单片HMIC集成双
偏置网络18 - 40 GHz的
V 1.00
MA4BN1840-2
特点
n
n
n
n
n
MA4BN1840-2芯片布局
宽的带宽指定为18到40 GHz
从15 GHz到50 GHz的可用
极低的插入损耗
高RF- DC隔离
坚固耐用，全单片玻璃封装
施工
描述
该MA4BN1840-2设备是一个完全集成的宽带偏见
网络利用M / A - COM的HMIC
TM
（异类微波
集成电路）的方法，美国专利5268310 。这个过程
可以形成通孔硅底座的结合
嵌入他们低损耗，低色散玻璃。通过使用小
元件之间的间距，硅和玻璃的结合
给出HMIC设备低损耗，高性能与
通过毫米波频率的可重复性。
大的焊盘方便使用低电感丝带债券，
而金背侧金属化可为手动或自动
模具经80AU / 20Sn或SN62 / Pb36连接/ AG2焊料或电
导电银胶。
应用
该MA4BN1840-2毫米频率偏置网络是合适的
直流偏置PIN二极管控制电路的RF- DC
去耦网络中，常规偏置T形，并作为直流
恢复网络。该装置还可以用来作为一个双向
重新活跃耦合器肖特基检波器电路。直流电流高达
150毫安和直流电压高达50伏，可以使用
绝对最大额定值
1
@ TA = 25 ℃，
（除非另有规定编）
参数
工作温度
储存温度
芯片粘接温度
RF C.W.入射功率
直流偏置电流
直流偏置电压
价值
-65 ° C至+125°C
-65 ° C至+150°C
320 ℃下进行20秒
10瓦
+/- 150毫安
+/- 50 V
1.超过任何这些值可能会导致永久性的
损坏
单片HMIC集成双偏置网络18 - 40 GHz的
电气规格@ T
A
= +25 °C
（在晶圆测量值）
参数
插入损耗
射频 - 直流隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
MA4BN1840-2
V 1.00
频率最低
价值
18-40 GHz的
18-40 GHz的
18-40 GHz的
18-40 GHz的
-
30
15
15
平均
价值
0.25
35
17
17
最大
价值
0.4
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
RF性能（晶圆测量几个器械）
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
J1 -J2插入损耗
频率， GHz的
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
10
15
20
25
30
35
40
45
50
2
J1 - J2输入回波损耗
频率， GHz的
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
单片HMIC集成双偏置网络18 - 40 GHz的
MA4BN1840-2
V 1.00
RF性能（晶圆测量几个器械）
分贝（
0
-5
-10
-15
M''.
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
10
15
20
25
30
35
40
45
50
J2 ， J1输出回波损耗
频率， GHz的
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
10
15
RF- DC隔离
20
25
30
35
40
45
50
频率， GHz的
3
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
单片HMIC集成双偏置网络18 - 40 GHz的
MA4BN1840-2大纲
MA4BN1840-2
V 1.00
MA4BN1840-2外形尺寸
mm
密尔
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
RF焊垫
直流焊垫
厚度
分钟。
57.7
68.7
26.3
31.4
14.8
20.6
5.3
4.4
马克斯。
58.9
69.9
27.5
32.6
19.0
21.8
6.4
5.6
分钟。
1.47
1.75
0.67
0.80
0.38
0.52
0.13
0.11
马克斯。
1.78
1.08
0.70
0.83
0.41
0.55
0.16
0.14
5.1 X 5.9 REF 。
8.7 X 4.7 REF 。
0.005参考。
0.130 X 0.150 REF 。
0.220 X 0.120 REF 。
0.125 REF 。
4
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
单片HMIC集成双偏置网络18 - 40 GHz的
大会注意事项
以下预防措施应遵守防止
破坏这些芯片。
MA4BN1840-2
V 1.00
MOUNTING
这些芯片有钛铂金顶面和背面的金属。他们
可模安装有金 - 锡或铅 - 锡 - 银共晶
焊料预制件或导电银环氧树脂。
安装面必须清理干净的有机污染物和
平板最佳的粘接效果。
清洁度
这些芯片必须在一个干净的环境中操作。别
试图安装后清理模具。
共晶芯片连接
80/20金 - 锡共晶焊料预制建议
带255的工作表面温度
o
C和工具提示
265温
o
C.当热气体被施加，刀尖
温度应在290
o
C的芯片不应该
暴露在温度高于320
o
下超过20
秒。应要求为不超过三秒
附件。
静电灵敏度
该MA4BN1840-2双偏置网络是ESD， 1级敏感
略去。适当的ESD处理程序应使用。
引线键合
用0.003 “× 0.00025 ”热超声楔键合丝
色带或焊球接合用0.001 “直径的金线是
推荐使用。 150的一个阶段温度
o
C和的力量
18至22克应该被使用。超声波能量应
调节到所需的最低限度。射频债券应尽可能
短越好，以获得最佳性能。
导电型环氧
芯片连接
大会应预热至125-150
o
C.最小
应使用环氧树脂的量，约1至2密耳
厚度为最好的电和热传导性。薄
环氧角应在芯片的周边可见
放置后。治愈按照制造商的环氧树脂
时间 - 温度时间表。
5
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
MA4BN1840-2
单片HMIC
集成的偏置网络
特点
宽的带宽指定18到40GHz
可用的10GHz的50 GHz的
极低的插入损耗
高RF- DC隔离
坚固耐用，全单片玻璃封装
符合RoHS
修订版V3
描述
该MA4BN1840-2是一个完全集成的宽带偏见
网络使用M / A - COM的HMIC （异类微
波集成电路）的过程中，美国专利5268310 。
这个过程允许通过形成硅通孔的
沿嵌入他们低损耗，低色散玻璃
具有高Q值螺旋电感和MIM电容。该
元件和组合之间靠近
硅和玻璃给出了这样的HMIC设备损耗低，
高性能通过的可重复性
毫米波频率。
TM
黄色区域表示焊垫
大的焊盘便于使用低电感
带状债券，而黄金背面金属化
提供的RF和DC接地。这允许手动
或自动模切通过导电银附加
环氧树脂或符合RoHS标准的焊锡。
.
概要
应用
该MA4BN1840-2偏置网络是适合的
直流偏置的PIN二极管控制电路。它的功能
作为RF - DC去耦网络以及直流
返回。该装置还可以用来作为一个双向
重新活跃耦合器肖特基检波器电路。特区
电流高达150 mA和DC电压高达50 V
可被使用。
J1 （IN）的
J2 （OUT）
最大工作条件，在+ 25°C
（除非另有说明）
参数
工作温度
储存温度
芯片粘接温度
RF C.W.入射功率
直流偏置电流
直流偏置电压
特区
地
B1
B2
直流偏压＃ 1直流偏压＃ 2
特区
地
价值
-65 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
320 ℃下进行20秒
10瓦
+/- 150毫安
+/- 50 V
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4BN1840-2
单片HMIC
集成的偏置网络
符合RoHS
修订版V3
电气规格@ T
AMB
= +25
o
C对晶圆测量
参数
频率
最低
价值
平均
价值
最大
价值
单位
插入损耗
射频 - 直流隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
18-40 GHz的
18-40 GHz的
18-40 GHz的
18-40 GHz的
-
30
15
15
0.25
35
17
17
0.4
-
-
-
dB
dB
dB
dB
典型的射频性能在T
A
= +25°C
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
损耗（dB）
J1 -J2插入损耗
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
10
15
20
25
30
频率。 （千兆赫）
35
40
45
50
0
-5
-10
-15
损耗（dB）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
10
2
J1 - J2输入回波损耗
15
20
25
频率。 （千兆赫）
35
30
40
45
50
频率。 （千兆赫）
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4BN1840-2
单片HMIC
集成的偏置网络
符合RoHS
典型的射频性能在T
A
= +25°C
修订版V3
0
-5
-10
-15
-20
损耗（dB）
J2 ， J1输出回波损耗
-25
-30
-35
-40
-45
-50
10
15
20
25
30
频率。 （千兆赫）
35
40
45
50
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
损耗（dB）
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
10
15
RF- DC隔离
20
25
30
频率。 （千兆赫）
35
40
45
50
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4BN1840-2
单片HMIC
集成的偏置网络
符合RoHS
密尔
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
RF焊垫
J1 & J2
直流焊垫
B1 B2 &
切屑厚度
民
57.7
68.7
26.5
31.5
15.5
20.5
4.4
4.4
最大
58.9
69.9
27.5
32.5
16.5
21.5
5.6
5.6
修订版V3
MILLIMETERS
民
1.47
1.75
0.67
0.80
0.38
0.52
0.13
0.11
.150 X .130
.220 X .120
0.125
最大
1.78
1.08
0.70
0.83
0.41
0.55
0.16
0.14
REF 。
REF 。
REF 。
5.9 X 5.1 REF 。
8.7 X 4.7 REF 。
0.005
REF 。
注意：
黄色区域是黄金焊垫
大会注意事项
清洁度
这些芯片必须在一个干净的环境中操作。
静电灵敏度
该MA4BN1840-2偏置网络是ESD， 1B类敏感。适当的ESD处理程序应
使用。
引线键合
用0.003热超声楔引线键合“× 0.00025 ”带状或球0.001粘合“直径的金线是
推荐使用。应采用150℃的一个阶段的温度和18至22克的力量。超声波能量
应调整到所需要的最低限度。 RF债券应尽可能短，以获得最佳性能。
MOUNTING
这些芯片有钛铂金顶面和背面的金属。它们可以被模安装有任一金 - 锡共晶
预成型焊片，符合RoHS标准焊料或导电银胶。安装面必须清理干净
有机污染物和平板的最佳粘接效果。
共晶芯片连接
80/20金 - 锡共晶焊料预制片，推荐为255 ℃的工作表面温度和刀尖
温度为265℃ 。当热气体被施加，刀尖温度应在290 ℃。该芯片不应该
暴露在温度高于320 ℃下进行20秒以上。不超过三秒应
所需的附件。
导电环氧树脂模具附件
大会应预热至125-150 ℃。应采用环氧树脂的最小量，大约为1 2
密耳厚度为最好的电和热传导性。薄环氧角应在可见
放置后的芯片的周边。治愈每制造商的时间 - 温度安排环氧树脂。通常为150 ℃下
1小时。
ROHS焊接
请参阅应用笔记
M538第7页
对
M / A- COM网站
对于推荐的加热曲线。
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4BN1840-2
单片HMIC
集成的偏置网络
符合RoHS
修订版V3
在MA4BN1840-2操作
该MA4BN1840-2偏置网络的宽带操作通过施加直流偏置的“B1”来实现和
“B2”直流偏置端口上冲模。的输出， J1和/或J2提供的DC偏置到相应的连接，
微波设备（多个） 。该MA4BN1840-2可以同时结合被用于DC偏压（2）的设备
用它可以用来作为直流偏置返回的MA4BN1840-1 。小直流电阻（ < 1
)
的
直流偏置端口可高达+/- 150毫安@ +/- 50 V交付，同时仍保持> 35分贝射频到直流
隔离。
MA4BN1840-2示意图
J1 （IN）的
J2 （OUT）
直流接地
B1 ：直流偏压＃ 1
B2 ：直流偏压＃ 2
直流接地
5
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
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