MRF426
射频线NPN硅功率晶体管
25W ( PEP ) ,在30MHz , 28V
在1.5设计用于高增益驱动和输出的线性放大器级来
30 MHz的HF / SSB设备。
M / A- COM产品
发布 - 修订版05202009
产品图片
指定的28 V , 30 MHz的特点 -
输出功率为25 W( PEP )
最小增益= 22分贝
效率 - 35 %
互调失真@ 25 W( PEP ) -IMD = -30分贝(最大值)
100 %测试负载不匹配,在所有相位角为30 : 1 VSWR
A类和AB表征
BLX 13等价
CASE 211-07 ,风格1
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
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射频线NPN硅功率晶体管
25W ( PEP ) ,在30MHz , 28V
M / A- COM产品
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2
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欧洲
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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25W ( PEP ) ,在30MHz , 28V
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25W ( PEP ) ,在30MHz , 28V
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25W ( PEP ) ,在30MHz , 28V
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由MRF426 / D
射频线
NPN硅
RF功率晶体管
。 。 。在1.5设计用于高增益驱动和输出的线性放大器级来
30 MHz的HF / SSB设备。
规定的28伏, 30 MHz的特点 -
输出功率为25 W( PEP )
最小增益= 22分贝
效率 - 35 %
互调失真@ 25 W( PEP ) -
IMD = -30分贝(最大)
100 %测试负载不匹配,在所有相位角为30 : 1 VSWR
A类和AB表征
BLX 13等价
MRF426
25 W( PEP ) , 30 MHz的
射频功率
晶体管
NPN硅
CASE 211-07 ,风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
耐受电流 - 5秒
器件总功耗@ T
C
= 25°C (1)
减免上述25℃
存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
—
P
D
T
英镑
价值
35
65
4.0
3.0
6.0
70
0.4
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
瓦
W / ℃,
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.5
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 50 MADC ,我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= 10 MADC ,我
C
= 0)
集电极截止电流(V
CE
= 28伏,V
BE
= 0)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CES
35
65
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
MADC
注意:
(续)
1.该设备是专为RF操作。总的器件损耗的评价仅适用于当该装置作为一个RF放大器进行操作。
1
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 5.0伏)
h
FE
10
35
—
—
动态特性
输出电容
(V
CB
= 30伏直流电,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
ob
—
60
80
pF
功能测试( SSB )
共发射极放大器增益
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫,我
CQ
= 25 mA)的
收藏家EF网络效率
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫,我
CQ
= 25 mA)的
互调失真( 2 )
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫,我
CQ
= 25 mA)的
负载不匹配
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫,我
CQ
= 25毫安,电压驻波比30 : 1 ,在所有相位角)
G
PE
22
25
—
dB
η
35
—
—
%
IMD
(d3)
—
–35
–30
dB
ψ
在输出功率不降低
A类性能
互调失真( 2 )和功率增益
(V
CC
= 28伏直流电,P
OUT
= 8.0 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫,我
CQ
= 1.2 ADC)
G
PE
IMD
(d3)
IMD
(d5)
—
—
—
23.5
–40
–55
—
—
—
dB
注意:
2. MIL-STD- 1311版本A ,测试方法2204B ,双音,参考每个音。
C8
RFC1
C9
L3
C6
C7
CR1
L4
L1
C1
C2
R1
DUT
C4
L2
C3
RFC2
+
28伏直流
-
BIAS
输入
RF输出
C5
RF
输入
C1 , C2 - ARCO 469 , 190-780 pF的
C3 , C4 - ARCO 464 , 25-280 pF的
C5 - 120 pF的云母浸
C6, C7 — 100
F,
15 VDC
C8 - 680 pF的F.T.艾伦·布拉德利
C9 — 1.0
F
35 V钽
CR1 - 1N4997
L1 - 3打开16 # 0.25 “ ID
L2 - 6回合# 16 0.5 “标识
L3 - 7打开20# 0.38 “ ID
L4 — 10
H
模扼流Delevan公司
RFC1 - Ferroxcube公司VK200 / 20-4B
RFC2 - 3- Ferroxcube公司5653065-3B
RF - 输入/输出接口UG53 A / μ
R1 — 10
1/2瓦10 %
调整偏置(基地) ,因为我
CQ
= 20 mA,带无射频应用
图1. 30 MHz的线性测试电路
2
包装尺寸
A
U
M
Q
1
4
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
E
H
J
K
M
Q
R
S
U
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
英寸
民
最大
0.960
0.990
0.370
0.390
0.229
0.281
0.215
0.235
0.085
0.105
0.150
0.108
0.004
0.006
0.395
0.405
40
_
50
_
0.113
0.130
0.245
0.255
0.790
0.810
0.720
0.730
MILLIMETERS
民
最大
24.39
25.14
9.40
9.90
5.82
7.13
5.47
5.96
2.16
2.66
3.81
4.57
0.11
0.15
10.04
10.28
40
_
50
_
2.88
3.30
6.23
6.47
20.07
20.57
18.29
18.54
R
2
3
B
S
D
K
J
H
C
E
座位
飞机
辐射源
BASE
辐射源
集热器
CASE 211-07
ISSUE
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
n
北美:
电话: ( 800 ) 366-2266 ,传真:( 800 ) 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C:
电话: + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲:
电话: +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
5
摩托罗拉
射频线
半导体技术资料
订购此文件
由MRF426 / D
NPN硅
RF功率晶体管
。 。 。在1.5设计用于高增益驱动和输出的线性放大器级来
30 MHz的HF / SSB设备。
规定的28伏, 30 MHz的特点 -
输出功率为25 W( PEP )
最小增益= 22分贝
效率 - 35 %
互调失真@ 25 W( PEP ) -
IMD = - 30分贝(最大)
100 %测试负载不匹配,在所有相位角为30 : 1 VSWR
A类和AB表征
BLX 13等价
MRF426
25 W( PEP ) , 30 MHz的
射频功率
晶体管
NPN硅
CASE 211-07 ,风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
耐受电流 - 5秒
器件总功耗@ TC = 25 ° C( 1 )
减免上述25℃
存储温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
—
PD
TSTG
价值
35
65
4.0
3.0
6.0
70
0.4
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
瓦
W / ℃,
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.5
单位
° C / W
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 50 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = 50 MADC , IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 10 MADC , IC = 0 )
集电极截止电流( VCE = 28伏直流电, VBE = 0 )
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
冰
35
65
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
10
VDC
VDC
VDC
MADC
注意:
(续)
1.该设备是专为RF操作。总的器件损耗的评价仅适用于当该装置作为一个RF放大器进行操作。
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF426
1
电气特性 - 续
( TC = 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 1.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
10
35
—
—
动态特性
输出电容
( VCB = 30伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
COB
—
60
80
pF
功能测试( SSB )
共发射极放大器增益
( VCC = 28伏直流电,噘= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫, ICQ = 25 mA)的
收藏家EF网络效率
( VCC = 28伏直流电,噘= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫, ICQ = 25 mA)的
互调失真( 2 )
( VCC = 28伏直流电,噘= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫, ICQ = 25 mA)的
负载不匹配
( VCC = 28伏直流电,噘= 25 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫, ICQ = 25毫安,电压驻波比30 : 1 ,在所有相位角)
GPE
22
25
—
dB
η
35
—
—
%
IMD(d3)
—
– 35
– 30
dB
ψ
在输出功率不降低
A类性能
互调失真( 2 )和功率增益
( VCC = 28伏直流电,噘= 8.0 W( PEP ) , F1 = 30 MHz时,
F2 = 30.001兆赫, ICQ = 1.2 ADC )
GPE
IMD(d3)
IMD(d5)
—
—
—
23.5
– 40
– 55
—
—
—
dB
注意:
2. MIL-STD- 1311版本A ,测试方法2204B ,双音,参考每个音。
C8
RFC1
BIAS
输入
C6
C7
CR1
L4
L2
C3
C9
L3
RFC2
+
28伏直流
–
RF输出
C5
DUT
C4
RF
输入
L1
C1
C2
R1
C1 , C2 - ARCO 469 , 190- 780 pF的
C3 , C4 - ARCO 464 , 25 - 280 pF的
C5 - 120 pF的云母浸
C6, C7 — 100
F,
15 VDC
C8 - 680 pF的F.T.艾伦·布拉德利
C9 — 1.0
F
35 V钽
CR1 - 1N4997
L1 - 3打开16 # 0.25 “ ID
L2 - 6回合# 16 0.5 “标识
L3 - 7打开20# 0.38 “ ID
L4 — 10
H
模扼流Delevan公司
RFC1 - Ferroxcube公司VK200 / 20-4B
RFC2 - 3- Ferroxcube公司5653065-3B
RF - 输入/输出接口UG53 A / μ
R1 — 10
1/2瓦10 %
调整偏置(基地)为ICQ = 20 mA的无射频应用
图1. 30 MHz的线性测试电路
MRF426
2
摩托罗拉RF设备数据
MRF426
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI MRF426
是专为
高增益放大器应用最多
30兆赫。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点:
P
G
= 22分贝分钟。在25 W / 30 MHz的
IMD
3
= -30 dBc的最大值。在25瓦
(PEP)
Omnigold
金属化系统
作为配对。
E
C
.125 NOM 。
,完全R
J
.125
B
C
D
F
E
E
G
H I
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
3.0 A
65 V
35 V
4.0 V
70瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
2.5 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
G
P
η
C
IMD
3
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
35
4.0
10
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 25 W
(PEP)
F = 30 MHz的
10
200
80
22
35
-30
dBc的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
1/2
MRF426
错误!未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
2/2