这个版本： 1999年3月
半导体
MSC23CV232D-xxBS4
2,097,152字×32位动态RAM模块：快速页面模式类型
描述
该MSC23CV232D - xxBS4是一个完全解码， 2,097,152字×32位CMOS动态随机存取存储器
装上四个去耦电容模块采用TSOP封装由四个16Mb的DRAM的（ 2Mx8 ）
72针的环氧玻璃小外形封装。该模块支持任何应用程序在高密度和大
存储存储器的容量是必需的。
特点
· 2,097,152字×32位的组织
· 72引脚小外形双列直插内存模块
MSC23CV232D - xxBS4 ：金标签
· + 3.3V单电源± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 2048cycles / 32ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页模式功能
·多位测试模式功能
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
MSC23CV232D-60BS4
MSC23CV232D-70BS4
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
周期
时间
（分）
110ns
130ns
功耗
操作（最大）
待机（最大）
1296mW
7.2mW
1152mW
半导体
MSC23CV232D
模块的外形
MSC23CV232D-xxBS4
（单位：毫米）
2.4Max.
25.4±0.13
3.18±0.13
2.0±0.13
1
2.62Typ.
*1
71
5.5Min.
44.45±0.1
59.69±0.2
1.00±0.1
* 1高度的板宽度19.78毫米的常见尺寸差被指定为± 0.2 。
以上19.78毫米的值被指定为±0.5 。
R2.0
1.0±0.1
17.78±0.13
最大0.25 。
1.8±0.1
2-φ1.8
3.03
72
2
3.25Typ.
44.45±0.1
51.66±0.1
5.00
R2.0
0.23分钟。
1.27±0.1
半导体
MSC23CV232D
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
* TA = 25℃
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
4
0至+70
-40到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
电源电压
V
SS
输入高电压
输入低电压
V
IH
V
IL
0
2.0
-0.3
0
-
-
0
V
CC
+0.3
0.8
V
V
V
符号
V
CC
分钟。
3.0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
单位
V
电容
( V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ A0 - A10 ）
输入电容（ / WE）
输入电容（ / RAS0 ， / RAS2 ）
输入电容（ / CAS0- / CAS3 ）
I / O电容（ DQ0 - DQ31 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
27
35
20
13
13
单位
pF
pF
pF
pF
pF
QQ：2881677436 复制
