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ATA
S
HEET
O
K
I
A
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I
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P
R
O
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T
S
0.8μm的混合型3 -V / 5 V
盖茨MSM38S0000海
MSM98S000客户结构阵列
1995年2月
T
RADEMARKS
AIX , DOS, PC ,和Windows是商标, IBM是IBM公司的注册商标。
阿波罗,域和DomainOS是阿波罗电脑,惠普的子公司的商标。
车逻辑, IDEA , QuickFault , QuickGrade ,快速通道, QuickSim ,和Mentor Graphics的
Mentor Graphics公司的商标。
作曲家,概念, HDL ,蛙跳, PLI , Veritime和VHDL的商标,和Cadence , DRACULA , TestScan ,
Verifault和Verilog注册Cadence设计系统公司的商标。
设计编译器, HDL / VHDL语言编译器,测试编译器,和VSS是Synopsys公司的商标。
HP和HP - UX是惠普公司的商标。
炼金术和IKOS是IKOS系统, Inc.的商标。
PowerView的, Viewlogic系, ViewRetargeter , ViewSim , ViewSynthesis和Workview是
Viewlogic系统, Inc.的商标。
Solaris中,太阳,太阳- 3 ,太阳4 ,和SunOS是Sun Microsystems , Inc.的商标。
UNIX是UNIX系统实验室,Inc.的注册商标。
所有其他产品或本文档中提及的由商标标识服务,服务标记,
或产品名称为指定的谁销售这些产品的公司。关于这类查询
商标应直接向这些公司。
OKI半导体公司保留在任何时间,恕不另行通知进行更改规格的权利。该信息由提供
OKI半导体本出版物中被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担OKI
半导体供其使用;也为专利或从它的使用所造成的第三方的其他权利的任何侵犯。无许可证
在任何专利或OKI专利权授予。
OKI半导体
MSM38S0000/MSM98S000
0.8μm的混合型3 -V / 5 V海盖茨和客户结构阵列
描述
OKI的0.8μm的ASIC产品,专为混合3 V / 5 V的应用程序,现在在这两个可
海门( SOG )和客户结构阵列( CSA )架构。无论是SOG-基于MSM38S
系列和基于CSA MSM98S系列上使用0.8μm的拉伸( 0.6微米的L- effec-三层金属工艺
略去) CMOS技术。半导体工艺改编自OKI公司生产验证的16兆位
DRAM的制造过程。
该MSM38S SOG系列七种规格多达420 I / O焊盘和过135000可用门可用。
SOG阵列尺寸设计,以适应最流行的四方扁平封装( QFP )封装,如100- , 136- ,
160-和208针的QFP 。 MSM38S SOG为基础的设计,因此非常适合垫限制电路的
需要快速原型周转时间。
非常适合低功耗便携式应用中, MSM38S / 98S与单独的电源总线构建
内部核心逻辑和可配置的I / O功能。总之,该体系结构提供了最大的
灵活性,满足所有的3伏, 5伏,并混合3 -V / 5 V信号的要求的需要。
该MSM98S CSA系列是SOG系列全屏蔽级别的超集,在29个尺寸可供选择。在CSA
产品结合了SOG架构的逻辑灵活性的更高的集成度通过优化得到
扩散更快和更紧凑的存储块。该MSM98S是理想的核心,有限的应用
或与大型和/或多个存储器功能的电路。客户修改的任何结构
29个预定义的masterslices ,而不是每次都创建一个新的母片的,提高了亲
totyping周转时间在基于细胞的制造技术。
这两个产品系列是由OKI独有的MEMGEN工具,快速,方便地支持gen-
erates SOG存储器(用于MSM38S )以及用于MSM98S系列优化的回忆。在FAM-
ilies还设有平面布局来控制布局前的时序,时钟歪斜管理软件
保证的1纳秒或更小的最坏情况时钟偏移和扫描路径的设计技术支持ATVG为
故障覆盖率接近100 % 。
特点
0.8μm的绘制三层金属CMOS
混合3 V / 5 V工作电压为低功耗和高
速度
SOG和CSA架构的可用性
时钟树细胞
1.0纳秒的时钟偏斜,最坏情况下的
(扇出= 2000 ,在70兆赫)
从6.5K到135K门可用密度
I / O数量可能VSS , 3 V , 5 V , VDD , CMOS , TTL和3-
状态,以2 mA至48 mA驱动
I / O的电平移位器单元,允许任何缓冲器(输入
输出或双向)配有3 V或5 V接口
压摆率控制输出,低噪声辐射
用户可配置的单端口和多端口存储器
专门的3 - V和5 V宏单元,包括相位
锁相环和PCI细胞
布局规划为前端模拟后端
布局控件
JTAG边界扫描和扫描路径ATVG
OKI半导体
1
s
MSM38S / 98S数据表
s
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
MSM38S / 98S系列上市
CSA零件编号
男男性接触者...
98S020x020
98S023x023
98S026x026
98S029x029
98S032x032
98S035x035
98S038x038
98S041x041
98S044x044
98S047x047
98S050x050
98S053x053
98S056x056
98S059x059
98S062x062
98S065x065
98S068x068
98S071x071
98S074x074
98S077x077
98S080x080
98S083x083
98S086x086
98S089x089
98S092x092
98S095x095
98S098x098
98S101x101
98S104x104
SOG零件编号
男男性接触者...
38S0110
38S0210
38S0300
38S0570
38S0980
38S1500
38S2250
I / O焊盘
80
92
100
104
116
128
136
140
152
160
164
176
188
200
212
216
224
236
248
260
272
280
284
296
308
320
332
344
356
368
380
392
404
416
420
[1]
44
51
56
59
66
74
79
81
89
94
96
104
111
119
126
129
134
141
149
156
164
169
171
179
186
194
201
209
216
224
231
239
246
254
256
148
176
194
200
228
252
270
276
304
322
328
356
380
408
432
442
456
484
508
536
560
580
588
612
636
664
688
716
740
768
792
816
844
868
880
RAW GATES
6,512
8,976
10,752
11,800
15,048
18,648
21,172
22,356
27,056
30,080
31,488
37,024
42,180
48,552
54,432
56,760
61,104
68,244
75,692
83,616
91,840
97,344
100,548
109,548
118,296
128,816
138,288
149,644
159,840
172,032
182,952
195,024
207,624
220,472
224,256
可用门
4,689
6,463
7,741
8,496
10,835
13,427
15,244
16,096
19,480
21,658
22,671
25,917
29,526
33,986
38,102
39,732
42,162
47,088
51,471
56,859
62,451
66,194
67,367
72,302
75,709
82,442
88,504
95,772
99,101
103,219
109,771
117,014
124,574
132,283
134,554
[2]
[1]的行号和列号被用来评估可被包括进每个阵列兆宏小区的数目和大小。为
例如, 7600栅兆宏小区用的36行× 245列的大小和纵横比可以在使用
MSM98S032x032或任何较大的阵列的基础上,但不能在MSM98S029x029 。
[ 2 ]可以使用的门数是依赖于设计和变化的基础后,每净扇出,内部总线,平面图的数量,
RAM / ROM块等
2
OKI半导体
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
s
MSM38S / 98S数据表
s
阵列架构
一个0.8μm的MSM38S / 98S电路的主要组成部分包括:
每个阵列有16个专用的角落垫的电源和地利用晶圆探测中,有四个垫
每个角落。该阵列还具有独立的电源环的内部核心功能(V
DDC
和V
SSC
)和
输出驱动晶体管(V
DDO
3 V和V
SSO
).
I / O单元包括:
电平转换器
独立的电源总线
内部核心逻辑
COLUMN
盖茨
I / O基细胞
可配置的I / O焊盘V
DD
, V
SS
或I / O(输入/输出的3V和5V )
V
DD
和V
SS
垫专门用于晶圆探测
输出缓冲器单独的电源总线
内部核心逻辑和输入缓冲器独立的电源总线
含有N沟道和P沟道对纤芯母细胞中,布置在门的列
为降低输入电容隔离式栅极结构,提高路由的灵活性
CON连接可配置的I / O焊盘
V
DD
(3.3 V), V
DD
(5 V), V
SS
,
I / O ( 3.3 V ) ,或I / O( 5V)
核心区
V
DD
= 3.3或5伏
四晶体管
基本核心单元
V
DD
, V
SS
在垫
每个角落
仅晶圆探测
V
SSO
V
DDO
(5 V)
V
DDO
(3.3 V)
独立的电源总线上
对于输出缓冲I / O元件
(V
DDO
(3.3 V), V
DDO
(5 V), V
SSO
)
图1. MSM38S / 98S阵列架构
MSM98S000 CSA布局方法
程序设计,地点和路线的CSA如下。
1.从现有的预定义的尺寸合适的碱阵列框架。要选择一个数组的大小:
OKI半导体
- 确定所需的宏功能和最小数组大小来保存宏
功能。
3
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O
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0.8μm的混合型3 -V / 5 V
盖茨MSM38S0000海
MSM98S000客户结构阵列
1995年2月
T
RADEMARKS
AIX , DOS, PC ,和Windows是商标, IBM是IBM公司的注册商标。
阿波罗,域和DomainOS是阿波罗电脑,惠普的子公司的商标。
车逻辑, IDEA , QuickFault , QuickGrade ,快速通道, QuickSim ,和Mentor Graphics的
Mentor Graphics公司的商标。
作曲家,概念, HDL ,蛙跳, PLI , Veritime和VHDL的商标,和Cadence , DRACULA , TestScan ,
Verifault和Verilog注册Cadence设计系统公司的商标。
设计编译器, HDL / VHDL语言编译器,测试编译器,和VSS是Synopsys公司的商标。
HP和HP - UX是惠普公司的商标。
炼金术和IKOS是IKOS系统, Inc.的商标。
PowerView的, Viewlogic系, ViewRetargeter , ViewSim , ViewSynthesis和Workview是
Viewlogic系统, Inc.的商标。
Solaris中,太阳,太阳- 3 ,太阳4 ,和SunOS是Sun Microsystems , Inc.的商标。
UNIX是UNIX系统实验室,Inc.的注册商标。
所有其他产品或本文档中提及的由商标标识服务,服务标记,
或产品名称为指定的谁销售这些产品的公司。关于这类查询
商标应直接向这些公司。
OKI半导体公司保留在任何时间,恕不另行通知进行更改规格的权利。该信息由提供
OKI半导体本出版物中被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担OKI
半导体供其使用;也为专利或从它的使用所造成的第三方的其他权利的任何侵犯。无许可证
在任何专利或OKI专利权授予。
OKI半导体
MSM38S0000/MSM98S000
0.8μm的混合型3 -V / 5 V海盖茨和客户结构阵列
描述
OKI的0.8μm的ASIC产品,专为混合3 V / 5 V的应用程序,现在在这两个可
海门( SOG )和客户结构阵列( CSA )架构。无论是SOG-基于MSM38S
系列和基于CSA MSM98S系列上使用0.8μm的拉伸( 0.6微米的L- effec-三层金属工艺
略去) CMOS技术。半导体工艺改编自OKI公司生产验证的16兆位
DRAM的制造过程。
该MSM38S SOG系列七种规格多达420 I / O焊盘和过135000可用门可用。
SOG阵列尺寸设计,以适应最流行的四方扁平封装( QFP )封装,如100- , 136- ,
160-和208针的QFP 。 MSM38S SOG为基础的设计,因此非常适合垫限制电路的
需要快速原型周转时间。
非常适合低功耗便携式应用中, MSM38S / 98S与单独的电源总线构建
内部核心逻辑和可配置的I / O功能。总之,该体系结构提供了最大的
灵活性,满足所有的3伏, 5伏,并混合3 -V / 5 V信号的要求的需要。
该MSM98S CSA系列是SOG系列全屏蔽级别的超集,在29个尺寸可供选择。在CSA
产品结合了SOG架构的逻辑灵活性的更高的集成度通过优化得到
扩散更快和更紧凑的存储块。该MSM98S是理想的核心,有限的应用
或与大型和/或多个存储器功能的电路。客户修改的任何结构
29个预定义的masterslices ,而不是每次都创建一个新的母片的,提高了亲
totyping周转时间在基于细胞的制造技术。
这两个产品系列是由OKI独有的MEMGEN工具,快速,方便地支持gen-
erates SOG存储器(用于MSM38S )以及用于MSM98S系列优化的回忆。在FAM-
ilies还设有平面布局来控制布局前的时序,时钟歪斜管理软件
保证的1纳秒或更小的最坏情况时钟偏移和扫描路径的设计技术支持ATVG为
故障覆盖率接近100 % 。
特点
0.8μm的绘制三层金属CMOS
混合3 V / 5 V工作电压为低功耗和高
速度
SOG和CSA架构的可用性
时钟树细胞
1.0纳秒的时钟偏斜,最坏情况下的
(扇出= 2000 ,在70兆赫)
从6.5K到135K门可用密度
I / O数量可能VSS , 3 V , 5 V , VDD , CMOS , TTL和3-
状态,以2 mA至48 mA驱动
I / O的电平移位器单元,允许任何缓冲器(输入
输出或双向)配有3 V或5 V接口
压摆率控制输出,低噪声辐射
用户可配置的单端口和多端口存储器
专门的3 - V和5 V宏单元,包括相位
锁相环和PCI细胞
布局规划为前端模拟后端
布局控件
JTAG边界扫描和扫描路径ATVG
OKI半导体
1
s
MSM38S / 98S数据表
s
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
MSM38S / 98S系列上市
CSA零件编号
男男性接触者...
98S020x020
98S023x023
98S026x026
98S029x029
98S032x032
98S035x035
98S038x038
98S041x041
98S044x044
98S047x047
98S050x050
98S053x053
98S056x056
98S059x059
98S062x062
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98S074x074
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98S092x092
98S095x095
98S098x098
98S101x101
98S104x104
SOG零件编号
男男性接触者...
38S0110
38S0210
38S0300
38S0570
38S0980
38S1500
38S2250
I / O焊盘
80
92
100
104
116
128
136
140
152
160
164
176
188
200
212
216
224
236
248
260
272
280
284
296
308
320
332
344
356
368
380
392
404
416
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[1]
44
51
56
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66
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79
81
89
94
96
104
111
119
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141
149
156
164
169
171
179
186
194
201
209
216
224
231
239
246
254
256
148
176
194
200
228
252
270
276
304
322
328
356
380
408
432
442
456
484
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536
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580
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612
636
664
688
716
740
768
792
816
844
868
880
RAW GATES
6,512
8,976
10,752
11,800
15,048
18,648
21,172
22,356
27,056
30,080
31,488
37,024
42,180
48,552
54,432
56,760
61,104
68,244
75,692
83,616
91,840
97,344
100,548
109,548
118,296
128,816
138,288
149,644
159,840
172,032
182,952
195,024
207,624
220,472
224,256
可用门
4,689
6,463
7,741
8,496
10,835
13,427
15,244
16,096
19,480
21,658
22,671
25,917
29,526
33,986
38,102
39,732
42,162
47,088
51,471
56,859
62,451
66,194
67,367
72,302
75,709
82,442
88,504
95,772
99,101
103,219
109,771
117,014
124,574
132,283
134,554
[2]
[1]的行号和列号被用来评估可被包括进每个阵列兆宏小区的数目和大小。为
例如, 7600栅兆宏小区用的36行× 245列的大小和纵横比可以在使用
MSM98S032x032或任何较大的阵列的基础上,但不能在MSM98S029x029 。
[ 2 ]可以使用的门数是依赖于设计和变化的基础后,每净扇出,内部总线,平面图的数量,
RAM / ROM块等
2
OKI半导体
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
s
MSM38S / 98S数据表
s
阵列架构
一个0.8μm的MSM38S / 98S电路的主要组成部分包括:
每个阵列有16个专用的角落垫的电源和地利用晶圆探测中,有四个垫
每个角落。该阵列还具有独立的电源环的内部核心功能(V
DDC
和V
SSC
)和
输出驱动晶体管(V
DDO
3 V和V
SSO
).
I / O单元包括:
电平转换器
独立的电源总线
内部核心逻辑
COLUMN
盖茨
I / O基细胞
可配置的I / O焊盘V
DD
, V
SS
或I / O(输入/输出的3V和5V )
V
DD
和V
SS
垫专门用于晶圆探测
输出缓冲器单独的电源总线
内部核心逻辑和输入缓冲器独立的电源总线
含有N沟道和P沟道对纤芯母细胞中,布置在门的列
为降低输入电容隔离式栅极结构,提高路由的灵活性
CON连接可配置的I / O焊盘
V
DD
(3.3 V), V
DD
(5 V), V
SS
,
I / O ( 3.3 V ) ,或I / O( 5V)
核心区
V
DD
= 3.3或5伏
四晶体管
基本核心单元
V
DD
, V
SS
在垫
每个角落
仅晶圆探测
V
SSO
V
DDO
(5 V)
V
DDO
(3.3 V)
独立的电源总线上
对于输出缓冲I / O元件
(V
DDO
(3.3 V), V
DDO
(5 V), V
SSO
)
图1. MSM38S / 98S阵列架构
MSM98S000 CSA布局方法
程序设计,地点和路线的CSA如下。
1.从现有的预定义的尺寸合适的碱阵列框架。要选择一个数组的大小:
OKI半导体
- 确定所需的宏功能和最小数组大小来保存宏
功能。
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