2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
MSAGZ52F120A
MSAHZ52F120A
1200伏
52安培
3.2电压VCE （SAT）
N沟道
绝缘栅
双极晶体管
特点
坚固的多晶硅栅单元结构
高电流处理能力，闩锁防
密封，表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
反极性可根据要求： MSAH （ G） Z52F120B
高频的IGBT ，低开关损耗
反平行FREDiode （ MSAHZ52F120A只）
最大额定值@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
集电极 - 发射极击穿电压（栅极短路到发射极）
@ T
J
≥
25°C
符号
BV
CES
BV
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM(25)
I
CM(90)
E
AS
I
C（ SC ）
I
C（ SC ） RBSOA
P
D
T
j
T
英镑
I
S
I
SM
θ
JC
马克斯。
1200
1200
+/-20
+/-30
52
33
104
66
65
260
66
300
-55到+150
-55到+150
50
100
0.4
集热器
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
mJ
A
A
瓦
°C
°C
安培
安培
° C / W
集电极 - 栅极击穿电压
@ T
J
≥
25℃下，R
GS
= 1 M
连续的门极 - 发射极电压
短暂的门极 - 发射极电压
连续集电极电流
TJ = 25°C
TJ ？
90°C
峰值集电极电流（脉冲宽度限制T
JMAX
,)
90°C
TJ = 25°C
TJ ？
雪崩能量（单脉冲）
@ I
C
= 25A ，V
CC
= 50V ，L = 200μH ，
短路电流（ SOA）
短路（反向）电流（ RBSOA ）
V
CE
≤
1200V ，T
J
= 150°C
功耗
结温范围
存储温度范围
连续源电流（体二极管， MSAHZ52F120A只）
脉冲源电流（体二极管， MSAHZ52F120A只）
热阻，结到外壳
R
G
= 25Ω ， TJ = 25°C
V
CE
≤
1200V ，T
J
= 150℃ ，T
sc
≤
10s
机械概要
发射器（ MS ... A）
GATE （ MS ... B）
数据表＃ MSC0295A
MSAGZ52F120A
MSAHZ52F120A
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
集电极 - 发射极击穿电压
（栅极短路到发射极）
栅极阈值电压
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流（零门
电压集电极电流）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
GES
I
CES
V
CE （ SAT ）
条件
V
GS
= 0 V，I
C
= 250
A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 350
A
V
GE
=
±
20V
DC
, V
CE
= 0
V
CE
=0.8BV
CES
V
GE
= 0 V
V
GE
= 15V ，我
C
= 25A
I
C
= 25A
I
C
= 60A
I
C
= 30A
V
CE
= 20V;我
C
= 25 A
民
1200
4.5
典型值。
5.5
最大
6.5
±100
±200
250
1000
3.2
3.9
单位
V
V
nA
A
V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8.5
正向跨导（ 1 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
感性负载， TJ = 125°C
°
导通延迟时间
上升时间
ON能源
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
感性负载， TJ = 125°C
°
导通延迟时间
上升时间
ON能源
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极 - 集电极（米勒）充电
反并联二极管的正向电压（ MSAHZ52F120A
只）
反并联二极管的反向恢复时间
（仅MSAHZ52F120A ）
反并联二极管的反向恢复电荷
（仅MSAHZ52F120A ）
反并联二极管峰值恢复电流
（仅MSAHZ52F120A ）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
Q
g
Q
ge
Q
gc
V
F
t
rr
Q
rr
I
RM
2.7
3.3
3.4
4.3
20
1650
250
110
75
65
3.6
420
45
2.4
95
90
10
420
45
4.2
160
20
75
2.4
2
60
S
2200
380
160
110
100
560
60
pF
V
GE
= 0 V, V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GE
= 15 V, V
CE
= 600 V,
I
C
= 25 A，R
G
= 47
,
L= 100
H
注2,3
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
nC
V
GE
= 15 V, V
CE
= 600 V,
I
C
= 50 A，R
G
= 47
,
L= 100
H
注2,3
V
GE
= 15 V, V
CE
= 600V ，我
C
= 25A
T
J
= 25
°C
T
J
= 100
°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 800 A /我们，T
J
= 125°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 800 A /我们，T
J
= 125°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 800 A /我们，T
J
= 125°C
I
E
= 10 A
I
E
= 10 A
I
E
= 10 A,
I
E
= 10 A,
I
E
= 10 A,
I
E
= 10 A,
I
E
= 10 A,
I
E
= 10 A,
3
待定
待定
800
待定
22
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
笔记
(1)
(2)
(3)
(4)
脉冲测试，T
≤
300
S，占空比
δ ≤
2%
开关时间和损失可能会增加较大的V
CE
和/或R
G
值或更高的结温。
开关损耗包括“尾巴”的损失
Microsemi公司不生产的IGBT芯片;接触公司的详细信息。
QQ：2880707522 复制
