MC10EP11 ， MC100EP11
3.3V / 5V ECL 1 ： 2
差分扇出缓冲器
在MC10 / 100EP11为差动1 ： 2扇出缓冲器。该装置是
销和功能等效LVEL11设备。交流
性能比LVEL11设备快得多，该EP11是理想
对于需要最快的AC性能可用的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
220 ps的典型传播延迟
最大时钟频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
HEP11
ALYW
1
1
8
KEP11
ALYW
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
HP11
ALYW
1
8
KP11
ALYW
1
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP11D
MC10EP11DR2
MC100EP11D
MC100EP11DR2
MC10EP11DT
MC10EP11DTR2
MC100EP11DT
MC100EP11DTR2
包
SO8
SO8
SO8
SO8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 修订版6
出版订单号：
MC10EP11/D
MC10EP11 ， MC100EP11
Q0
1
8
V
CC
针
D*, D**
引脚说明
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
Q0
2
R
1
7
D
Q0, Q0, Q1, Q1
V
CC
V
EE
Q1
3
R
2
R
1
6
D
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为高电平时处于打开状态。
Q1
4
5
V
EE
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
R
1
R
2
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
73
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
＆ LT ; 2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
http://onsemi.com
2
MC10EP11 ， MC100EP11
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注5 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
29
2290
1490
最大
37
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
150
民
20
2230
1430
2155
1430
2.0
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
39
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
150
民
22
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
31
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注8）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
29
3990
3190
最大
37
4115
3315
4115
3390
5.0
150
0.5
150
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
39
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
150
民
22
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
31
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
1135
1935
1210
1935
V
EE
+2.0
典型值
29
1010
1810
最大
37
885
1685
885
1610
0.0
民
20
1070
1870
1145
1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
30
945
1745
最大
39
820
1620
820
1545
0.0
民
22
1010
1810
1085
1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
31
885
1685
最大
40
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
注意：
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP11 ， MC100EP11
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围（昼夜温差
髓鞘配置） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
35
2280
1480
最大
44
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
35
2280
1480
最大
44
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
35
2280
1480
最大
46
2405
1605
2420
1675
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围（昼夜温差
髓鞘配置） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
35
3980
3180
最大
44
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
35
3980
3180
最大
44
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
35
3980
3180
最大
46
4105
3305
4120
3375
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注18 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注19 ）
输出低电压（注19 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注19 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
1145
1945
1225
1945
V
EE
+2.0
典型值
35
1020
1820
最大
44
895
1695
880
1625
0.0
民
26
1145
1945
1225
1945
V
EE
+2.0
25°C
典型值
35
1020
1820
最大
44
895
1695
880
1625
0.0
民
26
1145
1945
1225
1945
V
EE
+2.0
85°C
典型值
35
1020
1820
最大
46
895
1695
880
1625
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
注意：
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
18.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
19.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
20. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP11 ， MC100EP11
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注21 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
INPP
t
r
t
f
特征
最大频率
（参见图2）
传播延迟
差分输出
CLK到Q，Q
140
民
典型值
>3
最大
民
25°C
典型值
>3
最大
民
85°C
典型值
>3
最大
单位
GHz的
ps
200
10
0.2
150
Q, Q
70
800
120
250
15
110
<1
1200
170
150
80
160
220
15
0.2
800
130
270
20
110
<1
1200
180
150
90
180
240
20
0.2
800
150
300
25
120
<1
1200
200
ps
ps
mV
ps
在设备倾斜
Q0 ， Q1 （注22 ）
设备到设备斜
随机时钟抖动（ RMS）
（参见图2）
输入电压摆幅灵敏度
（差分配置）
输出上升/下降时间
（ 20 ％ - 80 ％ ） @ 1.0 GHz的
21.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
22.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
900
输出电压振幅（毫伏）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
抖动
OUT
PS （ RMS）
图2.输出电压幅值（V
OUTpp
）RMS抖动与输入时钟频率在环境温度
0
1000
2000
3000
输入频率（MHz）
http://onsemi.com
5
MC10EP11 ， MC100EP11
3.3V / 5V ECL 1 ： 2
差分扇出缓冲器
在MC10 / 100EP11为差动1 ： 2扇出缓冲器。该装置是
销和功能等效LVEL11设备。交流
性能比LVEL11设备快得多，该EP11是理想
对于需要最快的AC性能可用的应用程序。
100系列包含温度补偿。
http://onsemi.com
220 ps的典型传播延迟
最大时钟频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
= -3.0 V至-5.5 V
打开输入默认状态
标记DIAGRAMS *
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
HEP11
ALYW
1
1
8
KEP11
ALYW
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
8
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
HP11
ALYW
1
8
KP11
ALYW
1
H = MC10
K = MC100
A =大会地点
L =晶圆地段
Y =年
W =工作周
*有关更多信息，请参阅应用笔记
AND8002/D
订购信息
设备
MC10EP11D
MC10EP11DR2
MC100EP11D
MC100EP11DR2
MC10EP11DT
MC10EP11DTR2
MC100EP11DT
MC100EP11DTR2
包
SO8
SO8
SO8
SO8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
航运
98单位/铁
2500磁带&卷轴
98单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
100单位/铁
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 修订版6
出版订单号：
MC10EP11/D
MC10EP11 ， MC100EP11
Q0
1
8
V
CC
针
D*, D**
引脚说明
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
Q0
2
R
1
7
D
Q0, Q0, Q1, Q1
V
CC
V
EE
Q1
3
R
2
R
1
6
D
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为高电平时处于打开状态。
Q1
4
5
V
EE
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
R
1
R
2
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
73
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
TA
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
0 LFPM
500 LFPM
STD BD
＆ LT ; 2至3秒@ 248 ℃下
8 SOIC
8 SOIC
8 SOIC
8 TSSOP
8 TSSOP
8 TSSOP
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
http://onsemi.com
2
MC10EP11 ， MC100EP11
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注3）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注4 ）
输出低电压（注4 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注5 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
29
2290
1490
最大
37
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
150
民
20
2230
1430
2155
1430
2.0
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
39
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
150
民
22
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
31
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
3.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
4.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
5. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注6 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注7 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注8）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
29
3990
3190
最大
37
4115
3315
4115
3390
5.0
150
0.5
150
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
39
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
150
民
22
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
31
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
6.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
7.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
8. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注9 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注10 ）
输出低电压（注10 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注11 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
1135
1935
1210
1935
V
EE
+2.0
典型值
29
1010
1810
最大
37
885
1685
885
1610
0.0
民
20
1070
1870
1145
1870
V
EE
+2.0
25°C
典型值
30
945
1745
最大
39
820
1620
820
1545
0.0
民
22
1010
1810
1085
1810
V
EE
+2.0
85°C
典型值
31
885
1685
最大
40
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
注意：
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
9.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
10.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
11. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP11 ， MC100EP11
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注12 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注13 ）
输出低电压（注13 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围（昼夜温差
髓鞘配置） （注14 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
35
2280
1480
最大
44
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
35
2280
1480
最大
44
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
35
2280
1480
最大
46
2405
1605
2420
1675
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
12.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以变化0.3到-2.2V。
13.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
14. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注15 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
注意：
特征
负电源电流
输出高电压（注16 ）
输出低电压（注16 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围（昼夜温差
髓鞘配置） （注17 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
35
3980
3180
最大
44
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
35
3980
3180
最大
44
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
35
3980
3180
最大
46
4105
3305
4120
3375
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
15.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至-0.5 V.
16.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
17. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
100EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
= -5.5 V至-3.0 V（注18 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
特征
负电源电流
输出高电压（注19 ）
输出低电压（注19 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注19 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
1145
1945
1225
1945
V
EE
+2.0
典型值
35
1020
1820
最大
44
895
1695
880
1625
0.0
民
26
1145
1945
1225
1945
V
EE
+2.0
25°C
典型值
35
1020
1820
最大
44
895
1695
880
1625
0.0
民
26
1145
1945
1225
1945
V
EE
+2.0
85°C
典型值
35
1020
1820
最大
46
895
1695
880
1625
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
I
IH
I
IL
注意：
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
EP电路设计，以满足上表所示的DC规格热平衡建立后。
该电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和横向气流大于500 LFPM被保持。
18.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
19.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
20. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是参照differen-最正侧
TiAl金属的输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP11 ， MC100EP11
AC特性
V
CC
= 0 V; V
EE
= -3.0 V至-5.5 V或V
CC
= 3.0 V至5.5 V ; V
EE
= 0 V （注21 ）
40°C
符号
f
最大
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
t
抖动
V
INPP
t
r
t
f
特征
最大频率
（参见图2）
传播延迟
差分输出
CLK到Q，Q
140
民
典型值
>3
最大
民
25°C
典型值
>3
最大
民
85°C
典型值
>3
最大
单位
GHz的
ps
200
10
0.2
150
Q, Q
70
800
120
250
15
110
<1
1200
170
150
80
160
220
15
0.2
800
130
270
20
110
<1
1200
180
150
90
180
240
20
0.2
800
150
300
25
120
<1
1200
200
ps
ps
mV
ps
在设备倾斜
Q0 ， Q1 （注22 ）
设备到设备斜
随机时钟抖动（ RMS）
（参见图2）
输入电压摆幅灵敏度
（差分配置）
输出上升/下降时间
（ 20 ％ - 80 ％ ） @ 1.0 GHz的
21.使用一个750毫伏源， 50％占空比的时钟源进行测定。所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
22.倾斜测量在相同的输出转换之间。占空比歪斜只为微分运算定义时的延误
从输入端的交叉点进行测量，以在输出端的交叉点。
900
输出电压振幅（毫伏）
800
700
600
500
400
300
200
100
0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
抖动
OUT
PS （ RMS）
图2.输出电压幅值（V
OUTpp
）RMS抖动与输入时钟频率在环境温度
0
1000
2000
3000
输入频率（MHz）
http://onsemi.com
5
MC10EP11 ， MC100EP11
3.3V / 5V ECL 1 ： 2
差分扇出缓冲器
描述
在MC10 / 100EP11为差动1 ： 2扇出缓冲器。该装置是
销和功能等效LVEL11设备。交流
性能比LVEL11设备快得多，该EP11是理想
对于需要最快的AC性能可用的应用程序。
100系列包含温度补偿。
特点
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS *
8
HEP11
ALYW
G
8
KEP11
ALYW
G
220 ps的典型传播延迟
最大时钟频率> 3 GHz的典型
PECL模式经营范围： V
CC
= 3.0 V至5.5 V
1
1
随着V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V
随着V
EE
=
3.0
V到
5.5
V
打开输入默认状态
安全钳上的投入
Q输出将默认低，输入开路或在V
EE
无铅包可用
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
8
HP11
ALYWG
G
8
KP11
ALYWG
G
1
1
DFN8
MN后缀
CASE 506AA
H
K
5K
2Z
M
= MC10
= MC100
= MC10
= MC100
=日期代码
A
L
Y
W
G
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年12月，
启8
1
出版订单号：
MC10EP11/D
2Z MG
G
4
MC10EP11 ， MC100EP11
Q0
1
8
V
CC
表1.引脚说明
针
D*, D**
功能
ECL数据输入
ECL输出数据
正电源
负电源
裸焊盘必须
连接到一个足够
热导管。电
连接到最负
供应或离开浮开放。
Q0
2
R
1
7
D
Q0, Q0, Q1, Q1
V
CC
V
EE
EP
Q1
3
R
2
R
1
6
D
Q1
4
5
V
EE
*当悬空引脚默认为低电平。
**引脚默认为高电平时处于打开状态。
图1. 8引脚引脚
（ TOP VIEW ）
和逻辑图
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入下拉电阻
内部输入上拉电阻
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 1
LEVEL 1
价值
75千瓦
37.5千瓦
＆ GT ; 4千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 2千伏
无铅PKG
LEVEL 1
LEVEL 3
LEVEL 1
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
SOIC8
TSSOP8
DFN8
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
73设备
http://onsemi.com
2
MC10EP11 ， MC100EP11
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
q
JA
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
与2至3秒@ 248 ℃下
<2 3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
DFN8
DFN8
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
6
6
6
6
50
100
40
+85
65
+150
190
130
41至44
185
140
41至44
129
84
265
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
表4. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0V （注2）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
负电源电流
输出高电压（注3 ）
输出低电压（注3 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
2165
1365
2090
1365
2.0
典型值
29
2290
1490
最大
37
2415
1615
2415
1690
3.3
150
0.5
150
民
20
2230
1430
2155
1430
2.0
25°C
典型值
30
2355
1555
最大
39
2480
1680
2480
1755
3.3
150
0.5
150
民
22
2290
1490
2215
1490
2.0
85°C
典型值
31
2415
1615
最大
40
2540
1740
2540
1815
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
3.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
4. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
3
MC10EP11 ， MC100EP11
表5. 10EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0V （注5）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
负电源电流
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置） （注7 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
3865
3065
3790
3065
2.0
典型值
29
3990
3190
最大
37
4115
3315
4115
3390
5.0
150
0.5
150
民
20
3930
3130
3855
3130
2.0
25°C
典型值
30
4055
3255
最大
39
4180
3380
4180
3455
5.0
150
0.5
150
民
22
3990
3190
3915
3190
2.0
85°C
典型值
31
4115
3315
最大
40
4240
3440
4240
3515
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
5.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
.
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表6. 10EP直流特性， NECL
V
CC
= 0 V; V
EE
=
5.5
V到
3.0
V（注8）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
负电源电流
输出高电压（注9 ）
输出低电压（注9 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模
范围（差分配置）
（注10 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
20
1135
1935
1210
1935
V
EE
+ 2.0
典型值
29
1010
1810
最大
37
885
1685
885
1610
0.0
民
20
1070
1870
1145
1870
V
EE
+ 2.0
25°C
典型值
30
945
1745
最大
39
820
1620
820
1545
0.0
民
22
1010
1810
1085
1810
V
EE
+ 2.0
85°C
典型值
31
885
1685
最大
40
760
1560
760
1485
0.0
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
150
0.5
150
150
0.5
150
150
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
.
9.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
10. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
4
MC10EP11 ， MC100EP11
表7. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注11 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
负电源电流
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围（昼夜温差
髓鞘配置） （注13 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
典型值
35
2280
1480
最大
44
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
25°C
典型值
35
2280
1480
最大
44
2405
1605
2420
1675
3.3
150
0.5
150
民
26
2155
1355
2075
1355
2.0
85°C
典型值
35
2280
1480
最大
46
2405
1605
2420
1675
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
11.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+0.3 V至
2.2
V.
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
13. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
表8. 100EP直流特性， PECL
V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V （注14 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
负电源电流
输出高电压（注15 ）
输出低电压（注15 ）
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输入高电压共模范围
（差分配置） （注16 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
典型值
35
3980
3180
最大
44
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
25°C
典型值
35
3980
3180
最大
44
4105
3305
4120
3375
5.0
150
0.5
150
民
26
3855
3055
3775
3055
2.0
85°C
典型值
35
3980
3180
最大
46
4105
3305
4120
3375
5.0
150
单位
mA
mV
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
14.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变+2.0 V至
0.5
V.
15.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
16. V
IHCMR
分变化1： 1结合V
EE
, V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
。在V
IHCMR
范围是相对于所述差分的最正侧
输入信号。
http://onsemi.com
5
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