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MCP2003/4
LIN收发器J2602
特点
在MCP2003和MCP2004都符合
LIN总线规范1.3 , 2.0和2.1 ,并且
符合SAE J2602
支持波特率高达20 Kbaudwith
LIN兼容输出驱动器
43V负载突降保护
非常低的EMI符合严格的OEM要求
非常高的ESD抗扰性:
- >20kV对VBB ( IEC 61000-4-2 )
- >14kV对LBUS ( IEC 61000-4-2 )
非常高的抗射频干扰符合
严格的OEM要求
宽电源电压6.0V - 27.0V连续
扩展级温度范围: -40 + 125°C
接口PIC
MCU EUSART和标准
个USART
本地互连网络( LIN )总线引脚:
- 内部上拉电阻和二极管
- 对保护电池短路
- 对保护地线失效
- 高电流驱动
自动热关断
低功耗模式:
- 接收器监视总线和发射器关闭,
(
5 A)
描述
此设备提供了双向,半双工
通信物理接口,以汽车及
工业LIN系统,以满足LIN总线规范
修订版2.1和SAE J2602 。该装置是短路
和过热由内部电路的保护。
该设备被专门设计工作在
汽车经营环境和生存会
所有指定的瞬态条件同时满足所有的
严格静态电流的要求。
MCP200X家庭成员:
8引脚PDIP , DFN和SOIC封装:
- MCP2003 , LIN兼容的驱动程序,具有唤醒
引脚
- MCP2004 , LIN兼容的驱动程序,用
FAULT / TXE引脚
封装类型
MCP2003
PDIP , SOIC
R
XD
1
CS 2
WAKE 3
T
XD
4
8 V
7 V
BB
MCP2004
PDIP , SOIC
R
XD
1
CS 2
8 V
7 V
BB
6 L
公共汽车
5 V
SS
6 L
公共汽车
FAULT / TXE 3
5 V
SS
T
XD
4
MCP2003
4×4 DFN *
R
XD
1
CS 2
WAKE 3
T
XD
4
EP
9
8 V
7 V
BB
MCP2004
4×4 DFN *
R
XD
1
CS 2
EP
9
8 V
7 V
BB
6 L
公共汽车
5 V
SS
6 L
公共汽车
FAULT / TXE 3
T
XD
4
5 V
SS
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表1-1 。
2010 Microchip的技术公司
DS22230A第1页
MCP2003/4
MCP2003框图
V
比例
参考
WAKE
WAKE -UP
逻辑与
功率控制
V
BB
R
XD
CS
T
XD
OC
~30 k
L
公共汽车
V
SS
保护
短路
保护
MCP2004框图
V
比例
参考
WAKE -UP
逻辑与
功率控制
R
XD
CS
~30 k
V
BB
T
XD
FAULT / TXE
OC
L
公共汽车
V
SS
保护
短路
保护
DS22230A第2页
2010 Microchip的技术公司
MCP2003/4
1.0
设备概述
1.2.3
热保护
在MCP2003 / 4之间提供物理接口
微控制器和LIN总线。该器件将
翻译的CMOS / TTL逻辑电平转换为LIN逻辑电平,
反之亦然。它的目的是为汽车和
工业应用的串行总线速度最高可达
20波特。
LIN 2.1规范要求所有的收发器
系统中的节点通过LIN引脚连接并引用
转制到地,具有最大外部
510Ω从LIN总线到电池终端电阻
供应量。该510对应于1个主站和
15从节点。
在V
引脚可用于驱动一个逻辑输入
外部电压调节器。该引脚为高电平在所有模式
除了掉电模式。
过热保护电路监控芯片
温度,并且能够关闭在LIN
发射器。
有两个原因会导致热过载。一种热
关闭可通过被触发的,或两者兼而有之,
以下热过载情况。
LIN总线输出过载
提高模具温度适当增加
环境温度
驾驶的T
XD
并检查第r
XD
引脚使POS-
sible ,以确定是否有总线争
器(Rx =低,TX =高)或热过载条件
器(Rx =高,TX =低) 。热过载事件后,
该设备将自动恢复一次模温
perature已经跌破了恢复温度
门槛。看
图1-1 。
1.1
1.1.1
外部防护
反向电池保护
图1-1:
热关断
状态图
LIN总线
到V
BB
手术
模式
发射机
关闭
一个外部电池反接阻断二极管应
用于提供极性保护(见
实施例1-1 ) 。
1.1.2
瞬态电压
保护(负载突降)
外接43V瞬态抑制器( TVS )二极管,
V之间
BB
和地面,具有50Ω的瞬态
保护电阻器(R
TP
)在与电池串联
供给和V
BB
脚起不到保护装置,从
电源瞬变(见
实施例1-1 )
和ESD事件。
虽然这种保护是可选的,它被认为是良好的
工程实践。
温度<
关闭
温度
1.2
1.2.1
内部保护
ESD保护
对于组件级的ESD额定值,请参阅
最大的操作规范。
1.2.2
地面失去保护
LIN总线规范规定LIN引脚必须
过渡到隐性状态时,地面
断开。因此,地面上的损失有效
强制LIN总线到高阻抗电平。
2010 Microchip的技术公司
DS22230A第3页
MCP2003/4
1.3
操作模式
对于所有工作模式的概述,请参考
表1-1 。
经t
XD
引脚保持低电平CS为高电平时,器件
将转换到发送器关闭模式,而不是
操作模式。
1.3.1
掉电模式
1.3.3
操作模式
在掉电模式下,发送器和V
都关闭。仅在接收器部分和唤醒
电路正常工作。这是最低功耗
模式。
总线活动(如BREAK字符) , CS会
一个较高的水平,或在上唤醒的下降沿,该设备
将立即进入就绪状态。如果CS保持高电平
从关机到准备设备转换
模式下,设备将转换到运行模式
一旦内部电压稳定。
注意:
总线活性被定义为LBUS滴
低于V
IL
(L
公共汽车
)的比公交长
活动反跳时间( TBDB ) 。
在这种模式下,所有的内部模块是可操作的。
在MCP2003 / 4将进入掉电模式
CS的下降沿。在MCP2003 / 4将进入
发送器关闭模式下的故障的情况下。
这些措施包括:热过载,总线争用和
T
XD
计时器到期。
该MCP2004设备还可以输入变送器关
如果FAULT / TXE引脚被拉低模式
1.3.4
发送器关闭模式
1.3.2
READY模式
发射机关闭模式达到每当
发射器或者因故障条件或禁用
拉动MCP2004的nFAULT / TXE引脚为低电平。该
故障条件包括:热过载,公交车
争用或TXD计时器到期。
在MCP2003 / 4将进入掉电模式
CS下降沿边缘,或返回运行模式,如果所有
故障解决,就在FAULT / TXE引脚
MCP2004高。
在进入就绪模式下,V
启用和
接收机检测电路被加电。和Transmit
器保持禁用,设备已准备好接收
的数据,但不发送。
当VBB电源引脚上电,该设备将保持
在就绪模式下,只要CS为低电平。如果CS过渡
高,器件将进入运行模式。但是,如果
图1-2:
POR
VREN关闭
RX关闭
TX关闭
工作模式状态图 - MCP2003
准备
模式
VREN ON
RX ON
TX关闭
VBB > 5.5V
CS = 1和TXD = 1
CS = 1和TXD = 0
CS = 1和
TXD = 1
和无故障
故障
(热或定时器)
下降沿
在LIN
or
CS = 1
花花公子
模式
VREN ON
RX ON
TX关闭
手术
模式
VREN ON
RX ON
TX ON
CS=0
CS=0
睡眠模式
VREN关闭
RX关闭
TX关闭
DS22230A第4页
2010 Microchip的技术公司
MCP2003/4
图1-3:
POR
VREN关闭
RX关闭
TX关闭
工作模式状态图 - MCP2004
准备
模式
VREN ON
RX ON
TX关闭
VBB > 5.5V
CS = 1和( TXE = 0或TXD = 0)的
CS = 1和
TXD = 1和
Tx E结果= 1
下降沿LIN
or
CS = 1
花花公子
模式
VREN ON
RX ON
TX关闭
CS = 1和TXE = 1
和TXD = 1
和无故障
故障
(热或定时器)
或者TXE = 0
手术
模式
VREN ON
RX ON
TX ON
CS = 0
CS = 0
睡眠模式
VREN关闭
RX关闭
TX关闭
注意:
而MCP2003 / 4是热关断,T
XD
不应被驱动为高,或者其可以提供动力
通过ESD二极管和内部逻辑可能会损坏设备。
表1-1:
状态
POR
准备
手术
操作模式概述
发射接收
关闭
关闭
ON
关闭
ON
ON
VREN
关闭
ON
ON
手术
阅读CS ,如果低,则准备;
如果高,操作模式
如果CS高的水平,那么操作模式
总线关闭状态
如果CS低电平,然后关机;
正常工作
如果FAULT / TXE低电平,然后发送器关闭模式
模式
LIN总线下降,进入就绪状态。在CS低功耗模式
高层次,进入运行模式
如果CS低电平,然后关机;
只有FAULT / TXE
如果FAULT / TXE和TXD高,那么可以在运行
模式
MCP2004
评论
掉电
发射机关闭
关闭
关闭
活动
检测
ON
关闭
ON
2010 Microchip的技术公司
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