行读/写地址的增量，但IE和OE不能停止的增加，当读/写
时钟被连续地施加到MSM518222 。输入使能（IE）的功能，用户可以
写入只有内存的选定位置，留下不变的存储器内容的其余部分。
这有利于数据处理到电视屏幕上显示picture"一个"picture 。
1/16
半导体
MSM518222
特点
单电源供电： 5 V
±10%
512行
512列
8位
快速FIFO （先入先出）的操作
高速异步串行访问
读/写周期时间
25纳秒/ 30纳秒/ 40纳秒
存取时间
25纳秒/ 25纳秒/ 30纳秒
直接级联能力
写屏蔽功能（输入使能控制）
数据跳过功能（输出使能控制）
自刷新（无需刷新控制）
封装选项：
28引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP28-P-400-1.27)
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
28引脚430密耳的塑料SOP
(SOP28-P-430-1.27-K)
（产品： MSM518222 - xxZS ）
（产品： MSM518222 - xxJS ）
（产品： MSM518222 - xxGS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM518222-25ZS
MSM518222-30ZS
MSM518222-40ZS
MSM518222-25JS
MSM518222-30JS
MSM518222-40JS
MSM518222-30GS-K
MSM518222-40GS-K
访问时间（最大值）。
25纳秒
25纳秒
30纳秒
25纳秒
25纳秒
30纳秒
25纳秒
30纳秒
周期时间（min 。 ）
25纳秒
30纳秒
40纳秒
25纳秒
30纳秒
40纳秒
30纳秒
40纳秒
430万28引脚SOP
400万28引脚SOJ
400万28引脚ZIP
包
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半导体
引脚配置（顶视图）
WE
D
IN
0
D
IN
2
V
CC
D
IN
5
1
3
5
7
9
2
4
6
8
IE
D
IN
1
D
IN
3
D
IN
4
10 D
IN
6
12 RSTW
14 NC
16 RE
18 D
OUT
7
20 D
OUT
5
22 V
SS
24 D
OUT
2
26 D
OUT
0
28 SRCK
D
IN
7 11
SWCK 13
NC 15
OE 17
D
OUT
6 19
D
OUT
4 21
D
OUT
3 23
D
OUT
1 25
RSTR 27

D
IN
4 1
D
IN
5 2
D
IN
6 3
D
IN
7 4
28 V
CC
D
IN
4 1
D
IN
5 2
D
IN
6 3
D
IN
7 4
27 D
IN
3
26 D
IN
2
25 D
IN
1
24 D
IN
0
IE 23
22我们
21 NC
RSTW 5
NC 7
RE 8
OE 9
RSTW 5
SWCK 6
SWCK 6
NC 7
RE 8
OE 9
20 SRCK
19 RSTR
18 D
OUT
0
17 D
OUT
1
16 D
OUT
2
15 D
OUT
3
D
OUT
7 10
D
OUT
6 11
D
OUT
5 12
D
OUT
4 13
V
SS
14
D
OUT
7 10
D
OUT
6 11
D
OUT
5 12
D
OUT
4 13
V
SS
14
28引脚塑料SOJ
MSM518222
28 V
CC
27 D
IN
3
26 D
IN
2
25 D
IN
1
24 D
IN
0
IE 23
22我们
21 NC
20 SRCK
19 RSTR
18 D
OUT
0
17 D
OUT
1
16 D
OUT
2
15 D
OUT
3
28引脚塑料SOP
28引脚塑料ZIP
引脚名称
SWCK
SRCK
WE
RE
IE
OE
RSTW
RSTR
D
IN
0 - 7
D
OUT
0 - 7
V
CC
V
SS
NC
功能
串行写时钟
串行读时钟
写使能
读使能
输入使能
OUTPUT ENABLE
写复位时钟
阅读复位时钟
数据输入
数据输出
供电（ 5 V ）
接地（ 0 V ）
无连接
3/16
半导体
D
OUT
( 8)
OE
RE
框图
RSTR
SRCK
数据输出
缓冲液（ 8）
串行
读
调节器
512字的串行读寄存器（ 8）
读行缓冲区
低一半（ 8）
256 ( 8)
71字
分注册（ 8）
256K ( 8)
内存
ARRAY
71字
分注册（ 8）
256 ( 8)
写行缓冲区
低一半（ 8）
256 ( 8)
写行缓冲区
高半（ 8）
时钟
振荡器
X
解码器
读/写
和刷新
调节器
读行缓冲区
高半（ 8）
256 ( 8)
512字的串行写入寄存器（ 8）
V
BB
发电机
数据在
缓冲液（ 8）
MSM518222
串行
写
调节器
4/16
D
IN
( 8)
IE
WE
RSTW
SWCK
半导体
MSM518222
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作
通过循环SWCK ，和写地址指针复位操作之后保持WE高完成
或RSTW 。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少80活性的写周期，即
SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时
被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作
在最后SWCK周期。
需要注意的是MSM518222的每个写入时序由一个时钟延迟的读定时相比
简单的级联没有任何接口延迟装置。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器
零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写入复位
功能由SWCK上升沿仅控制RSTW的高电平后，我们的状态
和IE忽略在写复位周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的，它必须是低的，至少有两个
SWCK周期。
数据输入：D
IN
0 - 7
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写
地址指针。数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低电平
禁止输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间（低）
和WE启用时间（高）的限制，因为MSM518222是完全静态的操作，只要
作为电源。请注意，我们建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。
输入使能： IE浏览器
IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部写
地址指针总是通过循环SWCK不管IE级的递增。需要注意的是IE浏览器的设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
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E2L0033-17-Y1
半导体
MSM518222
半导体
262,214-Word
8位字段存储
这个版本： 1998年1月
MSM518222
上一版本： 1996年12月
描述
在OKI MSM518222是一款高性能的2 - Mbit的， 256K
8位，场存储器。它被设计为
高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视，录像机，数字电影
和多媒体系统。在2兆位容量适合现有的NTSC电视屏幕中的一个字段。两
级联MSM518222s使画面一帧：两个或两个以上MSM518222s可级联
直接在它们之间没有任何延迟装置。 （层叠提供了更大的存储深度或
较长的延迟） 。
每个8位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制
时钟，支持异步读取和写入操作。不同的时钟速率也都支持，
这让写之间交替的数据传输速率和读取数据流。
该MSM518222提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：
它会自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列
访问操作，从而使串行读和/或写控制时钟可停止高电平或低电平的任何
期间，只要电源打开。内存访问和刷新操作内部冲突
通过特殊的仲裁逻辑被阻止。
该MSM518222的功能是简单的和类似的数字延迟器的延迟的比特长度是
通过复位时序轻松设置。延迟的长度，并写入和读出之间的延迟时钟数
阅读，是由外部控制决定写和读的复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
8位实现高速
刚过写或读复位时序第位访问无时钟延迟。
该MSM518222是在操作和功能，以冲电气1兆位场存储器MSM514221B相似，
通过加入级联能力。 （至于MSM514221B操作兼容2 - Mbit的场
内存方面， OKI拥有MSM518221这是MSM518222的妹妹设备） 。
此外，该MSM518222有写掩码功能或输入使能功能（IE） ，以及读数据
跳过功能或输出使能功能（ OE ） 。写之间的差异使能（WE ）和
输入使能（ IE浏览器） ，和读的使能（ RE）和输出使能（ OE ）是WE和RE可以停止
串行读/写地址的增量，但IE和OE不能停止的增加，当读/写
时钟被连续地施加到MSM518222 。输入使能（IE）的功能，用户可以
写入只有内存的选定位置，留下不变的存储器内容的其余部分。
这有利于数据处理到电视屏幕上显示picture"一个"picture 。
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半导体
MSM518222
特点
单电源供电： 5 V
±10%
512行
512列
8位
快速FIFO （先入先出）的操作
高速异步串行访问
读/写周期时间
25纳秒/ 30纳秒/ 40纳秒
存取时间
25纳秒/ 25纳秒/ 30纳秒
直接级联能力
写屏蔽功能（输入使能控制）
数据跳过功能（输出使能控制）
自刷新（无需刷新控制）
封装选项：
28引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP28-P-400-1.27)
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
28引脚430密耳的塑料SOP
(SOP28-P-430-1.27-K)
（产品： MSM518222 - xxZS ）
（产品： MSM518222 - xxJS ）
（产品： MSM518222 - xxGS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM518222-25ZS
MSM518222-30ZS
MSM518222-40ZS
MSM518222-25JS
MSM518222-30JS
MSM518222-40JS
MSM518222-30GS-K
MSM518222-40GS-K
访问时间（最大值）。
25纳秒
25纳秒
30纳秒
25纳秒
25纳秒
30纳秒
25纳秒
30纳秒
周期时间（min 。 ）
25纳秒
30纳秒
40纳秒
25纳秒
30纳秒
40纳秒
30纳秒
40纳秒
430万28引脚SOP
400万28引脚SOJ
400万28引脚ZIP
包
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半导体
引脚配置（顶视图）
WE
D
IN
0
D
IN
2
V
CC
D
IN
5
1
3
5
7
9
2
4
6
8
IE
D
IN
1
D
IN
3
D
IN
4
10 D
IN
6
12 RSTW
14 NC
16 RE
18 D
OUT
7
20 D
OUT
5
22 V
SS
24 D
OUT
2
26 D
OUT
0
28 SRCK
D
IN
7 11
SWCK 13
NC 15
OE 17
D
OUT
6 19
D
OUT
4 21
D
OUT
3 23
D
OUT
1 25
RSTR 27

D
IN
4 1
D
IN
5 2
D
IN
6 3
D
IN
7 4
28 V
CC
D
IN
4 1
D
IN
5 2
D
IN
6 3
D
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7 4
27 D
IN
3
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IN
2
25 D
IN
1
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IN
0
IE 23
22我们
21 NC
RSTW 5
NC 7
RE 8
OE 9
RSTW 5
SWCK 6
SWCK 6
NC 7
RE 8
OE 9
20 SRCK
19 RSTR
18 D
OUT
0
17 D
OUT
1
16 D
OUT
2
15 D
OUT
3
D
OUT
7 10
D
OUT
6 11
D
OUT
5 12
D
OUT
4 13
V
SS
14
D
OUT
7 10
D
OUT
6 11
D
OUT
5 12
D
OUT
4 13
V
SS
14
28引脚塑料SOJ
MSM518222
28 V
CC
27 D
IN
3
26 D
IN
2
25 D
IN
1
24 D
IN
0
IE 23
22我们
21 NC
20 SRCK
19 RSTR
18 D
OUT
0
17 D
OUT
1
16 D
OUT
2
15 D
OUT
3
28引脚塑料SOP
28引脚塑料ZIP
引脚名称
SWCK
SRCK
WE
RE
IE
OE
RSTW
RSTR
D
IN
0 - 7
D
OUT
0 - 7
V
CC
V
SS
NC
功能
串行写时钟
串行读时钟
写使能
读使能
输入使能
OUTPUT ENABLE
写复位时钟
阅读复位时钟
数据输入
数据输出
供电（ 5 V ）
接地（ 0 V ）
无连接
3/16
半导体
D
OUT
( 8)
OE
RE
框图
RSTR
SRCK
数据输出
缓冲液（ 8）
串行
读
调节器
512字的串行读寄存器（ 8）
读行缓冲区
低一半（ 8）
256 ( 8)
71字
分注册（ 8）
256K ( 8)
内存
ARRAY
71字
分注册（ 8）
256 ( 8)
写行缓冲区
低一半（ 8）
256 ( 8)
写行缓冲区
高半（ 8）
时钟
振荡器
X
解码器
读/写
和刷新
调节器
读行缓冲区
高半（ 8）
256 ( 8)
512字的串行写入寄存器（ 8）
V
BB
发电机
数据在
缓冲液（ 8）
MSM518222
串行
写
调节器
4/16
D
IN
( 8)
IE
WE
RSTW
SWCK
半导体
MSM518222
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作
通过循环SWCK ，和写地址指针复位操作之后保持WE高完成
或RSTW 。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少80活性的写周期，即
SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时
被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作
在最后SWCK周期。
需要注意的是MSM518222的每个写入时序由一个时钟延迟的读定时相比
简单的级联没有任何接口延迟装置。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器
零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写入复位
功能由SWCK上升沿仅控制RSTW的高电平后，我们的状态
和IE忽略在写复位周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的，它必须是低的，至少有两个
SWCK周期。
数据输入：D
IN
0 - 7
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写
地址指针。数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低电平
禁止输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间（低）
和WE启用时间（高）的限制，因为MSM518222是完全静态的操作，只要
作为电源。请注意，我们建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。
输入使能： IE浏览器
IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部写
地址指针总是通过循环SWCK不管IE级的递增。需要注意的是IE浏览器的设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
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MI-P6P4-IYV
MI-Q23-MSV
MI-P633-MXZ
MLR154K630
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