ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
29 AMP ， 75V ，3相MOSFET
桥智能
集成门极驱动器
4301
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
75伏汽车电源电压
29安培输出开关功能，全N沟道MOSFET输出大桥
100 ％占空比高端传导有能力
适合的PWM应用从DC到100KHz的
直通/交叉传导保护
欠压锁定保护
可编程死区时间控制
低电平有效使能桥关断控制
隔离包装设计的高电压隔离加上良好的热传递
有三种引线折弯选项
MIL -PRF- 38534合格
描述：
该MSK 4301是一个三相桥式MOSFET驱动器加在一个方便的隔离密封封装。该混合是
能够29安培输出电流和75伏的DC总线电压的。它具有保护功能的全系列，其中包括
欠压锁定保护的偏置电压，跨导控制和用户可编程死区时间控制
直通消除。此外，桥可以通过使用使能控制被关闭。该MSK 4301提供
对于因电隔离的封装设计的MOSFET的良好的导热性，可以直接散热
未经绝缘体装置的。
等效原理图
典型应用
3相无刷直流
伺服控制
鳍片执行器控制
框架控制
3相交流
感应电机控制
暖通空调鼓风机控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚分配信息
BH
BL
AL
AH
SWR
VBIAS
EN
CL
CH
GND
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
A
A
V+
V+
B
B
C
C
RSENSE
RSENSE
1
Rev. D的4/01
绝对最大额定值
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
彩信
A组
4
小组
1,2,3
1,2,3
1
1
-
-
MSK4301H/E
3
分钟。
-
-
5.75
6.2
-
2.7
60
-1
70
-
-
-
典型值。
2.5
20
6.6
7.1
-
-
100
-
-
-
-
-
马克斯。
8
25
7.5
8.0
0.8
-
135
+1
-
25
0.020
0.013
MSK4301
2
分钟。
-
-
5.75
6.2
-
2.7
60
-1
70
-
-
-
典型值。
2.5
20
6.6
7.1
-
-
100
-
-
-
-
-
马克斯。
8
25
7.5
8.0
0.8
-
135
+1
-
25
0.020
0.013
单位
参数
控制部分
V
BIAS
静态电流
V
BIAS
工作电流
欠压阈值（下降）
欠压阈值（瑞星）
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高电平输入电流
输出桥
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
开关特性
上升时间
下降时间
1
1
1
1
1
1
1
1
1
测试条件
所有输入关闭
F =为20KHz，占空比为50％
V
IN
=0V
V
IN
=5V
I
D
= 25μA ，所有输入关闭
V
DS
=70V
I
D
=29A
-
-
-
-
1
-
漏源导通电阻（每个FET ）
（每个场效应管，热仅计算）
V + = 28V ，R
L
=1
I
D
=29A
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR =
∞
SWR=12K
1
1
I
SD
=29A
I
SD
= 29A ，的di / dt = 100A /μs的
-
-
4
4
4
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.3
-
-
120
81
0.5
5
5
0.5
5.0
1.0
1.05
120
-
-
2
8
8
2
7.0
1.2
1.30
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.3
-
-
120
81
0.5
5
5
0.5
5.0
1.0
1.05
120
-
-
3
10
10
3
7.0
1.2
1.30
-
导通传播延迟（下）
关断传播延迟（下）
导通传播延迟（上）
关断传播延迟（上）
死区时间
死区时间
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压
反向恢复时间
注意事项：
1
2
3
4
5
通过设计保证，但未经测试。典型的参数是代表实际设备
性能，但仅供参考。
除非另有说明，工业级和"E"后缀装置应进行试验，以分组1和4 。
军用级设备（ "H"后缀）必须经过100％测试，以群1 ， 2 ， 3和4 。
亚组5和6的测试可根据要求提供。
小组1,4牛逼
A
= T
C
= +25°C
2, 5 T
A
= T
C
= +125°C
3, 6 T
A
= T
C
= -55°C
2
Rev. D的4/01
○
○
○
○
○
○
○
○
○
电气规格
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
V+
V
BIAS
V
IND
I
OUT
I
PK
高电压源
75V
偏置电源
16V
逻辑输入电压
-0.3V到V
BIAS
+0.3V
连续输出电流
29A
峰值输出电流
41A
θ
JC
热阻
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
C
情况下的工作温度
(4301H/E)
(4301)
T
J
结温
1°C/W
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
MAMP
MAMP
伏
伏
伏
伏
微安
微安
V
微安
纳秒
纳秒
微秒
微秒
微秒
微秒
微秒
微秒
伏
纳秒
应用笔记
MSK 4301引脚说明
AL，BL ，CL
- 是低压侧逻辑电平数字输入。这些
三个输入控制三个低侧桥晶体管。如果
高边输入为低电平，则低边输入将控制
两个低压侧和所述桥的高侧，与死区时间
由SWR电阻设置。 EN将覆盖这些投入，迫使
所有输出低电平。这些输入可以通过逻辑高达15V驱动
（小于VBIAS ） 。内部上拉至VBIAS将举行各
投入高，如果引脚不被驱动。
BUS电压滤波电容
AH，BH ，CH
- 是高边逻辑电平数字输入。这些
三个输入控制三个高侧桥晶体管。非
少死区时间通过连接SWR地禁用，
每个阶段的低边输入将覆盖相应的
高边输入。如果SWR是每个阶段的低边输入会
覆盖相应桥臂的输入。在这种条件下，
绑在地上，死区时间被禁用，并且输出跟随
输入。在这种情况下，直通必须避免克斯特
应受。 EN将覆盖所有的输入，迫使低产出。
VBIAS
- 是正电源的栅极驱动。该引脚应
去耦至地与至少一个22μF电容器并联
用一个0.1μF的陶瓷capcitor 。
地
- 是的回报， VBIAS供应。该引脚应
连接到低压侧的MOSFET或返回
感测电阻器的电桥的底部的底部。该
栅极驱动电流必须返回通过该引脚，所以走线长度
应保持在最低限度。所有的理由应该返回
在星形的方式连接桥或感测电阻器的底部。
这将消除接地环路。
SWR
- 是对销，用于控制的顶部之间的死区时间
和底部的桥的晶体管。通过连接一个上拉
该引脚与VBIAS之间的电阻，各种deadtimes可
获得。有和内部100kΩ上拉电阻连接
在内部。通过添加在外部附加电阻，减小
deadtimes可以实现。通过该引脚直接连接到
地面上，所有的死区时间被消除。然而，必须小心
以确保死区时间是由所述逻辑电路产生
驱动器的输入。直通可能发生（顶部和
底部晶体管上同时对于给定的相位， caus-
荷兰国际集团短的V +电源接地）摧毁的桥梁。
V+
- 是电源连接，输出桥顶。
这些引脚必须通过一个电容旁路到了地面以上
10μF每安培preferrably 100μF每路输出电流小的放大器
妈妈，高品质的高频旁路电容，以帮助
抑制开关噪声。连接这两个引脚进行适当的电流
分享。
A
, B
, C
- 是输出引脚三相电源
桥梁。连接这两个引脚进行适当的电流共享。
EN
- 是否使能输入的桥梁。这数字输入，
当拉到低电平，可使桥，以下输入
从AL，BL ，CL和AH，BH ，CH输入。当拉高，这
将覆盖所有其它输入和禁用的桥梁。这是间
应受拉高至VBIAS ，并且可以通过逻辑电平向上驱动
到VBIAS 。
RSENSE
- 是否连接到桥的底部。所有
电源流经桥将流过这一点，
并且可以通过连接一个检测电阻器从这里被检测
地面上。检流电阻将产生一个电压成正比
向流动的电流。大小的值和额定功率
根据所需的电压检测电阻器。 3伏
这点与地之间，或损坏之间的最大电压
年龄到混合将导致。连接这两个引脚进行适当的电流
租共享。
3
的大小和电容器放置在主电压
总线用于电机将会对噪声滤波的吞吐量的效果
从系统的其余部分。 RLC串联调谐电路正在
通过导线的电感产生（大约每英寸30nH间变化） ，
滤波电容，并且所有的电阻（电阻丝
和整体的功率电路的电容器的ESR ） 。电压
从反电动势如果电机乘坐公共汽车的顶部尖峰
电压。所有这一切都必须铺设时需要考虑
该系统。高品质，低ESR的第一电容器
尽可能地靠近到混合电路成为可能。随着
即，5倍的一个电容，以10倍的第一个值应该被加到
（以及第二电容器应该具有一些ESR）和/或一个
电阻应该被添加到帮助与电压的阻尼
年龄峰值。要小心在所有电容器的纹波电流。
过多的纹波电流，超出了电容的额定
对，会破坏电容。
BIAS电源旁路电容器
建议在电容为bypass-的至少22μF
荷兰国际集团的VBIAS电压供给驱动电路的
MSK 4301 ，连同0.1μF帮助的高频
所需的栅极驱动器的电流脉冲。如果一个非常长的
上升时间是由导通FET的，额外的高显示
高频电容会有所帮助。
总图
良好的高频PC布局技术是必须的。痕迹
够宽的电流传送，而大的放置
靠近的MSK 4301电容器是很重要的。路径
通过任何检测电阻RSENSE的连接返回
GND引脚必须是尽可能地短。这条道路是
栅极驱动电流路径上的每个的下半部所有的FET
阶段。一条短而低电感的路径会切换帮助
这些FET的时间。
IN
低功耗启动
当启动时利用MSK 4301用于第一电路
时间，这是非常重要的，以保持某些事情的初衷。如下─
桥的尺寸小的原因，没有内部短路
电路保护和短路会破坏桥梁。
任何需要的短路保护外，必须在建立
桥梁。电流和电压限制饲养电源
V +引脚的桥梁，并监视当前的任何迹象
短路或击穿电流。如果有大
电流尖峰在每个开关周期的开始，那里
可射穿。尝试提高的电阻值
SWR 。这将延长死区时间和停止直通。
Rev. D的4/01
机械的特定网络阳离子
ESD三角表示引脚1 。
注：所有尺寸均为± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
MSK4301 ü
铅刀豆网络gurations
S =直; U =向上弯曲; D =弯下腰
筛选
空白=工业; E =扩展的可靠性;
H = H类
一般零件号
上面的例子是一个军用级混合动力车用引线弯曲起来。
4707戴伊路，利物浦，纽约州13088
电话（ 315 ） 701-6751
传真（ 315 ） 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的，在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而，改变其产品或规格，恕不另行通知，并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的网站，了解最新的这个数据表的修改。
.M.S。肯尼迪公司
5
Rev. D的4/01
ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
29 AMP ， 75V ，3相MOSFET
桥智能
集成门极驱动器
4301
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
75伏汽车电源电压
29安培输出开关功能，全N沟道MOSFET输出大桥
100 ％占空比高端传导有能力
适合的PWM应用从DC到100KHz的
直通/交叉传导保护
欠压锁定保护
可编程死区时间控制
低电平有效使能桥关断控制
隔离包装设计的高电压隔离加上良好的热传递
有三种引线折弯选项
MIL -PRF- 38534合格
描述：
该MSK 4301是一个三相桥式MOSFET驱动器加在一个方便的隔离密封封装。该混合是
能够29安培输出电流和75伏的DC总线电压的。它具有保护功能的全系列，其中包括
欠压锁定保护的偏置电压，跨导控制和用户可编程死区时间控制
直通消除。此外，桥可以通过使用使能控制被关闭。该MSK 4301提供
对于因电隔离的封装设计的MOSFET的良好的导热性，可以直接散热
未经绝缘体装置的。
等效原理图
典型应用
3相无刷直流
伺服控制
鳍片执行器控制
框架控制
3相交流
感应电机控制
暖通空调鼓风机控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚分配信息
BH
BL
AL
AH
SWR
VBIAS
EN
CL
CH
GND
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
A
A
V+
V+
B
B
C
C
RSENSE
RSENSE
1
Rev. D的4/01
绝对最大额定值
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
彩信
A组
4
小组
1,2,3
1,2,3
1
1
-
-
MSK4301H/E
3
分钟。
-
-
5.75
6.2
-
2.7
60
-1
70
-
-
-
典型值。
2.5
20
6.6
7.1
-
-
100
-
-
-
-
-
马克斯。
8
25
7.5
8.0
0.8
-
135
+1
-
25
0.020
0.013
MSK4301
2
分钟。
-
-
5.75
6.2
-
2.7
60
-1
70
-
-
-
典型值。
2.5
20
6.6
7.1
-
-
100
-
-
-
-
-
马克斯。
8
25
7.5
8.0
0.8
-
135
+1
-
25
0.020
0.013
单位
参数
控制部分
V
BIAS
静态电流
V
BIAS
工作电流
欠压阈值（下降）
欠压阈值（瑞星）
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高电平输入电流
输出桥
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
开关特性
上升时间
下降时间
1
1
1
1
1
1
1
1
1
测试条件
所有输入关闭
F =为20KHz，占空比为50％
V
IN
=0V
V
IN
=5V
I
D
= 25μA ，所有输入关闭
V
DS
=70V
I
D
=29A
-
-
-
-
1
-
漏源导通电阻（每个FET ）
（每个场效应管，热仅计算）
V + = 28V ，R
L
=1
I
D
=29A
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR =
∞
SWR=12K
1
1
I
SD
=29A
I
SD
= 29A ，的di / dt = 100A /μs的
-
-
4
4
4
4
4
4
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.3
-
-
120
81
0.5
5
5
0.5
5.0
1.0
1.05
120
-
-
2
8
8
2
7.0
1.2
1.30
-
-
-
-
-
-
-
3.0
0.3
-
-
120
81
0.5
5
5
0.5
5.0
1.0
1.05
120
-
-
3
10
10
3
7.0
1.2
1.30
-
导通传播延迟（下）
关断传播延迟（下）
导通传播延迟（上）
关断传播延迟（上）
死区时间
死区时间
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压
反向恢复时间
注意事项：
1
2
3
4
5
通过设计保证，但未经测试。典型的参数是代表实际设备
性能，但仅供参考。
除非另有说明，工业级和"E"后缀装置应进行试验，以分组1和4 。
军用级设备（ "H"后缀）必须经过100％测试，以群1 ， 2 ， 3和4 。
亚组5和6的测试可根据要求提供。
小组1,4牛逼
A
= T
C
= +25°C
2, 5 T
A
= T
C
= +125°C
3, 6 T
A
= T
C
= -55°C
2
Rev. D的4/01
○
○
○
○
○
○
○
○
○
电气规格
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
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○
○
○
○
○
○
○
V+
V
BIAS
V
IND
I
OUT
I
PK
高电压源
75V
偏置电源
16V
逻辑输入电压
-0.3V到V
BIAS
+0.3V
连续输出电流
29A
峰值输出电流
41A
θ
JC
热阻
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
C
情况下的工作温度
(4301H/E)
(4301)
T
J
结温
1°C/W
-65 ° C至+ 150°C
+300°C
MAMP
MAMP
伏
伏
伏
伏
微安
微安
V
微安
纳秒
纳秒
微秒
微秒
微秒
微秒
微秒
微秒
伏
纳秒
应用笔记
MSK 4301引脚说明
AL，BL ，CL
- 是低压侧逻辑电平数字输入。这些
三个输入控制三个低侧桥晶体管。如果
高边输入为低电平，则低边输入将控制
两个低压侧和所述桥的高侧，与死区时间
由SWR电阻设置。 EN将覆盖这些投入，迫使
所有输出低电平。这些输入可以通过逻辑高达15V驱动
（小于VBIAS ） 。内部上拉至VBIAS将举行各
投入高，如果引脚不被驱动。
BUS电压滤波电容
AH，BH ，CH
- 是高边逻辑电平数字输入。这些
三个输入控制三个高侧桥晶体管。非
少死区时间通过连接SWR地禁用，
每个阶段的低边输入将覆盖相应的
高边输入。如果SWR是每个阶段的低边输入会
覆盖相应桥臂的输入。在这种条件下，
绑在地上，死区时间被禁用，并且输出跟随
输入。在这种情况下，直通必须避免克斯特
应受。 EN将覆盖所有的输入，迫使低产出。
VBIAS
- 是正电源的栅极驱动。该引脚应
去耦至地与至少一个22μF电容器并联
用一个0.1μF的陶瓷capcitor 。
地
- 是的回报， VBIAS供应。该引脚应
连接到低压侧的MOSFET或返回
感测电阻器的电桥的底部的底部。该
栅极驱动电流必须返回通过该引脚，所以走线长度
应保持在最低限度。所有的理由应该返回
在星形的方式连接桥或感测电阻器的底部。
这将消除接地环路。
SWR
- 是对销，用于控制的顶部之间的死区时间
和底部的桥的晶体管。通过连接一个上拉
该引脚与VBIAS之间的电阻，各种deadtimes可
获得。有和内部100kΩ上拉电阻连接
在内部。通过添加在外部附加电阻，减小
deadtimes可以实现。通过该引脚直接连接到
地面上，所有的死区时间被消除。然而，必须小心
以确保死区时间是由所述逻辑电路产生
驱动器的输入。直通可能发生（顶部和
底部晶体管上同时对于给定的相位， caus-
荷兰国际集团短的V +电源接地）摧毁的桥梁。
V+
- 是电源连接，输出桥顶。
这些引脚必须通过一个电容旁路到了地面以上
10μF每安培preferrably 100μF每路输出电流小的放大器
妈妈，高品质的高频旁路电容，以帮助
抑制开关噪声。连接这两个引脚进行适当的电流
分享。
A
, B
, C
- 是输出引脚三相电源
桥梁。连接这两个引脚进行适当的电流共享。
EN
- 是否使能输入的桥梁。这数字输入，
当拉到低电平，可使桥，以下输入
从AL，BL ，CL和AH，BH ，CH输入。当拉高，这
将覆盖所有其它输入和禁用的桥梁。这是间
应受拉高至VBIAS ，并且可以通过逻辑电平向上驱动
到VBIAS 。
RSENSE
- 是否连接到桥的底部。所有
电源流经桥将流过这一点，
并且可以通过连接一个检测电阻器从这里被检测
地面上。检流电阻将产生一个电压成正比
向流动的电流。大小的值和额定功率
根据所需的电压检测电阻器。 3伏
这点与地之间，或损坏之间的最大电压
年龄到混合将导致。连接这两个引脚进行适当的电流
租共享。
3
的大小和电容器放置在主电压
总线用于电机将会对噪声滤波的吞吐量的效果
从系统的其余部分。 RLC串联调谐电路正在
通过导线的电感产生（大约每英寸30nH间变化） ，
滤波电容，并且所有的电阻（电阻丝
和整体的功率电路的电容器的ESR ） 。电压
从反电动势如果电机乘坐公共汽车的顶部尖峰
电压。所有这一切都必须铺设时需要考虑
该系统。高品质，低ESR的第一电容器
尽可能地靠近到混合电路成为可能。随着
即，5倍的一个电容，以10倍的第一个值应该被加到
（以及第二电容器应该具有一些ESR）和/或一个
电阻应该被添加到帮助与电压的阻尼
年龄峰值。要小心在所有电容器的纹波电流。
过多的纹波电流，超出了电容的额定
对，会破坏电容。
BIAS电源旁路电容器
建议在电容为bypass-的至少22μF
荷兰国际集团的VBIAS电压供给驱动电路的
MSK 4301 ，连同0.1μF帮助的高频
所需的栅极驱动器的电流脉冲。如果一个非常长的
上升时间是由导通FET的，额外的高显示
高频电容会有所帮助。
总图
良好的高频PC布局技术是必须的。痕迹
够宽的电流传送，而大的放置
靠近的MSK 4301电容器是很重要的。路径
通过任何检测电阻RSENSE的连接返回
GND引脚必须是尽可能地短。这条道路是
栅极驱动电流路径上的每个的下半部所有的FET
阶段。一条短而低电感的路径会切换帮助
这些FET的时间。
IN
低功耗启动
当启动时利用MSK 4301用于第一电路
时间，这是非常重要的，以保持某些事情的初衷。如下─
桥的尺寸小的原因，没有内部短路
电路保护和短路会破坏桥梁。
任何需要的短路保护外，必须在建立
桥梁。电流和电压限制饲养电源
V +引脚的桥梁，并监视当前的任何迹象
短路或击穿电流。如果有大
电流尖峰在每个开关周期的开始，那里
可射穿。尝试提高的电阻值
SWR 。这将延长死区时间和停止直通。
Rev. D的4/01
机械的特定网络阳离子
ESD三角表示引脚1 。
注：所有尺寸均为± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
MSK4301 ü
铅刀豆网络gurations
S =直; U =向上弯曲; D =弯下腰
筛选
空白=工业; E =扩展的可靠性;
H = H类
一般零件号
上面的例子是一个军用级混合动力车用引线弯曲起来。
4707戴伊路，利物浦，纽约州13088
电话（ 315 ） 701-6751
传真（ 315 ） 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的，在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而，改变其产品或规格，恕不另行通知，并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的网站，了解最新的这个数据表的修改。
.M.S。肯尼迪公司
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Rev. D的4/01
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