摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF21030 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2.0至2.2千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
宽带CDMA性能： -45 dB的ACPR @ 4.096兆赫， 28伏
输出功率 - 3.5瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 15 ％
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 2.11千兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF21030R3
MRF21030SR3
2.2千兆赫， 30 W， 28 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465E -03 ，风格1
NI–400
MRF21030R3
CASE 465F -03 ，风格1
NI–400S
MRF21030SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
83.3
0.48
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.1
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF21030R3 MRF21030SR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 250 mA）的
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 250毫安，
F = 2110兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
—
13
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
33
—
%
IMD
—
–30
—
dBc的
IRL
—
–13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
31
33
—
%
IMD
—
–30
–27.5
dBc的
IRL
—
–13
–9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21030R3 MRF21030SR3
2
摩托罗拉RF设备数据
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
60
50
40
30
20
10
0
2080
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2200
30
25
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
-20
-30
-40
ACPR
η
G
ps
-50
-60
-70
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
IRL
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
IMD
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
20
15
10
5
0
2
1
3
4
5
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
6
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
-25
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
-30
100 kHz音调间距
-35
-40
200毫安
250毫安
400毫安
300毫安
350毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
-20
-30
-40
-50
-60
-70
1.0
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
7阶
五阶
-45
-50
-55
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
16
15
图6.互调失真产品
与输出功率
-22
-24
PS ，功率增益（分贝）
15
PS ，功率增益（分贝）
400毫安
350毫安
300毫安
250毫安
200毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
14.5
G
ps
14
IMD
-26
-28
-30
-32
P
OUT
= 30 W（ PEP ）
I
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
22
24
26
28
30
32
-34
-36
-38
34
14
13.5
13
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
13
20
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF21030R3 MRF21030SR3
4
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF21030 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2.0至2.2千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
宽带CDMA性能： -45 dB的ACPR @ 4.096兆赫， 28伏
输出功率 - 3.5瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 15 ％
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 2.11千兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF21030R3
MRF21030SR3
2.2千兆赫， 30 W， 28 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465E -03 ，风格1
NI–400
MRF21030R3
CASE 465F -03 ，风格1
NI–400S
MRF21030SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
83.3
0.48
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.1
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF21030R3 MRF21030SR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 250 mA）的
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 250毫安，
F = 2110兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
—
13
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
33
—
%
IMD
—
–30
—
dBc的
IRL
—
–13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
31
33
—
%
IMD
—
–30
–27.5
dBc的
IRL
—
–13
–9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21030R3 MRF21030SR3
2
摩托罗拉RF设备数据
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
60
50
40
30
20
10
0
2080
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2200
30
25
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
-20
-30
-40
ACPR
η
G
ps
-50
-60
-70
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
IRL
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
IMD
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
20
15
10
5
0
2
1
3
4
5
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
6
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
-25
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
-30
100 kHz音调间距
-35
-40
200毫安
250毫安
400毫安
300毫安
350毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
-20
-30
-40
-50
-60
-70
1.0
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
7阶
五阶
-45
-50
-55
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
16
15
图6.互调失真产品
与输出功率
-22
-24
PS ，功率增益（分贝）
15
PS ，功率增益（分贝）
400毫安
350毫安
300毫安
250毫安
200毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
14.5
G
ps
14
IMD
-26
-28
-30
-32
P
OUT
= 30 W（ PEP ）
I
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
22
24
26
28
30
32
-34
-36
-38
34
14
13.5
13
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
13
20
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF21030R3 MRF21030SR3
4
摩托罗拉RF设备数据
QQ：2880707522 复制
