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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2516页 > MC74HC390ADG
MC74HC390A
双路4级二进制纹波
计数器
÷
2
÷
5
高性能硅栅CMOS
http://onsemi.com
该MC74HC390A在引出线的LS390是相同的。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LSTTL输出兼容。
该装置由两个独立的4位计数器,每个
构成的分频2和除以5节的。该
分频2和除以5的计数器具有独立的时钟
输入,并且可以级联来实现的各种组合
÷
2
和/或
÷
5达一
÷
100计数器。
触发器内部的计数器由触发高到低
时钟输入的转换。一个独立的,异步复位
为每个4位的计数器。的Q输出状态变化不
由于发生内部纹波延迟同时进行。因此,
解码的输出信号经受解码尖峰和不应该
被用作时钟或选通信号,除非用的时钟门控
HC390A.
特点
记号
图表
16
16
1
PDIP16
SUF科幻X
CASE 648
1
16
16
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
16
16
1
SOEIAJ16
后缀f
CASE 966
1
74HC390A
ALYWG
HC
390A
ALYWG
G
HC390AG
AWLYWW
MC74HC390AN
AWLYYWWG
输出驱动能力: 10输入通道负载
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1
mA
CMOS器件的高抗噪声特性
符合由JEDEC标准规定的要求
无7A
芯片的复杂性: 244场效应管或61个等效门
无铅包可用*
A
=大会地点
L, WL
=晶圆地段
Y, YY
=年
W, WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年6月 - 第3版
出版订单号:
MC74HC390A/D
MC74HC390A
÷
2
计数器
时钟A
a
复位的
Q
Aa
时钟B
a
Q
Ba
Q
Ca
Q
Da
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
时钟A
b
复位B
Q
Ab
时钟B
b
Q
Bb
Q
Cb
Q
Db
时钟A
1, 15
3, 13
Q
A
5, 11
时钟B
4, 12
÷
5
计数器
Q
B
6, 10
Q
C
7, 9
Q
D
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
RESET
2, 14
图1.引脚分配
图2.逻辑图
功能表
时钟
A
X
B
X
X
X
RESET
H
L
L
行动
RESET
÷
2
÷
5
增量
÷
2
增量
÷
5
订购信息
设备
MC74HC390AN
MC74HC390ANG
MC74HC390AD
MC74HC390ADG
MC74HC390ADR2
MC74HC390ADR2G
MC74HC390ADTR2
MC74HC390ADTR2G
MC74HC390AF
MC74HC390AFG
MC74HC390AFEL
MC74HC390AFELG
PDIP16
PDIP16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
SOEIAJ16
SOEIAJ16
(无铅)
航运
500单位/铁
500单位/铁
48单位/铁
48单位/铁
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
2500个/卷
50单位/铁
50单位/铁
2000个/卷
2000个/卷
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
MC74HC390A
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
V
OUT
I
OUT
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
DC输出电压(参考GND)
直流输出电流,每个引脚
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
20
±
25
±
50
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中,
塑料DIP
SOIC封装
TSSOP封装
mW
T
英镑
T
L
储存温度
- 65至+ 150
260
_C
_C
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
塑料DIP , SOIC和TSSOP封装
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值(未正常工作条件下),并且
同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/ _C从65_至125_C
SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装: - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
2.0
0
最大
6.0
单位
V
V
直流电源电压(参考GND)
V
in
, V
OUT
T
A
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间
(图1)
V
CC
– 55
0
0
0
0
+ 125
1000
600
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
DC电气特性
(电压参考GND)
保证限额
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
V
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
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3
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
f
= t
f
= 6纳秒)
DC电气特性
(电压参考GND)
符号
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
1.对于传播延迟与负载以外50 pF的,看到安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
典型参数值2.信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
t
PHL
f
最大
C
PD
I
CC
C
in
I
in
功率耗散电容(每计数器) *
最大输入电容
最大输出转换时间,任何输出
(图1和3)
最大传输延迟,复位到任何Q
(图2和3)
最大传输延迟,时钟B到QD
(图1和3)
最大传输延迟,时钟B到QC
(图1和3)
最大传输延迟,时钟B到QB
(图1和3)
最大传输延迟,时钟A到QC
( QA连接到时钟B )
(图1和3)
最大传输延迟,时钟A到QA
(图1和3)
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图1和3)
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏
当前
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
V
in
= V
CC
或GND
测试条件
http://onsemi.com
MC74HC390A
4
V
CC
V
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
- 55
25_C
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
±
0.1
200
160
58
49
10
75
27
15
13
80
48
30
26
70
40
26
22
90
56
37
31
70
40
26
22
70
40
24
20
10
15
30
50
4
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
±
1.0
105
70
46
39
250
185
65
62
10
95
32
19
15
95
65
38
33
80
45
33
28
80
45
33
28
80
45
30
26
9
14
28
45
40
±
1.0
180
100
56
48
300
210
70
68
160
110
36
22
19
110
75
44
39
8
12
25
40
10
90
50
39
33
90
50
39
33
90
50
36
31
35
v
125_C
v
125_C
兆赫
单位
单位
mA
mA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MC74HC390A
时序要求
(输入吨
r
= t
f
= 6纳秒)
保证限额
v
85_C
30
20
13
11
95
32
19
15
95
32
24
22
符号
t
REC
参数
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
25
15
10
9
75
27
15
13
75
27
20
18
v
125_C
40
30
15
13
单位
ns
最小恢复时间,复位无效到时钟A或时钟B
(图2)
t
w
最小脉冲宽度,时钟A ,时钟B
(图1)
110
36
22
19
110
36
30
28
ns
t
w
最小脉冲宽度,复位
(图2)
ns
t
f
, t
f
最大输入上升和下降时间
(图1)
1000
800
500
400
1000
800
500
400
1000
800
500
400
ns
注:关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
引脚说明
输入
时钟A(引脚1 , 15 )和时钟B(引脚4,15 )
输出
Q
A
(引脚3 , 13 )
时钟A是时钟输入
÷
2计数器;时钟B是
时钟输入到
÷
5计数器。内部触发器是
由时钟输入高至低跳变触发。
控制输入
复位(引脚2 , 14 )
的输出
÷
2计数器。
Q
B
, Q
C
, Q
D
(引脚5,6, 7,9 ,10,11 )
异步复位。高在复位输入阻止
计数,复位内部触发器,和力Q
A
通过Q
D
低。
的输出
÷
5计数器。 Q
D
是最高有效位。
Q
A
是当该计数器被连接在至少显著位
对于如图4.问BCD输出
B
是至少显著位
当计数器的双五元模式运行中
图5中。
开关波形
90%
50%
10% 10%
t
f
t
r
V
CC
GND
1/f
最大
t
PLH
Q
90%
50%
10%
t
TLH
t
THL
时钟
t
PHL
RESET
t
PHL
Q
50%
t
REC
50%
V
CC
GND
50%
t
w
时钟
V
CC
GND
t
w
网络连接gure 3 。
图4中。
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