【OKI半导体MS82V16520A262,144-Word×32-Bit×2 ，银行SGRAMFED】,IC型号MS82V16520A-8,MS82V16520A-8 PDF资料,MS82V16520A-8经销商,ic,电子元器件-51电子网

OKI半导体

MS82V16520A

262,144-Word

32-Bit

2 ，银行SGRAM

FEDS82V16520A-01

发布日期：六月25 ， 2002年

概述

该MS82V16520A是一个16兆位的系统时钟同步动态随机存取存储器。

特点

262,144字

32位

2组记忆（1,024行

256列

32位

2银行）

采用3.3 V单

±0.3

V电源

LVTTL兼容的输入和输出

可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）

可编程

CAS

延迟（ 2,3）的

关机操作和时钟暂停操作

2048刷新周期/ 32毫秒

自动刷新和自刷新功能

包装：

100引脚塑料QFP （ QFP100 -P - 1420-0.65 - BK4 ）

(MS82V16520A-xGA)

x表示速度等级。

产品系列

家庭

MS82V16520A-7

MS82V16520A-8

马克斯。工作频率

143兆赫

125兆赫

存取时间

6纳秒

6.5纳秒

包

100引脚塑料QFP

1/40

FEDS82V16520A-01

OKI半导体

MS82V16520A

引脚配置（顶视图）

DQ2

VSSQ

DQ1

DQ0

VCC

VSS

DQ31

DQ30

VSSQ

DQ29

100

DQ3

VCCQ

DQ4

DQ5

VSSQ

DQ6

DQ7

VCCQ

DQ16

DQ17

VSSQ

DQ18

DQ19

VCCQ

VCC

VSS

DQ20

DQ21

VSSQ

DQ22

DQ23

VCCQ

DQM0

DQM2

CAS

RAS

BA(A10)

DQ28

VCCQ

DQ27

DQ26

VSSQ

DQ25

DQ24

VCCQ

DQ15

DQ14

VSSQ

DQ13

DQ12

VCCQ

VSS

VCC

DQ11

DQ10

VSSQ

DQ9

DQ8

VCCQ

DQM3

DQM1

CLK

CKE

引脚名称

A0到A9

A0到A7

BA （ A10 ）

CLK

CKE

RAS

CAS

VCC

VSS

100引脚塑料QFP

功能

行地址输入

列地址输入

银行地址

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通

列地址选通

引脚名称

DQM0到DQM3

DQ0到DQ31

功能

写使能

DQ面膜启用

数据输入/输出

电源电压

地

电源电压DQ

地面DQ

无连接

注意：相同的电源电压电平必须被设置到每一个V

引脚和V

Q引脚。

同一接地电压电平必须被设置到每一个V

引脚和V

Q引脚。

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FEDS82V16520A-01

OKI半导体

MS82V16520A

框图

CKE

CLK

RAS

CAS

DQM0到

DQM3

I / O

调节器

定时

银行

调节器

国内

歌罗西书

地址

计数器

A0到A9

COLUMN

地址

缓冲器

COLUMN

解码器

输入

数据

输入

缓冲器

SENSE

放大器器

国内

ROW

地址

计数器

阅读32

数据

产量

缓冲器

DQ0

到DQ31

ROW

解码器

ROW

解码器

字

DRIVERS

字

DRIVERS

8Mb

存储单元

银行

8Mb

存储单元

B组

ROW

地址

缓冲器

SENSE

放大器器

COLUMN

解码器

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FEDS82V16520A-01

OKI半导体

MS82V16520A

引脚说明

CLK

获取所有输入的"H"边缘。

禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，

DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3 。

口罩系统时钟停用以后CLK操作。

如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是

停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。

行&列复用。

行地址： RA0到RA9 ，

列地址： CA0至CA7

CKE

地址

RAS

CAS

选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和

在读列地址锁存时间/写。

BA = “ L” ：银行A

BA = “H” ： B银行

功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。

两个时钟后，当DQM0到DQM3设置"H"在"H"边缘的掩模所读取的数据

CLOCK信号。

掩模相同的时钟的时DQM0到DQM3设置"H"在"H"边缘的所述写入数据

CLOCK信号。

DQM0控制DQ0到DQ7 ， DQM1控制DQ8到DQ15 ， DQM2控制DQ16到DQ23和

DQM3控制DQ24到DQ31 。

数据输入/输出复用相同的引脚。

DQM0到

DQM3

DQ0到

DQ31

*注： 1.当

设置"High"从"Low"时钟过渡到"High" ，除了CLK ， CKE所有输入，

DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3是无效的。

2.当发出一个积极的，读或写命令时，该行被选中学士学位。

主动，读取或写入

银行

B组

3.自动预充电功能被启用或由A9的输入无效时，读出或写入

命令被发出。

手术

爆结束后， A银行持有的工作状态。

爆结束后， A银行会自动prechaged 。

脉冲串的结束后，存储体B保持活性状态。

脉冲串的结束后，存储体B被自动prechaged 。

4.当发出预充电命令，该行预充电选择的A9和

BA输入。

手术

A银行预充电。

B银行进行预充电。

两家银行预充电。

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FEDS82V16520A-01

OKI半导体

MS82V16520A

指令操作

模式寄存器设置命令（ CS ，

RAS ， CAS ， WE

= “低” ）

该MS82V16520A有模式寄存器定义的操作模式“ CAS延迟，突发长度，突发

序列“ 。刚过MS82V16520A上电模式寄存器设置命令应该被执行。

在输入此命令，所有银行都必须预充电。下一个命令吨后发出

RSC

自动刷新命令（ CS ，

RAS ， CAS

= “低” ，

WE ，

CKE = “高” ）

自动刷新命令执行的地址计数器自动刷新。在刷新操作必须是

进行2048次内32毫秒，下一个命令吨后发出

从上自动刷新

命令。在输入此命令，所有银行都必须预充电。

自刷新进入/退出命令（ CS ，

RAS ， CAS ，

CKE = “低” ，

= '高' ）

自刷新操作继续自刷新进入命令进入后，用左“低” CKE水平。

此操作终止通过使CKE电平“高” 。通过自动执行自刷新操作

在MS82V16520A芯片内部地址计数器。

在自刷新模式时，不需要外部刷新控制。在进入自刷新模式下，所有银行都必须

预充电。下一个命令吨后发出

单个组预充电命令（ CS ，

RAS ， WE，

A9 = “低” ，

CAS

= '高' ）

在单个组预充电命令触发银行预充电操作。预充电银行被选中学士学位。

所有银行预充电命令（ CS ，

RAS ， WE

= “低” ，

CAS ，

A9 = “高” ）

在所有银行预充电命令触发银行A和银行B两者的预充电

行激活命令（ CS ，

RAS

= “低” ，

CAS，WE

= '高' ）

该行激活命令激活由BA选择银行。该行激活命令对应

传统的DRAM的

RAS

坠落操作。行地址“ A0到A9和BA ”被选通。

写命令（ CS ，

CAS，WE ，

A9 = “低” ，

RAS

= '高' ）

开始突发写操作的写命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是

选通。

带自动预充电命令（ CS写，

CAS，WE

= “低” ，

RAS ，

A9 = “高” ）

带自动预充电命令写入到开始后自动预充电突发写操作是必需的

突发写入。即中断该操作的任何命令不能发出。

读命令（ CS ，

CAS ，

A9 = “低” ，

RAS ， WE

= '高' ）

开始突发读操作的读命令是必需的。那么突发存取初始位的列地址是

选通。

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