飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S19100N
第3版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率，从1930年到
1990年兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
千毫安，P
OUT
= 29瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 17.5分贝
漏极效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 100瓦CW
山顶调谐输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
100瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
专为数字预失真纠错系统
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF7S19100NR1
MRF7S19100NBR1
1930年 - 1990兆赫， 29 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF7S19100NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF7S19100NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +10
32, +0
- 65 + 200
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 100瓦CW
外壳温度79 ° C， 29 W CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.57
0.68
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008年。保留所有权利。
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 320
μAdc ）
门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.2 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
1.54
553.5
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.2
2
2.8
0.24
3
4
0.4
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 29 W平均， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1990 MHz的单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
16.5
28.5
5.7
—
—
17.5
30
6.1
- 38
- 12
19.5
—
—
- 36
- 10
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 11/10 x垂直
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
视频带宽@ 100瓦特PEP P
OUT
其中， IM3 = - 30 dBc的
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 29 W魅力。
平均群时延@ P
OUT
= 100W的CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 100W的CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
VBW
—
30
—
民
典型值
最大
单位
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， 1930年 - 1990 MHz带宽
G
F
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
1
2.15
28.8
0.019
0.015
—
—
—
—
—
dB
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
+
C1
R2
Z6
V
供应
C2
C3
Z5
Z12
RF
产量
C4
C5
C6
RF
输入
R3
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z7
Z8
Z9
Z10
C8
Z11
Z13
DUT
V
供应
C9
C10
C11
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.744″
0.383″
0.600″
0.505″
1.086″
0.452″
0.161″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.230″
x 0.800″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.880″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12, Z13
PCB
0.319 “× 0.880 ”微带
0.390 “× 0.215 ”微带
0.627 “× 0.084 ”微带
0.743 “× 0.084 ”微带
1.326 “× 0.121 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF7S19100NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF7S19100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C5, C6, C10, C11
C3, C7
C4, C9
C8
R1
R2
R3
描述
10
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
5.1 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
T491D106K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B5R1BT500XT
ATC100B8R2BT500XT
ATC100B100BT500XT
CRCW12061001FKEA
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
基美
村田
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
C3
C4
C5
C6
R1
C1
C2
R3
切出区
C7
C8
C10
MRF7S19100N / NB第1版
C11
C9
图2. MRF7S19100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF7S19100N
第2版， 8/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率，从1930年到
1990年兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
千毫安，P
OUT
= 29瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 17.5分贝
漏极效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 100瓦CW
山顶调谐输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
100瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
专为数字预失真纠错系统
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF7S19100NR1
MRF7S19100NBR1
1930年 - 1990兆赫， 29 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF7S19100NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF7S19100NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +10
32, +0
- 65 + 200
200
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 100瓦CW
外壳温度79 ° C， 29 W CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.57
0.68
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 320
μAdc ）
门静态电压
(1)
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.2 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
1.54
553.5
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.2
2
2.8
0.24
3
4
0.4
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 29 W平均， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1990 MHz的单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪， PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
16.5
28.5
5.7
—
—
17.5
30
6.1
- 38
- 12
19.5
—
—
- 36
- 10
dB
%
dB
dBc的
dB
1. V
GG
= 11/10 x垂直
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
视频带宽
（音调间隔从100 kHz到VBW ）
ΔIMD3
= IMD3 @ VBW频率 - IMD3 @ 100千赫<1 dBc的（包括
边带）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 100瓦CW
群时延@ P
OUT
= 100W的CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 100瓦CW
增益随温度变化
输出功率随温度变化
符号
VBW
—
30
—
民
典型值
最大
单位
兆赫
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， 1930年 - 1990 MHz带宽
G
F
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
1
2.15
28.8
0.019
0.015
—
—
—
—
—
dB
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
+
C1
R2
Z6
V
供应
C2
C3
Z5
Z12
RF
产量
C4
C5
C6
RF
输入
R3
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z7
Z8
Z9
Z10
C8
Z11
Z13
DUT
V
供应
C9
C10
C11
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.744″
0.383″
0.600″
0.505″
1.086″
0.452″
0.161″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.230″
x 0.800″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.880″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12, Z13
PCB
0.319 “× 0.880 ”微带
0.390 “× 0.215 ”微带
0.627 “× 0.084 ”微带
0.743 “× 0.084 ”微带
1.326 “× 0.121 ”微带
阿尔隆AD250 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF7S19100NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF7S19100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C5, C6, C10, C11
C3, C7
C4, C9
C8
R1
R2
R3
描述
10
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
5.1 pF的贴片电容
8.2 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
T491D106K035AT
GRM55DR61H106KA88L
600B5R1BT250XT
600B8R2BT250XT
600B100BT250XT
CRCW12061001F100
CRCW12061002F100
CRCW120610R0F100
生产厂家
基美
村田
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
C3
C4
C5
C6
R1
C1
C2
R3
切出区
C7
C8
C10
MRF7S19100N / NB第1版
C11
C9
图2. MRF7S19100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
