2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
1N6817
(
MSASC25W100K)
特点
1N6817R
(
MSASC25W100KR)
100伏
25安培
低反向
泄漏
肖特基二极管
马克斯。
100
100
100
25
(3.3)
120
2
-55到+175
-55到+175
1.25
1.35
钨肖特基势垒
氧化钝化结构
增加反向能量的能力保护环保护
外延结构最小正向电压降
密封，低调的陶瓷表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
可作为标准极性（带阳极是： 1N6817 ）和反向
极性（表带阴极： 1N6817R ）
TXV级筛选（ MSASC25W100KV ）或S级（ MSASC25W100KS ）
筛选i.a.w. Microsemi的内部程序PS11.50可用
最大额定值@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流，T
c
≤
145°C
降额，正向电流，T
c
≥
145°C
非重复性峰值浪涌电流，T
p
= 8.3毫秒，半正弦波
峰值重复反向浪涌电流，T
p
= 1μs的时间， F = 1kHz时
结温范围
存储温度范围
热阻，结到外壳：
1N6817
1N6817R
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AVE ）
dI
F
/ DT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
英镑
θ
JC
单位
伏
伏
伏
安培
安培/°C的
安培
AMP
°C
°C
° C / W
机械概要
ThinKey2
2000数据表＃ MSC1034B月，
2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
1N6817
(
MSASC25W100K)
特点
1N6817R
(
MSASC25W100KR)
100伏
25安培
低反向
泄漏
肖特基二极管
马克斯。
100
100
100
25
(3.3)
120
2
-55到+175
-55到+175
1.25
1.35
钨肖特基势垒
氧化钝化结构
增加反向能量的能力保护环保护
外延结构最小正向电压降
密封，低调的陶瓷表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
可作为标准极性（带阳极是： 1N6817 ）和反向
极性（表带阴极： 1N6817R ）
TXV级筛选（ MSASC25W100KV ）或S级（ MSASC25W100KS ）
筛选i.a.w. Microsemi的内部程序PS11.50可用
最大额定值@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流，T
c
≤
145°C
降额，正向电流，T
c
≥
145°C
非重复性峰值浪涌电流，T
p
= 8.3毫秒，半正弦波
峰值重复反向浪涌电流，T
p
= 1μs的时间， F = 1kHz时
结温范围
存储温度范围
热阻，结到外壳：
1N6817
1N6817R
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AVE ）
dI
F
/ DT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
英镑
θ
JC
单位
伏
伏
伏
安培
安培/°C的
安培
AMP
°C
°C
° C / W
机械概要
ThinKey2
2000数据表＃ MSC1034B月，
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