飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S9260H
第1版， 2/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA和多载波GSM基站应用
频率从865 MHz到960 MHz 。可以用在AB类和C类的所有
典型的蜂窝基站的调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
1700毫安， P
OUT
= 75瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
G
ps
（ dB）的
18.8
18.7
18.6
D
(%)
36.0
37.0
38.5
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
5.9
ACPR
（ DBC）
--39.5
--38.6
--37.1
MRF8S9260HR3
MRF8S9260HSR3
920-
-960兆赫， 75瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理7 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 380瓦CW
(1)
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
260瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
优化的Doherty应用
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(2,3)
CW操作@ T
C
= 25C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
CASE 465B-
-04
NI-
-880
MRF8S9260HR3
CASE 465C-
-03
NI-
-880S
MRF8S9260HSR3
价值
--0.5, +70
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
280
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
C
C
C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 75瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1800毫安
外壳温度80C ， 265 W CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1100毫安
符号
R
θJC
价值
(3,4)
0.37
0.31
单位
° C / W
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。
3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2009年， 2012年。保留所有权利。
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C
A
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1700 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.4 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2.4
0.1
2.3
3.1
0.2
3
3.9
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， P
OUT
= 75瓦的魅力。 ， F = 960 MHz时，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
D
PAR
ACPR
IRL
17.5
36.0
5.5
—
—
18.6
38.5
5.9
--37.1
--14
20.0
—
—
--35.0
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， P
OUT
= 75瓦平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
5
MHz偏移。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
（ dB）的
18.8
18.7
18.6
D
(%)
36.0
37.0
38.5
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
5.9
ACPR
（ dB）的
--39.5
--38.6
--37.1
IRL
（ dB）的
--16
--18
--14
（续）
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 130 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 75瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
(1)
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
典型值
260
10
最大
—
—
单位
W
兆赫
典型性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， 920--960 MHz带宽
VBW
水库
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
50
0.2
0.024
0.0075
—
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C21
R2
C7
C6
C8
C9
C19 C20
C10
C5 R1
切出区
C1 C2
C3
C4
C18
C11
C17
C16*
C12 C13
C14
C15
MRF8S9260H
第1版
* C16垂直安装。
图1. MRF8S9260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
表5. MRF8S9260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C6, C9, C12, C16
C2
C3
C4, C5
C7
C8, C13, C14, C19, C20
C10, C11
C15, C21
C17
C18
R1
R2
PCB
描述
36 pF的贴片电容
0.4 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
4.7
F,
50 V贴片电容
10
F,
50 V贴片电容
5.6 pF的贴片电容
470
F,
63 V电解电容器
4.3 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
10
,
1/4 W贴片电阻
0
,
3.5片式电阻
0.030,
r
= 3.5
产品型号
ATC100B360JT500XT
ATC100B0R4BT500XT
ATC100B4R7BT500XT
ATC100B8R2BT500XT
C4532X5R1H475MT
C5750X5R1H106MT
ATC100B5R6BT500XT
477KXM063M
ATC100B4R3BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
CRCW120610R0JKEA
CRCW12060000Z0EA
RF--35
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
TDK
ATC
伊利诺电容
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75 W（平均）。
I
DQ
1700毫安，单 - 载波W - CDMA
3.84 MHz信道带宽，输入信号
在CCDF PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
G
ps
ACPR
D
，沥干
效率（％）
21
20.5
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19.5
19
18.5
18
17.5
17
16.5
16
900
910
920
930
940
950
960
970
980
男，频率（MHz）
IRL
公园
D
42
40
38
36
34
--33
ACPR （ DBC）
--35
--37
--39
--41
--43
--9
--11
--13
--15
--17
--19
IRL ，输入回波损耗（分贝）
0
--0.5
--1
--1.5
--2
--2.5
PARC （分贝）
图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）
- 到 -
宽带性能@ P
OUT
= 75瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
--50
--60
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 250 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1700毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2） 940兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
IM5--L
IM7--U
IM7--L
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
IM5--U
IMD ，互调失真（ DBC）
图3.互调失真产品
与两
-Tone间距
21
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18
17
16
15
1
0
--1分贝= 64 W
--1
--2
--3
--4
--5
--2分贝= 88 W
公园
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， F = 940 MHz的
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率
35
60
85
110
135
D
ACPR
G
ps
--3分贝= 122 W
60
50
40
30
20
10
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR （ DBC）
0
160
P
OUT
，输出功率（瓦）
图4.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
D
排水 FFI效率（ ％ ）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8S9260H
第1版， 2/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA和多载波GSM基站应用
频率从865 MHz到960 MHz 。可以用在AB类和C类的所有
典型的蜂窝基站的调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
1700毫安， P
OUT
= 75瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
G
ps
（ dB）的
18.8
18.7
18.6
D
(%)
36.0
37.0
38.5
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
5.9
ACPR
（ DBC）
--39.5
--38.6
--37.1
MRF8S9260HR3
MRF8S9260HSR3
920-
-960兆赫， 75瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理7 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 380瓦CW
(1)
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
260瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C类操作
优化的Doherty应用
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(2,3)
CW操作@ T
C
= 25C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
CASE 465B-
-04
NI-
-880
MRF8S9260HR3
CASE 465C-
-03
NI-
-880S
MRF8S9260HSR3
价值
--0.5, +70
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
280
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
C
C
C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80C ， 75瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1800毫安
外壳温度80C ， 265 W CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 1100毫安
符号
R
θJC
价值
(3,4)
0.37
0.31
单位
° C / W
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
在最高温度2，连续使用会影响平均无故障时间。
3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
4.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2009年， 2012年。保留所有权利。
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C
A
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1700 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.4 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2.4
0.1
2.3
3.1
0.2
3
3.9
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， P
OUT
= 75瓦的魅力。 ， F = 960 MHz时，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
D
PAR
ACPR
IRL
17.5
36.0
5.5
—
—
18.6
38.5
5.9
--37.1
--14
20.0
—
—
--35.0
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， P
OUT
= 75瓦平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
5
MHz偏移。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
（ dB）的
18.8
18.7
18.6
D
(%)
36.0
37.0
38.5
PAR输出
（ dB）的
6.3
6.2
5.9
ACPR
（ dB）的
--39.5
--38.6
--37.1
IRL
（ dB）的
--16
--18
--14
（续）
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 130 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 75瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
(1)
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
典型值
260
10
最大
—
—
单位
W
兆赫
典型性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， 920--960 MHz带宽
VBW
水库
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
50
0.2
0.024
0.0075
—
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C21
R2
C7
C6
C8
C9
C19 C20
C10
C5 R1
切出区
C1 C2
C3
C4
C18
C11
C17
C16*
C12 C13
C14
C15
MRF8S9260H
第1版
* C16垂直安装。
图1. MRF8S9260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
表5. MRF8S9260HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C6, C9, C12, C16
C2
C3
C4, C5
C7
C8, C13, C14, C19, C20
C10, C11
C15, C21
C17
C18
R1
R2
PCB
描述
36 pF的贴片电容
0.4 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
4.7
F,
50 V贴片电容
10
F,
50 V贴片电容
5.6 pF的贴片电容
470
F,
63 V电解电容器
4.3 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
10
,
1/4 W贴片电阻
0
,
3.5片式电阻
0.030,
r
= 3.5
产品型号
ATC100B360JT500XT
ATC100B0R4BT500XT
ATC100B4R7BT500XT
ATC100B8R2BT500XT
C4532X5R1H475MT
C5750X5R1H106MT
ATC100B5R6BT500XT
477KXM063M
ATC100B4R3BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
CRCW120610R0JKEA
CRCW12060000Z0EA
RF--35
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
TDK
ATC
伊利诺电容
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75 W（平均）。
I
DQ
1700毫安，单 - 载波W - CDMA
3.84 MHz信道带宽，输入信号
在CCDF PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
G
ps
ACPR
D
，沥干
效率（％）
21
20.5
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19.5
19
18.5
18
17.5
17
16.5
16
900
910
920
930
940
950
960
970
980
男，频率（MHz）
IRL
公园
D
42
40
38
36
34
--33
ACPR （ DBC）
--35
--37
--39
--41
--43
--9
--11
--13
--15
--17
--19
IRL ，输入回波损耗（分贝）
0
--0.5
--1
--1.5
--2
--2.5
PARC （分贝）
图2.输出峰值 - - 平均比例压缩（ PARC ）
- 到 -
宽带性能@ P
OUT
= 75瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
--50
--60
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 250 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1700毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2） 940兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
IM5--L
IM7--U
IM7--L
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
IM5--U
IMD ，互调失真（ DBC）
图3.互调失真产品
与两
-Tone间距
21
输出压缩0.01 ％
概率ON CCDF （分贝）
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18
17
16
15
1
0
--1分贝= 64 W
--1
--2
--3
--4
--5
--2分贝= 88 W
公园
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
1700毫安， F = 940 MHz的
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％概率
35
60
85
110
135
D
ACPR
G
ps
--3分贝= 122 W
60
50
40
30
20
10
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
ACPR （ DBC）
0
160
P
OUT
，输出功率（瓦）
图4.输出峰值 - - 平均比
- 到 -
压缩（ PARC ）与输出功率
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
D
排水 FFI效率（ ％ ）
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