飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRFG35002N6T1由MRFG35002N6AT1取代。
文档编号： MRFG35002N6
第2版， 1/2008
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS / BWA或UMTS驱动器应用。特征
从500至5000兆赫。设备是无法比拟的，适合于AB类使用
客户端设备（ CPE ）应用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 6伏，我
DQ
=
65毫安，P
OUT
= 158.5毫瓦的魅力。 ， 3550 MHz的信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 10分贝
漏极效率 - 27 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 41 dBc的在3.84 MHz信道带宽
1.5瓦特的P1dB @ 3550 MHz的CW
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MRFG35002N6T1
3.5千兆赫， 1.5 W， 6 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
工作温度范围
符号
V
DSS
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
T
C
价值
8
-5
22
- 65 + 150
175
- 20 + 85
单位
VDC
VDC
DBM
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
15.2
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008年。保留所有权利。
MRFG35002N6T1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
最后点菜07年12月8日最后一艘船08年6月8日
终身买入
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
饱和漏极电流
(V
DS
= 3.5伏，V
GS
= 0伏）
关闭状态漏泄电流
(V
GS
= - 0.4伏，V
DS
= 0伏）
关机状态下漏电流
(V
DS
= 6伏，V
GS
= - 2.5伏）
关态电流
(V
DS
= 28.5伏，V
GS
= - 2.5伏）
栅 - 源切 - 断电压
(V
DS
= 3.5伏，我
DS
= 8.7毫安）
静态栅极电压
(V
DS
= 6伏，我
D
= 65 mA）的
符号
I
DSS
I
GSS
I
DSO
I
DSX
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
民
—
—
—
—
- 1.2
- 1.1
典型值
1.7
＆ LT ; 1.0
—
＆ LT ; 1.0
- 0.9
- 0.8
最大
—
100
600
9
- 0.7
- 0.6
单位
ADC
μAdc
μAdc
MADC
VDC
VDC
终身买入
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 6伏，我
DQ
= 65毫安， P
OUT
= 158.5毫瓦的魅力。 ， F = 3550兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
G
ps
h
D
ACPR
8.5
23
—
10
27
- 41
—
—
- 38
dB
%
dBc的
典型的射频性能
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 6伏，我
DQ
= 65 mA时， F = 3550 MHz的
输出功率， 1 dB压缩点， CW
P
1dB
—
1.5
—
W
MRFG35002N6T1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
最后点菜07年12月8日最后一艘船08年6月8日
V
BIAS
C8
C13
C12
C11
C10
C9
C7
R1
C19
C20
C6
RF
输入
Z1
C1
C3
C4
C23
Z2
Z3
Z4
Z5
C5
C22
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
C21
Z11
Z12
Z13
C24
Z14
C18
C17
C16
C15
C14
V
供应
RF
产量
Z1, Z14
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z11
Z7
0.044″
0.044″
0.044″
0.468″
0.468″
0.015″
0.031″
X 0.125 “微带
X 0.500 “微带
X 0.052 “微带
X 0.010 “微带
X 0.356 “微带
X 0.549 “微带
X 0.259 “微带
Z8
Z9
Z10
Z12
Z13
PCB
0.420 “× 0.150 ”微带
0.150 “× 0.068 ”微带
0.290 “× 0.183 ”微带
0.044 “× 0.115 ”微带
0.044 “× 0.894 ”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRFG35002N6测试电路原理图
表5. MRFG35002N6测试电路元件牌号和值
部分
C1, C24
C2
C3
C4
C5, C6, C21, C22
C7, C20
C8, C19
C9, C18
C10, C17
C11, C16
C12, C15
C13, C14
C23
R1
未使用
1.2 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
0.1
μF
贴片电容
39K pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
0.2 pF的贴片电容
100
Ω,
1/4 W贴片电阻
08051J1R2BBT
08051J0R7BBT
08051J6R8BBT
100A100JP150X
100A101JP150X
100B101JP500X
100B102JP50X
CDR33BX104AKWS
200B393KP50X
GRM55DR61H106KA88B
08051J0R2BBT
AVX
AVX
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
ATC
基美
AVX
描述
13 pF的贴片电容
产品型号
100A130JP150X
生产厂家
ATC
MRFG35002N6T1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
最后点菜07年12月8日最后一艘船08年6月8日
终身买入
典型特征
14
G
T
，换能器增益（dB ）
12
V
DS
= 6伏，我
DQ
= 75 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
Γ
S
= 0.813é115.4_,
Γ
L
= 0.748é147.8_
G
T
50
10
30
8
20
6
η
D
4
0
5
10
15
20
25
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
0
30
终身买入
图3.传感器增益和漏极
效率与输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
20
V
DS
= 6伏，我
DQ
= 75 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
Γ
S
= 0.813é115.4_,
Γ
L
= 0.748é147.8_
0
IRL ，输入回波损耗（分贝）
30
5
40
IRL
10
50
ACPR
60
0
6
12
18
24
P
OUT
，输出功率（dBm ）
15
20
30
图4.单 - 载波W - CDMA和ACPR
输入回波损耗与输出功率
注意：
所有数据被引用来包装引线接口。
Γ
S
和
Γ
L
是呈现给DUT的阻抗。
所有数据是从负载牵引产生，而不是从所示的测试电路。
η
D
，漏极效率（ ％ ）
40
MRFG35002N6T1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
最后点菜07年12月8日最后一艘船08年6月8日
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFG35002N6
第1版， 5/2006
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
专为WLL / MMDS / BWA或UMTS驱动器应用。特征
从500至5000兆赫。设备是无法比拟的，适合于AB类使用
客户端设备（ CPE ）应用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 6伏，我
DQ
=
65毫安，P
OUT
= 158.5毫瓦的魅力。 ， 3550 MHz的信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 10分贝
漏极效率 - 27 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 41 dBc的在3.84 MHz信道带宽
1.5瓦特的P1dB @ 3550 MHz的CW
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MRFG35002N6T1
3.5千兆赫， 1.5 W， 6 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
工作温度范围
符号
V
DSS
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
T
C
价值
8
-5
22
- 65 + 150
175
- 20 + 85
单位
VDC
VDC
DBM
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
15.2
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRFG35002N6T1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
饱和漏极电流
(V
DS
= 3.5伏，V
GS
= 0伏）
关闭状态漏泄电流
(V
GS
= - 0.4伏，V
DS
= 0伏）
关机状态下漏电流
(V
DS
= 6伏，V
GS
= - 2.5伏）
关态电流
(V
DS
= 28.5伏，V
GS
= - 2.5伏）
栅 - 源切 - 关闭电压
(V
DS
= 3.5伏，我
DS
= 8.7毫安）
静态栅极电压
(V
DS
= 6伏，我
D
= 65 mA）的
符号
I
DSS
I
GSS
I
DSO
I
DSX
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
民
—
—
—
—
- 1.2
- 1.1
典型值
1.7
＆ LT ; 1.0
—
＆ LT ; 1.0
- 0.9
- 0.8
最大
—
100
600
9
- 0.7
- 0.6
单位
ADC
μAdc
μAdc
MADC
VDC
VDC
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 6伏，我
DQ
= 65毫安， P
OUT
= 158.5毫瓦的魅力。 ， F = 3550兆赫，
单载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
G
ps
h
D
ACPR
8.5
23
—
10
27
- 41
—
—
- 38
dB
%
dBc的
典型的射频性能
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 6伏，我
DQ
= 65 mA时， F = 3550 MHz的
输出功率， 1 dB压缩点， CW
P
1dB
—
1.5
—
W
MRFG35002N6T1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C8
C13
C12
C11
C10
C9
C7
R1
C19
C20
C6
RF
输入
Z1
C1
C3
C4
C23
Z2
Z3
Z4
Z5
C5
C22
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
C21
Z11
Z12
Z13
C24
Z14
C18
C17
C16
C15
C14
V
供应
RF
产量
Z1, Z14
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z11
Z7
0.044 “× 0.125 ”微带
0.044 “× 0.500 ”微带
0.044 “× 0.052 ”微带
0.468 “× 0.010 ”微带
0.468 “× 0.356 ”微带
0.015 “× 0.549 ”微带
0.031 “× 0.259 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z12
Z13
PCB
0.420 “× 0.150 ”微带
0.150 “× 0.068 ”微带
0.290 “× 0.183 ”微带
0.044 “× 0.115 ”微带
0.044 “× 0.894 ”微带
罗杰斯4350 ， 0.020 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRFG35002N6测试电路原理图
表5. MRFG35002N6测试电路元件牌号和值
部分
C1, C24
C2
C3
C4
C5, C6, C21, C22
C7, C20
C8, C19
C9, C18
C10, C17
C11, C16
C12, C15
C13, C14
C23
R1
未使用
1.2 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
0.1
μF
贴片电容
39K pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
0.2 pF的贴片电容
100
Ω,
1/4 W贴片电阻
08051J1R2BBT
08051J0R7BBT
08051J6R8BBT
100A100JP150X
100A101JP150X
100B101JP500X
100B102JP50X
CDR33BX104AKWS
200B393KP50X
GRM55DR61H106KA88B
08051J0R2BBT
AVX
AVX
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
ATC
基美
AVX
描述
13 pF的贴片电容
产品型号
100A130JP150X
生产厂家
ATC
MRFG35002N6T1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
14
G
T
，换能器增益（dB ）
12
V
DS
= 6伏，我
DQ
= 75 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
Γ
S
= 0.813é115.4_,
Γ
L
= 0.748é147.8_
G
T
50
40
η
D
，漏极效率（ ％ ）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
10
30
8
20
6
η
D
4
0
5
10
15
20
25
P
OUT
，输出功率（dBm ）
10
0
30
图3.传感器增益和漏极
效率与输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
20
V
DS
= 6伏，我
DQ
= 75 mA时， F = 3550 MHz的
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽
Γ
S
= 0.813é115.4_,
Γ
L
= 0.748é147.8_
0
30
5
40
IRL
10
50
ACPR
60
0
6
12
18
24
P
OUT
，输出功率（dBm ）
15
20
30
图4.单 - 载波W - CDMA和ACPR
输入回波损耗与输出功率
注意：
所有数据被引用来包装引线接口。
Γ
S
和
Γ
L
是呈现给DUT的阻抗。
所有数据是从负载牵引产生，而不是从所示的测试电路。
MRFG35002N6T1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
