MSM38S0000/MSM98S000
0.8μm的混合型3 -V / 5 V海盖茨和客户结构阵列
描述
OKI的0.8μm的ASIC产品,专为混合3 V / 5 V的应用程序,现在在这两个可
海门( SOG )和客户结构阵列( CSA )架构。无论是SOG-基于MSM38S
系列和基于CSA MSM98S系列上使用0.8μm的拉伸( 0.6微米的L- effec-三层金属工艺
略去) CMOS技术。半导体工艺改编自OKI公司生产验证的16兆位
DRAM的制造过程。
该MSM38S SOG系列七种规格多达420 I / O焊盘和过135000可用门可用。
SOG阵列尺寸设计,以适应最流行的四方扁平封装( QFP )封装,如100- , 136- ,
160-和208针的QFP 。 MSM38S SOG为基础的设计,因此非常适合垫限制电路的
需要快速原型周转时间。
非常适合低功耗便携式应用中, MSM38S / 98S与单独的电源总线构建
内部核心逻辑和可配置的I / O功能。总之,该体系结构提供了最大的
灵活性,满足所有的3伏, 5伏,并混合3 -V / 5 V信号的要求的需要。
该MSM98S CSA系列是SOG系列全屏蔽级别的超集,在29个尺寸可供选择。在CSA
产品结合了SOG架构的逻辑灵活性的更高的集成度通过优化得到
扩散更快和更紧凑的存储块。该MSM98S是理想的核心,有限的应用
或与大型和/或多个存储器功能的电路。客户修改的任何结构
29个预定义的masterslices ,而不是每次都创建一个新的母片的,提高了亲
totyping周转时间在基于细胞的制造技术。
这两个产品系列是由OKI独有的MEMGEN工具,快速,方便地支持gen-
erates SOG存储器(用于MSM38S )以及用于MSM98S系列优化的回忆。在FAM-
ilies还设有平面布局来控制布局前的时序,时钟歪斜管理软件
保证的1纳秒或更小的最坏情况时钟偏移和扫描路径的设计技术支持ATVG为
故障覆盖率接近100 % 。
特点
0.8μm的绘制三层金属CMOS
混合3 V / 5 V工作电压为低功耗和高
速度
SOG和CSA架构的可用性
时钟树细胞
≤
1.0纳秒的时钟偏斜,最坏情况下的
(扇出= 2000 ,在70兆赫)
从6.5K到135K门可用密度
I / O数量可能VSS , 3 V , 5 V , VDD , CMOS , TTL和3-
状态,以2 mA至48 mA驱动
I / O的电平移位器单元,允许任何缓冲器(输入
输出或双向)配有3 V或5 V接口
压摆率控制输出,低噪声辐射
用户可配置的单端口和多端口存储器
专门的3 - V和5 V宏单元,包括相位
锁相环和PCI细胞
布局规划为前端模拟后端
布局控件
JTAG边界扫描和扫描路径ATVG
OKI半导体
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