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MM3Z2V4T1系列
齐纳稳压器
200 mW的SOD- 323表面贴装
这一系列的齐纳二极管的封装在SOD-323表面
这种封装具有200毫瓦的功耗。他们是
旨在提供电压调节保护和特别
的情况下,有吸引力的空间非常宝贵。他们是很好
适合于各种应用,如蜂窝电话,手持式便携设备,
和高密度的印刷电路板。
规格特点:
http://onsemi.com
标准齐纳击穿电压范围 - 2.4 V至75 V
稳态额定功率为200毫瓦
小机身外形尺寸:
0.067 “× 0.049 ” (1.7毫米× 1.25毫米)
低矮的车身高度: 0.035 “ (0.9 MM)
包装重量: 4.507毫克/单位
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
无铅包装是否可用
1
阴极
2
阳极
记号
XX M
SOD323
CASE 477
XX =具体设备守则
M =日期代码
机械特性:
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有外部表面耐腐蚀
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
信息:
镀铅锡或锡只(无铅)
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
安装位置:
任何
最大额定值
等级
器件总功耗FR - 5局,
(注1 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从热阻
结到环境
结存储
温度范围
1, FR- 4最小焊盘
符号
P
D
200
1.5
R
qJA
T
J
, T
英镑
635
-65
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
订购信息
设备
MM3ZxxxT1
MM3ZxxxT1G
SOD323
SOD323
(无铅)
航运
{
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年4月 - 6牧师
出版订单号:
MM3Z2V4T1/D
MM3Z2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25℃,除非另有说明,否则
V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
QV
Z
C
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V的最大温度系数
Z
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
MM3Z2V4T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
齐纳电压
(注2 )
V
Z
(伏)
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
14.3
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13.25
15
16.2
18
20
22
24.2
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
@ I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
Z
ZK
@ I
ZK
W
1000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
800
500
200
100
160
160
160
160
160
160
80
80
80
80
80
100
100
120
300
300
300
500
500
500
500
500
500
500
500
500
mA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
漏电流
I
R
@ V
R
mA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
7.0
8.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.2
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.5
QV
Z
(毫伏/ K)的
@ I
ZT
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
37.6
42.0
46.6
52.2
58.8
65.6
73.4
最大
0
0
0
0
0
2.5
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
46.6
51.8
57.2
63.8
71.6
79.8
88.6
C
@ V
R
= 0
F = 1 MHz的
pF
450
450
450
450
450
450
450
260
225
200
185
155
140
135
130
130
130
130
120
110
105
100
85
85
80
70
70
70
70
45
40
40
40
40
35
35
35
设备
MM3Z2V4T1
MM3Z2V7T1
MM3Z3V0T1
MM3Z3V3T1
MM3Z3V6T1
MM3Z3V9T1
MM3Z4V3T1
MM3Z4V7T1
MM3Z5V1T1
MM3Z5V6T1
MM3Z6V2T1
MM3Z6V8T1
MM3Z7V5T1
MM3Z8V2T1
MM3Z9V1T1
MM3Z10VT1
MM3Z11VT1
MM3Z12VT1
MM3Z13VT1
MM3Z15VT1
MM3Z16VT1
MM3Z18VT1
MM3Z20VT1
MM3Z22VT1
MM3Z24VT1
MM3Z27VT1
MM3Z30VT1
MM3Z33VT1
MM3Z36VT1
MM3Z39VT1
MM3Z43VT1
MM3Z47VT1
MM3Z51VT1
MM3Z56VT1
MM3Z62VT1
MM3Z68VT1
MM3Z75VT1
设备
记号
00
01
02
05
06
07
08
09
0A
0C
0E
0F
0G
0H
0K
0L
0M
0N
0P
0T
0U
0W
0Z
10
11
12
14
18
19
20
21
1A
1C
1D
1E
1F
1G
2.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
http://onsemi.com
3
MM3Z2V4T1系列
典型特征
1000
ZT ,动态阻抗(
)
T
J
= 25°C
I
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
F = 1千赫
1000
IF ,正向电流(mA )
100
100
I
Z
= 1毫安
10
5毫安
10
150°C
75°C
1.0
3.0
10
V
Z
,额定齐纳电压
80
0.4
0.5
25°C
0°C
1.1
1.2
1.0
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
F
,正向电压( V)
齐纳电压对图1的影响
齐纳阻抗
1000
T
A
= 25°C
C,电容(pF )
0 V BIAS
1 V BIAS
IR ,漏电流(
A)
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
图2.典型正向电压
100
+150°C
10
偏压
Ⅴ的50%的
Z
0.001
+ 25°C
55°C
0
10
20
30
40
50
60
V
Z
,额定齐纳电压( V)
70
0.0001
1.0
4.0
10
V
Z
,额定齐纳电压( V)
70
0.00001
图3.典型电容
图4.典型漏电流
http://onsemi.com
4
MM3Z2V4T1系列
典型特征
100
T
A
= 25°C
I Z ,齐纳电流(mA)
IZ ,齐纳电流(毫安)
10
10
100
T
A
= 25°C
1.0
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
Z
齐纳电压(V)
10
12
10
30
50
70
V
Z
齐纳电压(V)
90
图5.齐纳电压与稳压电流
(V
Z
高达12 V )
100
图6.齐纳电压与稳压电流
( 12 V至75 V )
80
功耗( % )
60
40
20
0
0
25
50
75
100
温度(℃)
125
150
图7.稳态功率降额
http://onsemi.com
5
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MM3Z3V6T1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MM3Z3V6T1G
ON
24+
68500
SOD-323
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1244719342 复制 点击这里给我发消息 QQ:735585398 复制

电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
MM3Z3V6T1G
18+
20000
SOD-323-2
原装现货,可开17%的增值票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MM3Z3V6T1G
ONSEMI/安森美
17+
2990
SOD-323
原装进口低价实单必成
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MM3Z3V6T1G
ON/安森美
21+
18600
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
MM3Z3V6T1G
Bychip/百域芯
24+
30000
原装正品,可含税供应。品质保障
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
MM3Z3V6T1G
ON
24+
8000
SOD-323
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MM3Z3V6T1G
LRC
1926+
6852
SOD-323
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MM3Z3V6T1G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9191
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004375386 复制

电话:0755-82798529
联系人:钟小姐
地址:广东省深圳市福田区佳和大厦五楼5C041
MM3Z3V6T1G
ON/安森美
24+
25361
NA
全新原装现货,低价力挺实单!
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
MM3Z3V6T1G
ON
2024+
9675
SOD-323
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