飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF8P8300H
第0版， 1/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
适用于W - CDMA和LTE基站应用的频率
从790到820兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型
蜂窝基站的调制格式。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
2000毫安，P
OUT
= 96瓦平均， IQ幅度裁剪，通道
带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
频率
790兆赫
805兆赫
820兆赫
G
ps
（ dB）的
20.9
21.0
20.9
η
D
(%)
35.2
35.5
35.7
PAR输出
（ dB）的
6.2
6.2
6.1
ACPR
（ DBC）
--38.1
--38.1
--38.2
MRF8P8300HR6
MRF8P8300HSR6
790-
-820兆赫， 96 W平均， 28 V
单W-
-CDMA
横向N-
声道
RF功率MOSFET
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 805兆赫， 500瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
340瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀= 150个单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 14 。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +70
--6.0, +10
32, +0
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
MRF8P8300HR6
CASE 375E-
-04 ，风格1
NI-
-1230S
MRF8P8300HSR6
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 96 W CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 2000毫安， 820兆赫
外壳温度85°C ， 300瓦CW ， 28伏直流电，我
DQ
= 2000毫安， 820兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.26
0.21
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2000毫安，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2.3
0.1
2.3
3.1
0.2
3.0
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2000毫安， P
OUT
= 96 W平均， F = 820 MHz时，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
20.0
34.5
5.9
—
—
20.9
35.7
6.1
--38.2
--12
23.5
—
—
--36.5
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2000毫安， P
OUT
= 96 W平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
790兆赫
805兆赫
820兆赫
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
G
ps
（ dB）的
20.9
21.0
20.9
η
D
(%)
35.2
35.5
35.7
PAR输出
（ dB）的
6.2
6.2
6.1
ACPR
（ DBC）
--38.1
--38.1
--38.2
IRL
（ dB）的
--11
--12
--12
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 290 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度在30 MHz带宽@ P
OUT
= 96 W魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
典型值
340
35
最大
—
—
单位
W
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2000毫安， 790--820 MHz带宽
VBW
水库
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
35
0.5
0.0185
0.0076
—
—
—
—
兆赫
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
C27
C23
C11
R1
C55
C39
C47*
C41
C43
C44
C36
C34
C32
C38
C42
C48*
C40
C56
C45
C46
C51
C50
C52
C49
C13
C25
C29
C53
C57
C4
C5*
C9
C17
C37
C15
C19
C21
C22
切出区
C31
C33
C35
C7
C8
C1
C2
C3
C6*
C18
C10
C20
C16
MRF8P8300H
第2版
R2
C12
C24
C14
C26
C28
C30
C54
C58
B2
* C5，C6， C47 ，和C48被垂直地安装。
图2. MRF8P8300HR6 （ HSR6 ）测试电路元件布局
表5. MRF8P8300HR6 （ HSR6 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C39, C40, C41, C42
C3, C49, C50
C4
C5, C6, C11, C12, C47, C48
C7, C8, C45, C46
C9, C10
C13, C14, C19, C20, C25, C26
C15, C16, C35, C36
C17, C18
C21, C22
C23, C24
C27, C28
C29, C30
C31, C32
C33, C34
C37, C38
C43, C44
C51, C52
C53, C54, C55, C56
C57, C58
R1, R2
PCB
描述
短铁氧体磁珠
2.1 pF的贴片电容
1.0 pF的贴片电容
120 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
1.1 pF的贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
10 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
22
μF
电解电容
20 pF的贴片电容
30 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
2.0 pF的贴片电容
22
μF,
50 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
3
贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
MPZ2012S300AT000
ATC100B2R1BT500XT
ATC100B1R0BT500XT
ATC100B121JT500XT
ATC100B390JT500XT
ATC100B1R1BT500XT
C4532X5R1H475KT
ATC100B100JT500XT
ATC100B4R7CT500XT
ATC100B4R3CT500XT
ATC100B8R2CT500XT
UUD1V220MCL1GS
ATC100B200JT500XT
ATC100B300JT500XT
ATC100B130JT500XT
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B1R5BT500XT
ATC100B0R8BT500XT
ATC100B2R0BT500XT
C5750JF1H226ZT
MCGPR63V477M13X26--RH
CRCW12063R00FNEA
RF35A2
生产厂家
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
尼吉康
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
TDK
MULTICOMP
日前，Vishay
Taconic的
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
设备的测试
并行配置
单 - 结束
λ
λ
4
4
正交组合
λ
4
多尔蒂
λ
2
λ
2
推 - 拉
网络连接gure 3 。
可能的电路拓扑结构
MRF8P8300HR6 MRF8P8300HSR6
RF设备数据
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5
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