P
F( AV )
,正向平均功耗( W)
10.0
4
注2
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
5
8
7
9 10
3
4
6
2
I
F( AV )
,平均正向电流( A)
图。 6前向功率耗散
1
注3
T
j
= 125°C
新产品
I
F
,直流正向电流( A)
8.0
注1
6.0
注2
4.0
注3
2.0
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 4直流正向电流降额
注意事项:
1. T
A
= T
焊接点
, R
QJS
= 2.5 ℃/ W,R
QSA
= 0 ° C / W 。
2.设备安装在GETEK基板,2 “×2 ” , 2盎司铜,双面,阴极板尺寸0.75 “ ×1.0 ” ,阳极板
尺寸0.25 “ ×1.0 ” 。
qJA
在20-35 ° C / W的范围。
3.设备安装在FR-4基板, 2 “×2 ” , 2盎司铜,单面焊盘布局,每个二极管公司建议焊盘布局
文件AP02001 ,可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
qJA
在范围内
75-100°C/W.
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
(注4 )
包装
POWERMITE3
航运
5000 /磁带&卷轴
订购信息
设备
MBRM760-13
标识信息
MBRM760
YYWW ( K)
MBRM760 =产品型号标识代码
=制造商标识代码
YYWW =日期代码标
YY =最后一位今年前: 2 2002
WW =星期代码01到52
( K) =工厂代号
正在开发中
POWERMITE
是Microsemi的公司的注册商标。
DS30357修订版2 - 1
3 3
www.diodes.com
MBRM760