PEDS82V32520-01
1
半导体
MS82V32520
524,288-Word
×
32-Bit
×
2 ，银行FIFO ， SGRAM
这个版本：
2001年7月
初步
概述
该MS82V32520是32兆位系统时钟同步动态随机存取存储器。除了
常规的随机读/写存取功能， MS82V32520提供自动行地址增量
功能，自动银行切换功能。因此，如果一次的行和列地址被置位，
连续串行访问是可能的，而银行会自动切换至预充电的输入
命令。该MS82V32520是理想的数码相机和电视机缓冲存储器应用。
特点
524,288字
×
32位
×
2组记忆（2048行
×
256列
×
32位
×
2银行）
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容的输入和输出
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程
CAS
延迟（ 2,3）的
连续自动地址递增函数和银行自动切换功能
关机操作和时钟暂停操作
4096刷新周期/ 64毫秒
自动刷新和自刷新功能
包装：
86针400密耳的塑料TSOP （II） （ TSOP （2） 86 -P- 400-0.50 -K）个
（产品： MS82V32520 - xxTA ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MS82V32520-75
MS82V32520-8
MS82V32520-10
马克斯。工作频率
133兆赫
125兆赫
100兆赫
存取时间
5.5纳秒
6纳秒
7纳秒
86引脚塑料TSOP （ II ） （ 400万）
包
1/42
PEDS82V32520-01
1
半导体
MS82V32520
引脚配置（顶视图）
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
CC
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA(A11)
NC
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
CC
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
CC
Q
DQ19
DQ20
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
CC
Q
DQ23
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
CC
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
CC
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
CC
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
CC
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
86引脚塑料TSOP （ II ）
（ K型）
引脚名称
A0 – A10
A0 – A7
BA(A11)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
功能
行地址输入
列地址输入
银行地址
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
引脚名称
WE
DQM0 DQM3
DQ0 DQ31
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
功能
写使能
DQ面膜启用
数据输入/输出
电源电压
地
电源电压DQ
地面DQ
无连接
注意：相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
引脚和V
CC
Q引脚。
同一接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚和V
SS
Q引脚。
为四组64兆SDRAM中，引脚22 = BA0和引脚23 = BA1 ，而在两行64兆
SDRAM ，引脚22 = BA 。
因此，当MS82V32520被用来代替一个64兆的SDRAM，必须注意在
银行地址控制。
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PEDS82V32520-01
1
半导体
MS82V32520
引脚说明
CLK
CS
CKE
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
行&列复用。
行地址： RA0 - RA10
列地址： CA0 - CA7
选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和
在读列地址锁存时间/写。
BA = “ L” ：银行A
BA = “H” ： B银行
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
DQM3设置"H"在"H"边缘 - 两个钟后，当DQM0口罩读取数据
CLOCK信号。
掩模相同的时钟的时DQM0写数据 - DQM3设置"H"在"H"边缘的
CLOCK信号。
DQM0控制DQ0到DQ7 ， DQM1控制DQ8到DQ15 ， DQM2控制DQ16到DQ23和
DQM3控制DQ24到DQ31 。
数据输入/输出复用相同的引脚。
地址
BA
RAS
CAS
WE
DQM0 -
DQM3
DQ0 DQ31
*注： 1.当
CS
设置"High"从"Low"时钟过渡到"High" ，除了CLK ， CKE所有输入，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3是无效的。
2.当发出一个积极的，读或写命令时，该行被选中学士学位。
BA
0
1
主动，读取或写入
银行
B组
3.自动预充电功能启用或禁用的A10 / AP输入时读或
写命令被发出。
A10/AP
0
1
0
1
BA
0
0
1
1
手术
爆结束后， A银行持有的工作状态。
爆结束后， A银行会自动预充电。
脉冲串的结束后，存储体B保持活性状态。
脉冲串的结束后，存储体B被自动预充电。
4.当发出预充电命令，该行预充电选择了A10 / AP
和BA的投入。
A10/AP
0
0
1
BA
0
1
×
手术
A银行预充电。
B银行进行预充电。
两家银行A和B被预充电。
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PEDS82V32520-01
1
半导体
MS82V32520
指令操作
模式寄存器设置命令（ CS
RAS CAS WE
= “低” ）
CS ，
CS RAS ， CAS ，
该MS82V32520有模式寄存器定义的操作模式“ CAS延迟，突发长度，突发
序列“ 。刚过MS82V32520上电模式寄存器设置命令应该被执行。
在输入此命令，所有银行都必须预充电。下一个命令吨后发出
RSC
.
自动刷新命令（ CS
RAS CAS
= “低” ，
WE
= '高' ）
CS ，
CS RAS ，
自动刷新命令执行的地址计数器自动刷新。在刷新操作必须是
进行4096次内64毫秒，下一个命令吨后发出
RC
从上自动刷新
命令。在输入此命令，所有银行都必须预充电。
自刷新进入/退出命令（ CS
RAS CAS CKE
= “低” ，
WE
= '高' ）
CS ，
CS RAS ， CAS ，
自刷新操作继续自刷新进入命令进入后，用左“低” CKE水平。
此操作终止通过使CKE电平“高” 。通过自动执行自刷新操作
在MS82V32520芯片上的内部地址计数器。
在自刷新模式时，不需要外部刷新控制。在进入自刷新模式下，所有银行都必须
预充电。下一个命令吨后发出
RC
.
单个组预充电命令（ CS
RAS WE
A10 / AP = “低” ，
CAS
= '高' ）
CS ，
CS RAS ， WE ，
在单个组预充电命令触发银行预充电操作。预充电银行被选中学士学位。
所有银行预充电命令（ CS
RAS WE
= “低” ，
CAS
A10 / AP = “高” ）
CS ，
CAS ，
CS RAS ，
在所有银行预充电命令触发这两个银行的A和B的预充电
如果此命令是在特殊的银行主动模式下执行，特殊银行主动模式被终止。
银行主动命令（ CS
RAS
= “低” ，
CAS WE
= '高' ）
CS ，
CAS ，
CS
该行激活命令激活由BA选择银行。该行激活命令对应
传统的DRAM的
RAS
坠落操作。行地址“A0 - A10和BA ”被选通。
写命令（ CS
CAS WE
A10 / AP = “低” ，
RAS
= '高' ）
CS ，
CS CAS，WE ，
开始突发写操作的写命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是
选通。
带自动预充电命令写（ CS
CAS WE
= “低” ，
RAS
A10 / AP = “高” ）
CS ，
RAS ，
CS CAS ，
带自动预充电命令写入到开始后自动预充电突发写操作是必需的
突发写入。即中断该操作的任何命令不能发出。
读命令（ CS
CAS
A10 / AP = “低” ，
RAS WE
= '高' ）
CS ，
RAS ，
CS CAS ，
开始突发读操作的读命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是
选通。
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1
半导体
MS82V32520
524,288-Word
×
32-Bit
×
2 ，银行FIFO ， SGRAM
这个版本：
2001年7月
初步
概述
该MS82V32520是32兆位系统时钟同步动态随机存取存储器。除了
常规的随机读/写存取功能， MS82V32520提供自动行地址增量
功能，自动银行切换功能。因此，如果一次的行和列地址被置位，
连续串行访问是可能的，而银行会自动切换至预充电的输入
命令。该MS82V32520是理想的数码相机和电视机缓冲存储器应用。
特点
524,288字
×
32位
×
2组记忆（2048行
×
256列
×
32位
×
2银行）
采用3.3 V单
±0.3
V电源
LVTTL兼容的输入和输出
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程
CAS
延迟（ 2,3）的
连续自动地址递增函数和银行自动切换功能
关机操作和时钟暂停操作
4096刷新周期/ 64毫秒
自动刷新和自刷新功能
包装：
86针400密耳的塑料TSOP （II） （ TSOP （2） 86 -P- 400-0.50 -K）个
（产品： MS82V32520 - xxTA ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MS82V32520-75
MS82V32520-8
MS82V32520-10
马克斯。工作频率
133兆赫
125兆赫
100兆赫
存取时间
5.5纳秒
6纳秒
7纳秒
86引脚塑料TSOP （ II ） （ 400万）
包
1/42
PEDS82V32520-01
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半导体
MS82V32520
引脚配置（顶视图）
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
CC
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA(A11)
NC
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
CC
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
CC
Q
DQ19
DQ20
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
CC
Q
DQ23
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
CC
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
CC
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
CC
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
CC
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
86引脚塑料TSOP （ II ）
（ K型）
引脚名称
A0 – A10
A0 – A7
BA(A11)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
功能
行地址输入
列地址输入
银行地址
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
引脚名称
WE
DQM0 DQM3
DQ0 DQ31
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
功能
写使能
DQ面膜启用
数据输入/输出
电源电压
地
电源电压DQ
地面DQ
无连接
注意：相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
引脚和V
CC
Q引脚。
同一接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚和V
SS
Q引脚。
为四组64兆SDRAM中，引脚22 = BA0和引脚23 = BA1 ，而在两行64兆
SDRAM ，引脚22 = BA 。
因此，当MS82V32520被用来代替一个64兆的SDRAM，必须注意在
银行地址控制。
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1
半导体
MS82V32520
引脚说明
CLK
CS
CKE
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
行&列复用。
行地址： RA0 - RA10
列地址： CA0 - CA7
选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和
在读列地址锁存时间/写。
BA = “ L” ：银行A
BA = “H” ： B银行
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
DQM3设置"H"在"H"边缘 - 两个钟后，当DQM0口罩读取数据
CLOCK信号。
掩模相同的时钟的时DQM0写数据 - DQM3设置"H"在"H"边缘的
CLOCK信号。
DQM0控制DQ0到DQ7 ， DQM1控制DQ8到DQ15 ， DQM2控制DQ16到DQ23和
DQM3控制DQ24到DQ31 。
数据输入/输出复用相同的引脚。
地址
BA
RAS
CAS
WE
DQM0 -
DQM3
DQ0 DQ31
*注： 1.当
CS
设置"High"从"Low"时钟过渡到"High" ，除了CLK ， CKE所有输入，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3是无效的。
2.当发出一个积极的，读或写命令时，该行被选中学士学位。
BA
0
1
主动，读取或写入
银行
B组
3.自动预充电功能启用或禁用的A10 / AP输入时读或
写命令被发出。
A10/AP
0
1
0
1
BA
0
0
1
1
手术
爆结束后， A银行持有的工作状态。
爆结束后， A银行会自动预充电。
脉冲串的结束后，存储体B保持活性状态。
脉冲串的结束后，存储体B被自动预充电。
4.当发出预充电命令，该行预充电选择了A10 / AP
和BA的投入。
A10/AP
0
0
1
BA
0
1
×
手术
A银行预充电。
B银行进行预充电。
两家银行A和B被预充电。
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PEDS82V32520-01
1
半导体
MS82V32520
指令操作
模式寄存器设置命令（ CS
RAS CAS WE
= “低” ）
CS ，
CS RAS ， CAS ，
该MS82V32520有模式寄存器定义的操作模式“ CAS延迟，突发长度，突发
序列“ 。刚过MS82V32520上电模式寄存器设置命令应该被执行。
在输入此命令，所有银行都必须预充电。下一个命令吨后发出
RSC
.
自动刷新命令（ CS
RAS CAS
= “低” ，
WE
= '高' ）
CS ，
CS RAS ，
自动刷新命令执行的地址计数器自动刷新。在刷新操作必须是
进行4096次内64毫秒，下一个命令吨后发出
RC
从上自动刷新
命令。在输入此命令，所有银行都必须预充电。
自刷新进入/退出命令（ CS
RAS CAS CKE
= “低” ，
WE
= '高' ）
CS ，
CS RAS ， CAS ，
自刷新操作继续自刷新进入命令进入后，用左“低” CKE水平。
此操作终止通过使CKE电平“高” 。通过自动执行自刷新操作
在MS82V32520芯片上的内部地址计数器。
在自刷新模式时，不需要外部刷新控制。在进入自刷新模式下，所有银行都必须
预充电。下一个命令吨后发出
RC
.
单个组预充电命令（ CS
RAS WE
A10 / AP = “低” ，
CAS
= '高' ）
CS ，
CS RAS ， WE ，
在单个组预充电命令触发银行预充电操作。预充电银行被选中学士学位。
所有银行预充电命令（ CS
RAS WE
= “低” ，
CAS
A10 / AP = “高” ）
CS ，
CAS ，
CS RAS ，
在所有银行预充电命令触发这两个银行的A和B的预充电
如果此命令是在特殊的银行主动模式下执行，特殊银行主动模式被终止。
银行主动命令（ CS
RAS
= “低” ，
CAS WE
= '高' ）
CS ，
CAS ，
CS
该行激活命令激活由BA选择银行。该行激活命令对应
传统的DRAM的
RAS
坠落操作。行地址“A0 - A10和BA ”被选通。
写命令（ CS
CAS WE
A10 / AP = “低” ，
RAS
= '高' ）
CS ，
CS CAS，WE ，
开始突发写操作的写命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是
选通。
带自动预充电命令写（ CS
CAS WE
= “低” ，
RAS
A10 / AP = “高” ）
CS ，
RAS ，
CS CAS ，
带自动预充电命令写入到开始后自动预充电突发写操作是必需的
突发写入。即中断该操作的任何命令不能发出。
读命令（ CS
CAS
A10 / AP = “低” ，
RAS WE
= '高' ）
CS ，
RAS ，
CS CAS ，
开始突发读操作的读命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是
选通。
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