飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S19100H
第4版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000至00年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 22瓦平均，全频波段。 IS - 95 （先导，
同步，寻呼，交通守则8 13 ）信道带宽=
1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 13.9分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 2.5 MHz偏移 - - 36.5 dBc的在1.2288 MHz的信道带宽
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 50.7 dBc的30 kHz的信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF5S19100HR3
MRF5S19100HSR3
1930- 1990兆赫， 22瓦的魅力。 ， 28 V
2× N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S19100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S19100HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
269
1.54
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度75 ° C， 100瓦CW
外壳温度70 ° C， 22瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1)
0.64
0.65
单位
° C / W
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 240
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
RSS
—
2.2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
—
—
—
—
2.7
3.7
0.26
6.3
—
—
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 22瓦平均， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫， 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
30 kHz带宽@
±885
kHz偏置。 IM3测1.2288 MHz的信道带宽@
±2.5
MHz偏移。 PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
12.5
24
—
—
—
13.9
25.5
- 36.5
- 50.7
- 13
—
—
- 35
- 48
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
R1
R2
+
W1
V
供应
+
C7
C8
+
C9
+
C10
R4
C11
C12
+
C13
+
C14
C3
C4
C5
R3
C6
Z9
Z6
RF
输入
Z1
Z2
C15
Z3
C16
C1
Z4
Z5
Z7
DUT
Z8
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
Z14
C17
RF
产量
Z1, Z3
Z2
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.140 “× 0.080 ”微带
0.450 “× 0.080 ”微带
0.525 “× 0.080 ”微带
0.636 “× 0.141 ”微带
0.650 “× 0.050 ”微带
0.320 “× 1.299 ”微带
0.091 “× 1.133 ”微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
PCB
0.590 “× 0.071 ”微带
0.450 “× 1.133 ”微带
0.450 “× 0.141 ”微带
0.490 “× 0.080 ”微带
0.085 “× 0.080 ”微带
1.124 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S19100HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF5S19100HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C12
C5, C11
C6
C7
C8
C9, C10, C13, C14
C15
C16
C17*
R1
R2
R3, R4
W1
短RF珠
22 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
1
μF,
50 V钽电容器
0.1
μF
贴片电容
1K pF的贴片电容
2.7 pF的电容芯片
4.3 pF的贴片电容
10
μF,
35 V钽电容器
22
μF,
35 V钽电容器
0.6 - 4.5 Gigatrim可变电容
2.2 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
1千瓦的贴片电阻
560千瓦的贴片电阻
12
W
贴片电阻
1转14号线
描述
产品型号
95F786
100B220CP 500X
100B100CP 500X
T494C105(1)050AS
CDR33BX104AKWS
100B102JP 500X
100B2R7BP 500X
100B4R3JP 500X
T494D106(1)035AS
T494X226(1)035AS
44F3358
100B2R2BP 500X
100B0R3BP 500X
D5534M07B1K00R
CR1206 564JT
RM73B2B120JT
生产厂家
纽瓦克
ATC
ATC
基美
基美
ATC
ATC
ATC
基美
基美
纽瓦克
ATC
ATC
纽瓦克
纽瓦克
加勒特电子
*极品一部分将从灯具有所不同夹具。
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
MRF5S19100
REV 1
C6
VGG
R1
B1
R2 C3 C4
C5
切出区
R3
W1
C7
C8
C9 C10
C11 C12
R4
C13
C2
C14
VDD
C1
C16
C15
C17
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF5S19100HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
G
ps
η
D
η
D
，沥干
效率（％）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
10
9
IM3
8
7
6
ACPR
1.2288 MHz的信道带宽
PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 22瓦（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波的N- CDMA中， 2.5兆赫载波间隔
40
35
30
25
20
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
30
35
40
45
50
10
15
20
25
30
35
5
55
1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能
16
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
530毫安
12
11
10
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
I
DQ
= 1500毫安
1300毫安
千毫安
760毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
15
20
25
30
35
40
45
千毫安
50
55
1
760毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
530毫安
I
DQ
= 1500毫安
1300毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调失真
与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
25
噘嘴，输出功率（dBm ）
30
35
40
45
50
7阶
55
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
40
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100 W（ PEP ） ，我
DQ
=千毫安
双色测量
（ F1 + F2） 1960年兆赫/ 2 =中心频率
3阶
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
32
P3dB = 51.98 dBm的（ 157.81 W）
的P1dB = 51.3 dBm的（ 135.01 W）
实际
理想
五阶
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
=千毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
F = 1960 MHz的
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
IRL ，输入回波损耗（分贝）
5
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF5S19100H / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
MRF5S19100HR3
专为PCN和PCS基站应用频率高达
1.9至2.0千兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 22瓦平均，全频波段。 IS - 95 （先导，
同步，寻呼，交通守则8 13 ）信道带宽=
1.2288兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 13.9分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 2.5 MHz偏移 - - 36.5 dBc的@ 1.2288 MHz的信道带宽
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 50.7 dBc的@ 30 kHz的信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配，控制Q，为方便使用
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF5S19100HSR3
1990兆赫， 22瓦AVG ， 28 V
2× N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465- 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S19100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S19100HSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
269
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度75 ° C， 100瓦CW
外壳温度70 ° C， 22瓦CW
符号
R
θJC
值（1）
0.64
0.65
单位
° C / W
（ 1 ）请参见AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 240
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
RSS
—
2.2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
—
—
—
—
2.7
3.7
0.26
6.3
—
—
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 22瓦平均， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫， 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
30 kHz带宽@
±885
kHz偏置。 IM3测1.2288 MHz的信道带宽@
±2.5
MHz偏移。峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
12.5
24
—
—
—
13.9
25.5
- 36.5
- 50.7
- 13
—
—
- 35
- 48
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
摩托罗拉RF设备数据
欲了解更多有关该产品，
2
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
R1
R2
+
C3
C4
C5
R3
C7
W1
V
供应
+
C8
+
C9
+
C10
R4
C11
C12
+
C13
+
C14
C6
Z9
Z6
RF
输入
Z1
Z2
C15
Z3
C16
C1
Z4
Z5
Z7
DUT
Z8
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
Z14
C17
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
Z1, Z3
Z2
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.140″
0.450″
0.525″
0.636″
0.650″
0.320″
0.091″
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.141 “微带
X 0.050 “微带
X 1.299 “微带
X 1.133 “微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
PCB
0.590 “× 0.071 ”微带
0.450 “× 1.133 ”微带
0.450 “× 0.141 ”微带
0.490 “× 0.080 ”微带
0.085 “× 0.080 ”微带
1.124 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S19100HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表1. MRF5S19100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C12
C5, C11
C6
C7
C8
C9, C10, C13, C14
C15
C16
C17*
R1
R2
R3, R4
W1
短RF珠
22 pF的贴片电容，B案例
10 pF的贴片电容，B案例
1
F,
50 V钽电容器
0.1
F
贴片电容，B案例
1K pF的贴片电容，B案例
2.7 pF的贴片电容，B案例
4.3 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V钽电容器
22
F,
35 V钽电容器
0.6 - 4.5 Gigatrim可变电容
2.2 pF的贴片电容，B案例
0.3 pF的贴片电容，B案例
1千瓦的贴片电阻
560千瓦的贴片电阻
12
W
贴片电阻
1转14号线
描述
产品型号
95F786
100B220CP 500X
100B100CP 500X
T494C105(1)050AS
CDR33BX104AKWS
100B102JP 500X
100B2R7BP 500X
100B4R3JP 500X
T494D106(1)035AS
T494X226(1)035AS
44F3358
100B2R2BP 500X
100B0R3BP 500X
D5534M07B1K00R
CR1206 564JT
RM73B2B120JT
生产厂家
纽瓦克
ATC
ATC
基美
基美
ATC
ATC
ATC
基美
基美
纽瓦克
ATC
ATC
纽瓦克
纽瓦克
加勒特电子
*极品一部分将从灯具有所不同夹具。
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MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
3
飞思卡尔半导体公司
MRF5S19100
REV 1
C6
VGG
R1
B1
R2 C3 C4
C5
切出区
R3
W1
C7
C8
C9 C10
C11 C12
R4
C13
C2
C14
VDD
C1
C16
C15
C17
飞思卡尔半导体公司...
图2. MRF5S19100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
摩托罗拉RF设备数据
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4
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飞思卡尔半导体公司
典型特征
G
ps
η
D
η
D
，沥干
效率（％）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
10
9
IM3
8
7
6
ACPR
1.2288 MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 22瓦（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波的N- CDMA中， 2.5兆赫载波间隔
40
35
30
25
20
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
30
35
40
45
50
10
15
20
25
30
35
5
55
1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能
16
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
530毫安
12
11
10
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
I
DQ
= 1500毫安
1300毫安
千毫安
760毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
15
20
25
30
35
40
45
千毫安
50
55
1
760毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
530毫安
I
DQ
= 1500毫安
1300毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调失真
与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
25
噘嘴，输出功率（dBm ）
30
35
40
45
50
7阶
55
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
40
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100 W（ PEP ） ，我
DQ
=千毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
32
33
34
35
36
37
P3dB = 51.98 dBm的（ 157.81 W）
的P1dB = 51.3 dBm的（ 135.01 W）
实际
理想
3阶
五阶
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
=千毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
38
39
40
41
42
43
44
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
摩托罗拉RF设备数据
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MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF5S19100H / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
MRF5S19100HR3
专为PCN和PCS基站应用频率高达
1.9至2.0千兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 22瓦平均，全频波段。 IS - 95 （先导，
同步，寻呼，交通守则8 13 ）信道带宽=
1.2288兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 13.9分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 2.5 MHz偏移 - - 36.5 dBc的@ 1.2288 MHz的信道带宽
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 50.7 dBc的@ 30 kHz的信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配，控制Q，为方便使用
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF5S19100HSR3
1990兆赫， 22瓦AVG ， 28 V
2× N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465- 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S19100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S19100HSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
269
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度75 ° C， 100瓦CW
外壳温度70 ° C， 22瓦CW
符号
R
θJC
值（1）
0.64
0.65
单位
° C / W
（ 1 ）请参见AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 240
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
RSS
—
2.2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
—
—
—
—
2.7
3.7
0.26
6.3
—
—
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 22瓦平均， F1 = 1930兆赫，
F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫， F2 = 1990兆赫， 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
30 kHz带宽@
±885
kHz偏置。 IM3测1.2288 MHz的信道带宽@
±2.5
MHz偏移。峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
12.5
24
—
—
—
13.9
25.5
- 36.5
- 50.7
- 13
—
—
- 35
- 48
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
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飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
R1
R2
+
C3
C4
C5
R3
C7
W1
V
供应
+
C8
+
C9
+
C10
R4
C11
C12
+
C13
+
C14
C6
Z9
Z6
RF
输入
Z1
Z2
C15
Z3
C16
C1
Z4
Z5
Z7
DUT
Z8
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
Z14
C17
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
Z1, Z3
Z2
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.140″
0.450″
0.525″
0.636″
0.650″
0.320″
0.091″
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.080 “微带
X 0.141 “微带
X 0.050 “微带
X 1.299 “微带
X 1.133 “微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
PCB
0.590 “× 0.071 ”微带
0.450 “× 1.133 ”微带
0.450 “× 0.141 ”微带
0.490 “× 0.080 ”微带
0.085 “× 0.080 ”微带
1.124 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S19100HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表1. MRF5S19100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C12
C5, C11
C6
C7
C8
C9, C10, C13, C14
C15
C16
C17*
R1
R2
R3, R4
W1
短RF珠
22 pF的贴片电容，B案例
10 pF的贴片电容，B案例
1
F,
50 V钽电容器
0.1
F
贴片电容，B案例
1K pF的贴片电容，B案例
2.7 pF的贴片电容，B案例
4.3 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V钽电容器
22
F,
35 V钽电容器
0.6 - 4.5 Gigatrim可变电容
2.2 pF的贴片电容，B案例
0.3 pF的贴片电容，B案例
1千瓦的贴片电阻
560千瓦的贴片电阻
12
W
贴片电阻
1转14号线
描述
产品型号
95F786
100B220CP 500X
100B100CP 500X
T494C105(1)050AS
CDR33BX104AKWS
100B102JP 500X
100B2R7BP 500X
100B4R3JP 500X
T494D106(1)035AS
T494X226(1)035AS
44F3358
100B2R2BP 500X
100B0R3BP 500X
D5534M07B1K00R
CR1206 564JT
RM73B2B120JT
生产厂家
纽瓦克
ATC
ATC
基美
基美
ATC
ATC
ATC
基美
基美
纽瓦克
ATC
ATC
纽瓦克
纽瓦克
加勒特电子
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3
飞思卡尔半导体公司
MRF5S19100
REV 1
C6
VGG
R1
B1
R2 C3 C4
C5
切出区
R3
W1
C7
C8
C9 C10
C11 C12
R4
C13
C2
C14
VDD
C1
C16
C15
C17
飞思卡尔半导体公司...
图2. MRF5S19100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
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飞思卡尔半导体公司
典型特征
G
ps
η
D
η
D
，沥干
效率（％）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
10
9
IM3
8
7
6
ACPR
1.2288 MHz的信道带宽
峰值/平均。 = 9.8分贝@ 0.01 ％概率（ CCDF ）
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 22瓦（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波的N- CDMA中， 2.5兆赫载波间隔
40
35
30
25
20
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
30
35
40
45
50
10
15
20
25
30
35
5
55
1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能
16
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
530毫安
12
11
10
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
I
DQ
= 1500毫安
1300毫安
千毫安
760毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
15
20
25
30
35
40
45
千毫安
50
55
1
760毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
530毫安
I
DQ
= 1500毫安
1300毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调失真
与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
25
噘嘴，输出功率（dBm ）
30
35
40
45
50
7阶
55
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
40
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 100 W（ PEP ） ，我
DQ
=千毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
32
33
34
35
36
37
P3dB = 51.98 dBm的（ 157.81 W）
的P1dB = 51.3 dBm的（ 135.01 W）
实际
理想
3阶
五阶
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
=千毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
38
39
40
41
42
43
44
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
摩托罗拉RF设备数据
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5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
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