飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF284
启示录17 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
1000年至2600年兆赫。适用于FM ， TDMA ，CDMA和多载波放大器
应用程序。被用在A类和AB类的PCN - PCS /蜂窝无线
和无线本地环路。
指定了两个 - 音频性能@ 2000兆赫， 26伏
输出功率= 30瓦PEP
功率增益= 9分贝
效率 - 30 ％
互调失真 - - 29 dBc的
典型的单 - 在2000兆赫， 26伏音频性能
输出功率= 30瓦CW
功率增益 - 9.5分贝
效率= 45％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 2000兆赫， 30瓦CW
输出功率
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
MRF284LR1
MRF284LSR1
2000兆赫， 30 W， 26 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 360B - 05 ，风格1
NI - 360
MRF284LR1
CASE 360℃ - 05 ，风格1
NI - 360S
MRF284LSR1
价值
- 0.5, +65
±
20
87.5
0.5
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
2.0
单位
° C / W
表3.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1.0
10
VDC
μAdc
μAdc
（续）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF284LR1 MRF284LSR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 200 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.0 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.0 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
通用 - 源功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30 W，I
DQ
= 200毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30 W，I
DQ
= 200毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30 W，I
DQ
= 200毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30 W，I
DQ
= 200毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 200毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 200毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 200毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 200毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 200毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 200毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
G
ps
9
10.5
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
43
23
1.4
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.0
3.0
—
—
3.0
4.0
0.3
1.5
4.0
5.0
0.6
—
VDC
VDC
VDC
S
符号
民
典型值
最大
单位
η
30
35
—
%
IMD
—
- 32
- 29
dBc的
IRL
—
- 15
-9
dB
G
ps
9
10.4
—
dB
η
—
35
—
%
IMD
—
- 34
—
dBc的
IRL
—
- 15
-9
dB
G
ps
8.5
9.5
—
dB
η
35
45
—
%
MRF284LR1 MRF284LSR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
+
C3
R1
W1
C4
R2
R3
R5
R6
W2
C12
R7
W3
C14
V
DD
+
C17
+
C18
B1
C6
R4
B2
C7
C15
C13
B3
L1
Z10
RF
输入
Z1
Z2
C1
Z3
C2
C5
Z4
Z5
Z6
Z7
C8
Z8
C9
DUT
Z9
C10
Z11
Z12
Z13
C11
L2
L3
RF
产量
Z14
Z15
C16
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.530 “× 0.080 ”微带
0.255 “× 0.080 ”微带
0.600 “× 0.080 ”微带
0.525 “× 0.080 ”微带
0.015 “× 0.325 ”微带
0.085 “× 0.325 ”微带
0.165 “× 0.325 ”微带
0.110 “× 0.515 ”微带
0.095 “× 0.515 ”微带
0.050 “× 0.515 ”微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.155 “× 0.515 ”微带
0.120 “× 0.325 ”微带
0.150 “× 0.325 ”微带
0.010 “× 0.325 ”微带
0.505 “× 0.080 ”微带
0.865 “× 0.080 ”微带
0.525 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1： 2030至00年MHz的宽带测试电路原理图
表4. 2030至00年MHz的宽带测试电路元件牌号和值
代号
B1 - B3
C1, C2, C8
C3, C17
C4, C14
C5
C6, C12
C7, C13
C9
C10
C11
C15, C16
C18
L1, L2
L3
R1, R2, R3, R5, R6, R7
R4
W1, W2, W3
WS1，WS2
描述
铁氧体磁珠，圆形， Ferroxcube公司＃ 56 - 590 - 65 - 3B
0.8 - 8.0 pF的Gigatrim可变电容器，约翰森＃ 27291SL
22
MF，
35 V钽表面贴装片式电容，基美＃ T491X226K035AS4394
0.1
mF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
220 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B221KP500X
1000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA50X
5.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R1CCA500X
1.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B1R2CCA500X
2.7 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B2R7CCA500X
0.6 - 4.5 pF的Gigatrim可变电容器，约翰森＃ 27271SL
200 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B201KP500X
10
MF，
35 V钽表面贴装片式电容，基美＃ T495X106K035AS4394
4圈， ＃ 24 AWG ， 0.120 “OD ， 0.140 ”长（ 12.5 NH） ， Coilcraft在＃ A04T - 5
2圈， ＃ 24 AWG ， 0.120 “OD ， 0.140 ”长（ 5.0 NH） ， Coilcraft在＃ A02T - 5
12
Ω,
1/4 W码电阻器， 0.08 “× 0.13 ” ，加勒特仪器＃ RM73B2B120JT
560千欧， 1/4 W码电阻， 0.08 “× 0.13 ”
实心铜巴斯线， 16 AWG
铍铜合金耐磨块0.005 “× 0.250 ”× 0.250“
MRF284LR1 MRF284LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C4
R1
W1
B1
R2
C6
C12
W2
C14
W3
R6
R7
C17
R3
R4
B3
R5
B2
C3
C7
L1
C5
WS1
WS2
C9
C10
L2
C13
C18
C15
C16
L3
C1
C2
C8
C11
MRF284
冯 - 0
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. 2030至00年MHz的宽带测试电路元件布局
MRF284LR1 MRF284LSR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
供应
+
R1
R3
P1
Q1
R2
R4
Q2
R5
R6
+
C9
C7 R7
C8
R8
C2
C4
C11
C13
R9
C10
R10
R11
C15
C16
V
DD
C1
B3
B1
B2
+
B4
B5
V
DD
L4
RF
产量
L1
RF
输入
Z1
Z2
Z3
C3
L2
C5
Z4
Z5
L3
Z6
Z7
Z8
Z9
DUT
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
C14
Z15
Z16
C12
C6
C17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.363 “× 0.080 ”微带
0.080 “× 0.080 ”微带
0.916 “× 0.080 ”微带
0.517 “× 0.080 ”微带
0.050 “× 0.325 ”微带
0.050 “× 0.325 ”微带
0.071 “× 0.325 ”微带
0.125 “× 0.325 ”微带
0.210 “× 0.515 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.210 “× 0.515 ”微带
0.235 “× 0.325 ”微带
0.02 “× 0.325 ”微带
0.02 “× 0.325 ”微带
0.510 “× 0.080 ”微带
0.990 “× 0.080 ”微带
0.390 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图3. 2000兆赫级的测试电路原理图
MRF284LR1 MRF284LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
