飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5P20180HR6
第1版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为W-CDMA基站的应用从1930年频率
至1990年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器应用。
PCS /蜂窝无线电和WLL应用程序 - 将在AB类的PCN使用。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1600毫安，
P
OUT
= 38瓦平均，全频段，信道带宽= 3.84
兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 14分贝
漏极效率 - 26 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37.5 dBc的在3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 41 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 120瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF5P20180HR6
1930- 1990兆赫， 38 W平均， 28 V
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
530
3.0
- 65 + 150
150
200
185
1.2
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度77 ° C， 120瓦CW
外壳温度72 ° C， 38 W CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.33
0.35
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF5P20180HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1600 MADC ）
漏源开 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.7
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.7
3.6
0.26
5
3.5
—
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 38 W平均，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫， F2 = 1987.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR =
8.5分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.测量与制作设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
12.5
23
—
—
—
14
26
- 37.5
- 41
- 16
—
—
- 35
- 38
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF5P20180HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
R2
+
C14
Z17
C10
C8
Z15
Z13
Z19
C6
C12
+
C16
+
C17
+
V
供应
C20
Z21
C4
Z23
Z7
C2
RF
输入
Z1
Z3
Z2
Z4
C1
Z5
Z6
Z9
Z11
DUT
Z24
Z25
RF
产量
Z8
C3
Z10
Z12
Z16
Z14
R3
V
BIAS
R4
+
C15
Z20
C5
Z18
Z22
C11
C9
C7
C13
+
C18
+
C19
+
V
供应
C21
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z24
Z6, Z23
Z7, Z8
Z9, Z10
0.081 “× 1.126 ”微带
0.079 “× 0.138 ”微带
0.081 “× 0.091 ”微带
0.081 “× 0.117 ”微带
0.134 “× 0.874 ”微带
0.081 “× 2.269 ”微带
0.081 “× 0.118 ”微带
0.081 “× 0.079 ”微带
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z21, Z22
Z25
PCB
0.341 “× 0.945 ”微带
0.035 “× 0.913 ”微带
0.581 “× 0.823 ”微带
0.059 “× 1.057 ”微带
0.081 “× 0.046 ”微带
0.081 “× 0.126 ”微带
0.081 “× 0.793 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5P20180HR6测试电路原理图
表5. MRF5P20180HR6测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C4, C5, C6, C7
C8, C9
C10, C11, C12, C13
C14, C15, C16, C17, C18, C19
C20, C21
R1, R2, R3, R4
描述
1.8 pF的100B贴片电容
10 pF的100B贴片电容
6.8 pF的100B贴片电容
10 nF的200B贴片电容
22
μF,
35 V钽电容器
220
μF,
63 V电解电容器
10千瓦的贴片电阻（ 1206 ）
产品型号
100B1R8BW
100B100GW
100B6R8CW
200B103MW
TAJE226M035
13668221
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
AVX
飞利浦
MRF5P20180HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
MRF5P20180
REV 1
V
GG
R1
R2
C14
C10
C8
C12 C16 C17
C6
V
DD
C20
C2
背带
C1
切出区
C4
C3
C5
C21
C9
V
GG
R3
R4
C15
C11
C7
C13 C18 C19
V
DD
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF5P20180HR6测试电路元件布局
MRF5P20180HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
10
15
20
25
30
35
2400毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
IRL
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W（平均） ，我
DQ
= 1600毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
35
30
25
20
20
25
30
IM3
ACPR
35
40
10
9
8
7
6
5
45
1840 1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 38瓦的魅力。
16
15.5
PS ，功率增益（分贝）
15
I
DQ
= 2400毫安
2000毫安
1600毫安
1200毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
20
25
30
35
40
45
50
55
60
1
10
100
1000
1
10
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1200毫安
1600毫安
2000毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
I
DQ
= 800毫安
14.5
14
13.5
13
12.5
12
11.5
11
800毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调
失真与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
20
25
30
35
40
45
7阶
50
55
60
0.1
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 180 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1600毫安
双色测量
（ F1 + F2） 1960年兆赫/ 2 =中心频率
1
10
100
五阶
3阶
噘嘴，输出功率（dBm ）
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
30
理想
P3dB = 54 dBm的（ 251 W）
的P1dB = 53.5 dBm的（ 224 W）
实际
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
F = 1960 MHz的
32
34
36
38
40
42
44
46
TWO- TONE间隔（MHz ）
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
MRF5P20180HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF5P20180HR6
第0版， 2004年12月
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为W-CDMA基站的应用从1930年频率
至1990年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器应用。
PCS /蜂窝无线电和WLL应用程序 - 将在AB类的PCN使用。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 2 x
800毫安，P
OUT
= 38瓦平均，全频段，信道带宽=
3.84兆赫，峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 14分贝
漏极效率 - 26 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 41 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 120瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配，控制Q，为方便使用
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF5P20180HR6
1990年兆赫， 38 W平均， 28 V
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
530
3.0
- 65 + 150
200
120
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
W
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度77 ° C， 120瓦CW
外壳温度72 ° C， 38 W CW
符号
R
θJC
价值
(1)
0.33
0.35
单位
° C / W
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MRF5P20180HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C7 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 850 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.7
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
—
2.7
3.6
0.26
5
3.5
—
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
(2)
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2 * 800毫安， P
OUT
= 38 W平均，
F1 = 1932.5兆赫， F2 = 1942.5 MHz和F1 = 1977.5兆赫， F2 = 1987.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。
ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。峰值/平均。 =
8.5分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
12.5
23
—
—
—
14
26
- 37.5
- 41
- 16
—
—
- 35
- 38
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
1.装置的每一侧分别测得。部分是输入和输出内部匹配两种。
2.测量推制成与设备 - 拉配置。
MRF5P20180HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
R2
+
C14
Z17
C10
C8
Z15
Z13
Z19
C6
C12
+
C16
+
C17
+
V
供应
C20
Z21
C4
Z23
Z7
C2
RF
输入
Z1
Z3
Z2
Z4
C1
Z5
Z6
Z9
Z11
DUT
Z24
Z25
RF
产量
Z8
C3
Z10
Z12
Z16
Z14
R3
V
BIAS
R4
+
C15
Z20
C5
Z18
Z22
C11
C9
C7
C13
+
C18
+
C19
+
V
供应
C21
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z24
Z6, Z23
Z7, Z8
Z9, Z10
0.081″
0.079″
0.081″
0.081″
0.134″
0.081″
0.081″
0.081″
X 1.126 “微带
X 0.138 “微带
X 0.091 “微带
X 0.117 “微带
X 0.874 “微带
X 2.269 “微带
X 0.118 “微带
X 0.079 “微带
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z21, Z22
Z25
PCB
0.341 “× 0.945 ”微带
0.035 “× 0.913 ”微带
0.581 “× 0.823 ”微带
0.059 “× 1.057 ”微带
0.081 “× 0.046 ”微带
0.081 “× 0.126 ”微带
0.081 “× 0.793 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5P20180HR6测试电路原理图
表5. MRF5P20180HR6测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C4, C5, C6, C7
C8, C9
C10, C11, C12, C13
C14, C15, C16, C17, C18, C19
C20, C21
R1, R2, R3, R4
描述
1.8 pF的100B贴片电容
10 pF的100B贴片电容
6.8 pF的100B贴片电容
10 nF的200B贴片电容
22
F,
35 V钽电容器
220
F,
63 V电解电容器
10千瓦的贴片电阻（ 1206 ）
产品型号
100B1R8BW
100B100GW
100B6R8CW
200B103MW
TAJE226M035
13668221
生产厂家
ATC
ATC
ATC
ATC
AVX
飞利浦
MRF5P20180HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
MRF5P20180
REV 1
V
GG
R1
R2
C14
C10
C8
C12 C16 C17
C6
V
DD
C20
C2
背带
C1
切出区
C4
C3
C5
C21
C9
V
GG
R3
R4
C15
C11
C7
C13 C18 C19
V
DD
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF5P20180HR6测试电路元件布局
MRF5P20180HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
10
15
20
25
30
35
2400毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
IRL
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 38 W（平均） ，我
DQ
= 1600毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
35
30
25
20
20
25
30
IM3
ACPR
35
40
10
9
8
7
6
5
45
1840 1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060 2080
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能
16
15.5
PS ，功率增益（分贝）
15
I
DQ
= 2400毫安
2000毫安
1600毫安
1200毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
20
25
30
35
40
45
50
55
60
1
10
100
1000
1
10
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1200毫安
1600毫安
2000毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
I
DQ
= 800毫安
14.5
14
13.5
13
12.5
12
11.5
11
800毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1955兆赫， F2 = 1965 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
图4.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图5.三阶互调
失真与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
20
25
30
35
40
45
7阶
50
55
60
0.1
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 180 W（ PEP ） ，我
DQ
= 1600毫安
双色测量，中心频率= 1960 MHz的
1
10
100
五阶
3阶
噘嘴，输出功率（dBm ）
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
30
理想
P3dB = 54 dBm的（ 251 W）
的P1dB = 53.5 dBm的（ 224 W）
实际
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安
脉冲CW ， 5
微秒（上） ，
1毫秒（关闭）
中心频率= 1960 MHz的
32
34
36
38
40
42
44
46
TWO- TONE间隔（MHz ）
P
in
输入功率（dBm ）
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
MRF5P20180HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
