MC74VHC74
双D型触发器
有设定和复位
该MC74VHC74是一种先进的高速CMOS D型
触发器制作与硅栅CMOS技术。它实现
类似相当于双极肖特基TTL高速运转
同时保持CMOS低功耗。
施加给D输入端的信号电平被转移到Q输出端
在时钟脉冲的正向跳变。
复位（ RD ）和Set （ SD ）是独立的时钟（ CP ）和有
通过设置适当的输入低电平来实现的。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
14
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G
1
14
SOEIAJ14
M后缀
CASE 965
1
VHC74
ALYWG
VHC
74
ALYWG
G
VHC74G
AWLYWW
1
高速：F
最大
= 170MHz的（典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 2毫安（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能：
人体模型> 2000伏;
机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 128场效应管或32个等效门
无铅包可用*
1
2
3
4
5
6
Q1
Q1
13
12
11
10
9
8
Q2
Q2
1
1
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
Y， YY =年
WW ，W =工作周
G或
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
RD1
D1
CP1
SD1
RD2
D2
CP2
SD2
功能表
输入
SD
L
H
L
H
H
H
H
H
RD
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
X
X
输出
Q
Q
H
L
L
H
H*
H*
H
L
L
H
没有变化
没有变化
没有变化
图1.逻辑图
L
H
*两个输出将维持高位，只要设置并重新
组低，但输出状态是不可预测的
如果置位和复位高电平同时进行。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
MC74VHC74/D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
V
CC
V
OUT
t
r
, t
f
V
OH
V
in
V
OL
T
A
V
IH
I
CC
V
IL
I
in
输入上升和下降时间
工作温度，所有封装类型
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
最大静态
电源电流
最大输入
漏电流
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
参数
参数
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5V或GND
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50mA
测试条件
V
CC
= 3.3V
±0.3V
V
CC
=5.0V
±0.5V
http://onsemi.com
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0到5.5
0至5.5
V
CC
V
5.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
40
民
2.0
0
0
0
0
价值
20
±
50
±
25
±
20
500
450
MC74VHC74
- 0.5 V
CC
+ 0.5
2
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
+ 85
最大
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
NS / V
单位
单位
典型值
mW
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
mA
mA
mA
mA
_C
_C
V
V
V
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
±
0.1
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
2.0
图2.引脚分配
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
GND
RD1
SD1
CP1
Q1
Q1
D1
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
4085 ℃下
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
7
6
5
4
3
2
1
0.50
V
CC
x 0.3
±
1.0
0.44
0.44
最大
10
12
13
14
11
0.1
0.1
0.1
8
9
20.0
Q2
Q2
CP2
D2
RD2
V
CC
SD2
单位
mA
mA
V
V
V
V
MC74VHC74
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
T
A
= 25°C
典型值
6.7
9.2
4.6
6.1
T
A
=
4085 ℃下
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
70
45
最大
14.0
17.5
测试条件
民
最大
单位
ns
最大传播延迟，
CP到Q或Q
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
11.9
15.4
7.3
9.3
8.5
10.5
t
PLH
,
t
PHL
最大传播延迟，
SD或RD到Q或Q
7.6
10.1
4.8
6.3
12.3
15.8
7.7
9.7
14.5
18.0
9.0
11.0
ns
f
最大
最大时钟频率
（50 ％占空比）
80
50
125
75
170
115
4
兆赫
130
90
110
75
C
in
最大输入电容
10
10
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0V
25
C
PD
功率耗散电容（注1 ）
pF
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 2 （每个触发器） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
保证限额
符号
t
w
t
w
参数
V
CC
V
T
A
= 25_C
6.0
5.0
6.0
5.0
6.0
5.0
0.5
0.5
5.0
3.0
T
A
=
40
85_C
7.0
5.0
7.0
5.0
7.0
5.0
0.5
0.5
5.0
3.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
最小脉冲宽度， CP
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
最小脉冲宽度， RD或SD
最小建立时间，D到CP
最小保持时间，D到CP
t
su
t
h
t
REC
最小恢复时间， SD或RD到CP
订购信息
设备
MC74VHC74DR2
MC74VHC74DR2G
MC74VHC74DT
MC74VHC74DTG
MC74VHC74DTR2
MC74VHC74DTR2G
MC74VHC74MEL
MC74VHC74MELG
包
航运
SOIC14
SOIC14
（无铅）
TSSOP14*
TSSOP14*
TSSOP14*
TSSOP14*
SOEIAJ14
SOEIAJ14
（无铅）
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
96单位/铁
96单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
3
MC74VHC74
包装尺寸
SOIC14
后缀
CASE 751A -03
ISSUE摹
A
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出BE 0.127
（ 0.005 ）总计超过的D
DIMENSION最大材料
条件。
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.55
8.75
3.80
4.00
1.35
1.75
0.35
0.49
0.40
1.25
1.27 BSC
0.19
0.25
0.10
0.25
0
_
7
_
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
0
_
7
_
0.228 0.244
0.010 0.019
B
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
1
7
G
C
R
X 45
_
F
T
座位
飞机
D
14 PL
0.25 (0.010)
K
M
M
S
J
T B
A
S
TSSOP14
DT后缀
CASE 948G -01
发出
14X
K
REF
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A不包括模型
FLASH中，突出或毛刺。
塑模的毛边或毛刺SHALL NOT
超过0.15 （ 0.006 ），每边。
4.尺寸b不包括
间的薄膜或凸出部分。
间的薄膜或突出应该
不超过0.25 （ 0.010 ），每边。
5.尺寸k不包括
dambar突出。 ALLOWABLE
DAMBAR突出为0.08
（ 0.003 ）总计超过K型
DIMENSION最大材料
条件。
6.端子数列
仅供参考。
7，维A和B是被
在基准面确定
W.
MILLIMETERS
英寸
民
最大
最小最大
4.90
5.10 0.193 0.200
4.30
4.50 0.169 0.177
1.20
0.047
0.05
0.15 0.002 0.006
0.50
0.75 0.020 0.030
0.65 BSC
0.026 BSC
0.50
0.60 0.020 0.024
0.09
0.20 0.004 0.008
0.09
0.16 0.004 0.006
0.19
0.30 0.007 0.012
0.19
0.25 0.007 0.010
6.40 BSC
0.252 BSC
0
_
8
_
0
_
8
_
0.10 (0.004)
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
M
ü
S
V
N
S
2X
L/2
14
8
0.25 (0.010)
M
L
销1
IDENT 。
1
7
B
U
N
F
DETAIL ê
K
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
J J1
C
0.10 (0.004)
T
座位
飞机
D
G
H
DETAIL ê
http://onsemi.com
5
A
V
K1
第N-N
W
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
摩托罗拉
半导体技术资料
双D型触发器
有设定和复位
该MC74VHC74是一种先进的高速的CMOS D型触发器
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
施加到D输入端的信号电平在传送到Q输出端
时钟脉冲的正向跳变。
复位（ RD ）和Set （ SD ）是独立的时钟（ CP ）和有
通过设置适当的输入低电平来实现的。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速的fmax = 170MHz的（典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
高抗干扰性： VNIH = VNIL = 28 ％ VCC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.8V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 128场效应管或32个等效门
MC74VHC74
后缀
14引脚SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
14引脚TSSOP封装
CASE 948G -01
M后缀
14引脚SOIC封装EIAJ
CASE 965-01
订购信息
MC74VHCXXD
MC74VHCXXDT
MC74VHCXXM
SOIC
TSSOP
EIAJ SOIC
逻辑图
RD1
D1
CP1
SD1
1
2
3
4
5
6
RD2
Q1
Q1
D2
CP2
SD2
13
12
11
10
9
8
Q2
引脚分配
Q2
RD1
D1
CP1
SD1
Q1
Q1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
RD2
D2
CP2
SD2
Q2
Q2
功能表
输入
SD
L
H
L
H
H
H
H
H
RD
H
L
L
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
X
X
输出
Q
Q
H
L
L
H
H*
H*
H
L
L
H
没有变化
没有变化
没有变化
GND
L
H
*两个输出将维持高位，只要置位和复位低，但输出
国家是不可预测的，如果置位和复位同步走高。
6/97
摩托罗拉1997年公司
1
REV 1
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的指示可能不利地
影响器件的可靠性。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHC74
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
VOH
VCC
VOL
VOUT
VIH
TR ， TF
VIL
VIN
TA
最底层
输出电压
最小高级别
输出电压
最底层
输入电压
最小高级别
输入电压
输入上升和下降时间
工作温度，所有封装类型
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
试验C迪我
T
条件
VCC = 3.3V
±0.3V
VCC = 5.0V
±0.5V
2.0
3.0以
5.5
2.0
3.0以
5.5
VCC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2
– 40
民
2.0
0
0
0
0
1.50
VCC ×0.7
2.58
3.94
民
1.9
2.9
4.4
VCC
+ 85
最大
100
20
5.5
5.5
TA = 25°C
NS / V
单位
_
C
_
C
典型值
V
V
V
V
V
V
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
0.50
VCC ×0.3
0.36
0.36
最大
0.1
0.1
0.1
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
1.50
VCC ×0.7
TA = - 40 85°C
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
v
0.50
VCC ×0.3
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
v
单位
U I
V
V
V
V
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
鳍+ ICC / 2 （每个触发器） 。 CPD被用于确定所述
无负载的动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
DC电气特性
符号
S B升
符号
tPLH的，
的TPH1
tPLH的，
的TPH1
FMAX
ICC
CIN
IIN
最大输入电容
最大时钟频率
（50 ％占空比）
最大传播延迟，
SD或RD到Q或Q
最大传播延迟，
CP到Q或Q
最大静态
电源电流
最大输入
漏电流
参数
参数
P
VIN = VCC或GND
VIN = 5.5V或GND
测试条件
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
VCC = 3.3
±
0.3V
试验C迪我
T
条件
0至5.5
VCC
V
5.5
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CL = 15pF的
CL = 50pF的
民
民
130
90
80
50
TA = 25°C
典型值
TA = 25°C
7.6
10.1
典型值
170
115
125
75
4.8
6.3
4.6
6.1
6.7
9.2
4
典型的25°C ， VCC = 5.0V
±
0.1
最大
2.0
12.3
15.8
最大
11.9
15.4
7.7
9.7
7.3
9.3
10
TA = - 40 85°C
民
TA = - 40 85°C
民
110
75
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
70
45
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
时序要求
（输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
S B升
CPD
TREC
TSU
tw
tw
th
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注1 ）
1.)
最小恢复时间， SD或RD到CP
最小保持时间，D到CP
最小建立时间，D到CP
最小脉冲宽度， RD或SD
最小脉冲宽度， CP
参数
P
3
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
3.3
±
0.3
5.0
±
0.5
VCC
V
TA = 25
_
C
6.0
5.0
5.0
3.0
0.5
0.5
6.0
5.0
6.0
5.0
保证限额
25
TA = - 40
85
_
C
5.0
3.0
0.5
0.5
7.0
5.0
7.0
5.0
7.0
5.0
MC74VHC74
±
1.0
20.0
最大
14.5
18.0
14.0
17.5
最大
8.5
10.5
9.0
11.0
10
摩托罗拉
单位
U I
pF
F
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
单位
U I
单位
A
A
pF
ns
ns
MC74VHC74
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
DT后缀
塑料TSSOP封装
CASE 948G -01
发行
14X
K
REF
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A不包括毛边，
突出或毛刺。毛边
或毛刺不会超过0.15
（ 0.006 ），每边。
4.尺寸b不包括引脚间
FLASH或突出。间的薄膜或
PROTRUSION不得超过
0.25 （ 0.010 ），每边。
5.尺寸k不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该是0.08 （ 0.003 ）的总
超过维最大的
物质条件。
6.端子数列
仅供参考。
7，维A和B是待确定
AT基准面-W- 。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
MILLIMETERS
民
最大
4.90
5.10
4.30
4.50
–––
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.50
0.60
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0
_
8
_
英寸
民
最大
0.193
0.200
0.169
0.177
–––
0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.020
0.024
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0
_
8
_
0.10 (0.004)
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
M
ü
S
V
S
N
2X
L/2
14
8
0.25 (0.010)
M
L
销1
IDENT 。
1
7
B
–U–
N
F
DETAIL ê
K
K1
J J1
0.15 （ 0.006 ）T ü
S
A
–V–
第N-N
–W–
C
0.10 (0.004)
–T–
座位
飞机
D
G
H
DETAIL ê
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
5
摩托罗拉
QQ：2881677436 复制
