富士通半导体
数据表
DS04-27200-6E
ASSP电源管理的应用
双极
开关稳压器控制器
(推挽和单端功能之间切换)
MB3759
s
描述
该MB3759是一个控制IC为恒定频率脉宽调制开关稳压器。
该IC包含了大部分所需的开关稳压器控制电路的功能。这降低了双方
元件数量和装配工作。
s
特点
驱动200 mA负载
可以设置为推挽式或单端操作
防止双脉冲
可调节死区时间
误差放大器具有广泛的共同相输入范围
内置的电路,以防止误操作,由于电源电压低。
建在一个内部5 V参考电压与卓越的电压降低的特点
s
套餐
16引脚塑料DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚塑料SOP
(DIP-16P-M04)
(DIP-16C-C01)
(FPT-16P-M06)
MB3759
s
绝对最大额定值
等级
参数
电源电压
集电极输出电压
集电极输出电流
放大器的输入电压
塑料DIP
功耗
陶瓷DIP
SOP *
工作温度
储存温度
顶部
TSTG
P
D
符号
V
CC
V
CE
I
CE
V
I
条件
民
—
—
—
—
Ta
≤ +25 °C
Ta
≤ +60 °C
Ta
≤ +25 °C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
55
最大
41
41
250
V
CC
+
0.3
1000
800
620
+85
+125
°C
°C
mW
V
V
mA
V
单位
*:当安装在4cm见方双面环氧电路板( 1.5mm厚)
在陶瓷电路基板为3cm ×4厘米(0.5毫米厚)
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
集电极输出电压
集电极输出电流
放大器的输入电压
FB灌电流
FB源电流
参考部分输出电流
定时电阻
定时电容
振荡器频率
工作温度
符号
V
CC
V
CE
I
CE
V
IN
I
SINK
I
来源
I
REF
R
T
C
T
FOSC
顶部
价值
民
7
—
5
0.3
—
—
—
1.8
470
1
30
典型值
15
—
—
0到V
R
—
—
5
30
1000
40
+25
最大
32
40
200
V
CC
2
0.3
2
10
500
10
6
300
+85
单位
V
V
mA
V
mA
mA
mA
k
pF
千赫
°C
注:此数值为标准降额条件。给予考虑到环境温度和功率变
如果使用高电源电压消耗。
警告:在推荐的工作条件是必需的,以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时,该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
富士通的代表事前。
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富士通微电子
数据表
DS04-27200-9Ea
ASSP电源管理的应用
双极
开关稳压器控制器
(推挽和单端功能之间切换)
MB3759
■
描述
该MB3759是一个控制IC为恒定频率脉宽调制开关稳压器。
该IC包含了大部分所需的开关稳压器控制电路的功能。这降低了双方
元件数量和装配工作。
■
特点
驱动200 mA负载
可以设置为推挽式或单端操作
防止双脉冲
可调节死区时间
误差放大器具有广泛的共同相输入范围
内置的电路,以防止误操作,由于电源电压低。
建在一个内部5 V参考电压与卓越的电压降低的特点
一种类型的封装( SOP - 16PIN : 1型)
■
应用
电源模块
工业设备
AC / DC转换器
等等
版权所有 1994至2008年富士通微电子有限公司保留所有权利。
2006.5
MB3759
■
绝对最大额定值
参数
电源电压
集电极输出电压
集电极输出电流
放大器的输入电压
功耗
SOP *
工作环境温度
符号
V
CC
V
CE
I
CE
V
I
P
D
Ta
条件
—
—
—
—
Ta
≤ +25 °C
—
等级
民
—
—
—
—
—
30
最大
41
41
250
V
CC
+
0.3
620
+85
+125
单位
V
V
mA
V
mW
°C
°C
储存温度
TSTG
—
55
*:当安装在4cm见方双面环氧电路板( 1.5mm厚)
在陶瓷电路基板为3cm ×4厘米(0.5毫米厚)
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
■
推荐工作条件
参数
电源电压
集电极输出电压
集电极输出电流
放大器的输入电压
FB灌电流
FB源电流
参考部分输出电流
定时电阻
定时电容
振荡器频率
工作环境温度
符号
V
CC
V
CE
I
CE
V
IN
I
SINK
I
来源
I
REF
R
T
C
T
FOSC
Ta
价值
民
7
—
5
0.3
—
—
—
1.8
470
1
30
典型值
15
—
—
0到V
R
—
—
5
30
1000
40
+25
最大
32
40
200
V
CC
2
0.3
2
10
500
10
6
300
+85
单位
V
V
mA
V
mA
mA
mA
k
pF
千赫
°C
注:此数值为标准降额条件。给予考虑到环境温度和功率变
如果使用高电源电压消耗。
警告:在推荐的工作条件是必需的,以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时,该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
代表提前。
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