飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF18085A
牧师6 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为GSM和GSM EDGE基站应用
频率1800至2000年兆赫。适合于TDMA，CDMA和
多载波放大器应用。要使用AB类的PCN - PCS /
蜂窝式无线电和WLL应用。指定为GSM - GSM EDGE
1805- 1880兆赫。
GSM和GSM EDGE性能，全频波段
（一八〇五年至1880年兆赫）
功率增益 - 24分贝（典型值） @ 85瓦CW
效率 - 52 ％ （典型值） @ 85瓦CW
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 1840兆赫， 85瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF18085ALR3
MRF18085ALSR3
1805- 1880兆赫， 85 W， 26 V
GSM / EDGE GSM
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF18085ALR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF18085ALSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
273
1.56
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
0.79
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 600 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
共源放大器功率增益@ 85W。
(2)
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
漏极效率@ 85W。
(2)
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
输入回波损耗@ 85W。
(2)
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
功率输出， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
G
ps
η
IRL
P1dB
13.5
48
—
83
15
52
- 12
90
—
—
-9
—
dB
%
dB
瓦
C
RSS
—
3.6
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2
2.5
—
—
3.9
0.15
4
4.5
—
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
2.为了满足应用需求，飞思卡尔测试夹具的目的是为了覆盖整个GSM1800频段，以确保
分批到 - 批次的一致性。
MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
供应
V
BIAS
+
C4
R1
R2
C5
C6
R3
RF
输入
Z1
C2
Z2
C1
Z4
Z5
Z6
DUT
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
C10
C3
Z12
RF
产量
C7
C8
+
C9
Z3
C1, C3, C6, C7
C2
C4
C5, C8
C9
C10
R1, R2
R3
Z1
Z2
Z3
10 pF的贴片电容， ATC
1.8 pF的贴片电容， ATC
10
MF，
35 V钽电容， AVX
1 nF的贴片电容， ATC
220
MF，
63 V的电解电容器，径向，飞利浦
0.3 pF的贴片电容， ATC
10千瓦， 1/4 W码电阻器（ 1206）
1.0千瓦， 1/4 W码电阻（ 1206 ）
0.671 “× 0.087 ”微带
0.568 “× 0.087 ”微带
0.500 “× 0.098 ”微带短轴
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
PCB
0.610 “× 00.118 ”微带
0.331 “× 1.153 ”微带
0.063 “× 1.153 ”微带
0.122 “× 0.925 ”微带
0.547 “× 0.925 ”微带
0.394 “× 0.177 ”微带
0.180 “× 0.087 ”微带
0.686 “× 0.087 ”微带
0.294 “× 0.087 ”微带
Taconic的TLX8 ， 30密耳，
ε
r
= 2.55
图1. 1805年至1880年兆赫测试夹具示意图
C9
R1
C5 C6
R2
R3
C2
C1
背带
切出区
C7
C8
C4
C3
C10
MRF18085A
Rev0
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. 1805年至1880年兆赫测试夹具元件布局
MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
17
16
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
0
1
10
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）
400毫安
I
DQ
=千毫安
800毫安
600毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1840 MHz的
T
C
= 25_C
PS ，功率增益（分贝）
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
0.1
I
DQ
= 800毫安
F = 1840 MHz的
T
C
= 25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
32 V
28 V
24 V
V
DD
= 20 V
100
1000
图3.功率增益与输出功率
图4.功率增益与输出功率
17
噘嘴，输出功率（瓦）
16
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
9
1
10
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）
50_C
85_C
T
C
= 25_C
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
F = 1840 MHz的
120
P
in
= 8 W
100
80
60
40
20
0
1800
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
T
C
= 25_C
1W
0.5 W
4W
1820
1840
1860
1880
1900
男，频率（MHz）
图5.功率增益与输出功率
图6.输出功率与频率
17
16
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
1750
IRL @ 30瓦
IRL @ 80瓦
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
T
C
= 25_C
1800
1850
男，频率（MHz）
1900
G
ps
@ 30 W
G
ps
@ 80 W
0
4
8
12
16
20
24
16
G
ps
IRL ，输入回波损耗（分贝）
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
F = 1840 MHz的
T
C
= 25_C
60
50
40
30
20
η
10
0
1000
η
，漏极效率（ ％ ）
28
1950
10
0.1
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）
图7.功率增益与频率
图8.功率增益和效率与
输出功率
MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
Z
o
= 10
Ω
F = 1990 MHz的
Z
负载
F = 1710 MHz的
F = 1990 MHz的
F = 1710 MHz的
Z
来源
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 800毫安， P
OUT
= 85W。 CW
f
兆赫
1710
1785
1805
1880
1930
1960
1990
Z
来源
Ω
1.13 - j3.62
1.61 - j4.23
1.69 - j4.34
2.83 - j5.25
3.00 - j5.18
4.39 - j4.97
6.59 - j4.74
Z
负载
Ω
1.79 - j2.88
1.82 - j3.15
1.90 - j2.66
2.09 - j2.77
2.01 - j2.44
2.01 - j2.57
1.79 - j2.37
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
测量=测试电路的阻抗
从漏极到地。
输入
匹配
网
设备
被测
产量
匹配
网
Z
来源
Z
负载
图9.系列等效源和负载阻抗
MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF18085A / D
专为GSM和GSM EDGE基站应用
频率从1.8至2.0千兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波
放大器应用。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和
WLL应用。指定为GSM -GSM EDGE 1805至80年兆赫。
GSM和GSM EDGE性能，全频波段
（ 1805-1880 ）
功率增益 - 24分贝（典型值） @ 85瓦CW
效率 - 52 ％ （典型值） @ 85瓦CW
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， @的P1dB输出功率，
@ F = 1805 MHz的
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40μ “名义。
MRF18085A
射频功率场效应晶体管MRF18085AR3
N沟道增强模式横向的MOSFET
MRF18085ALSR3
射频MOSFET线
GSM / EDGE GSM
1.8 - 1.88 GHz时， 85 W， 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465-06 ，风格1
NI–780
MRF18085A ， MRF18085AR3
CASE 465A -06 ，风格1
NI–780S
MRF18085ALSR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
273
1.56
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.64
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （典型值）
M3 （典型值）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 0
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF18085A MRF18085AR3 MRF18085ALSR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 600 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
共源放大器功率增益@ 85 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
漏极效率@ 85 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
输入回波损耗@ 85 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
输出失配应力@的P1dB
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 800 mA时， F = 1805兆赫，
驻波比= 5:1 ，全相位角在测试的频率）
G
ps
η
IRL
P1dB
Ψ
13.5
48
—
83
15
52
–12
90
—
—
–9
—
dB
%
dB
瓦
C
RSS
—
3.6
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2.5
—
—
—
3.9
0.15
6.0
4
4.5
—
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在输出功率不降低
试验前后
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）为了满足应用的要求，摩托罗拉测试装置已被设计为覆盖全部的GSM1800频带，保证批与批
一致性。
MRF18085A MRF18085AR3 MRF18085ALSR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
C7
+
C4
R1
R2
C5
C6
R3
Z1
Z3
C2
Z2
C1
Z4
Z5
Z6
DUT
Z7
Z8
Z9
Z10
C8
+
V
DD
C9
RF
输入
Z11
C10
C3
Z12
RF
产量
C1, C3, C6, C7
C2
C4
C5, C8
C9
C10
R1, R2
R3
Z1
Z2
Z3
10 pF的贴片电容，B为例， ATC
1.8 pF的贴片电容，B为例， ATC
10
MF，
35 V钽电容， AVX
1 nF的贴片电容，B为例， ATC
220
MF，
63 V的电解电容器，径向，飞利浦
0.3 pF的贴片电容，B为例， ATC
10千瓦， 1/4 W码电阻器（ 1206）
1.0千瓦， 1/4 W码电阻（ 1206 ）
0.671 “× 0.087 ”微带
0.568 “× 0.087 ”微带
0.500 “× 0.098 ”微带短轴
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
PCB
连接器
0.610 “× 00.118 ”微带
0.331 “× 1.153 ”微带
0.063 “× 1.153 ”微带
0.122 “× 0.925 ”微带
0.547 “× 0.925 ”微带
0.394 “× 0.177 ”微带
0.180 “× 0.087 ”微带
0.686 “× 0.087 ”微带
0.294 “× 0.087 ”微带
Taconic的TLX8 ，0.8毫米厚度
“N”型， MACOM 3052-1648-10
图1： 1.80 - 1.88 GHz的测试夹具示意图
C9
C4
R1
C5 C6
R2
C2
C1
背带
R3
切出区
C7
C8
C3
C10
MRF18085A
C–PP–02–01–2–Rev0
图2： 1.80 - 1.88 GHz的测试夹具元件布局
摩托罗拉RF设备数据
MRF18085A MRF18085AR3 MRF18085ALSR3
3
典型特征
17
16
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
0
1
10
100
1000
I
DQ
=千毫安
800毫安
600毫安
400毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1840 MHz的
T
C
= 25_C
PS ，功率增益（分贝）
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
0.1
I
DQ
= 800毫安
F = 1840 MHz的
T
C
= 25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
32 V
28 V
24 V
V
DD
= 20 V
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦）
图3.功率增益与输出功率
图4.功率增益与输出功率
17
16
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
9
1
10
100
50_C
T
C
= 25_C
85_C
噘嘴，输出功率（瓦）
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
F = 1840 MHz的
120
100
80
60
40
20
0
1800
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
T
C
= 25_C
P
in
= 8 W
4W
1W
0.5 W
1000
1820
1840
1860
1880
1900
P
OUT
，输出功率（瓦）
男，频率（MHz）
图5.功率增益与输出功率
图6.输出功率与频率
17
16
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
10
1750
1800
1850
男，频率（MHz）
IRL @ 30瓦
IRL @ 80瓦
G
ps
@ 30 W
G
ps
@ 80 W
0
-4
-8
-12
-16
-20
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
T
C
= 25_C
1900
-24
16
IRL ，输入回波损耗（分贝）
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 800毫安
F = 1840 MHz的
T
C
= 25_C
G
ps
60
50
40
30
20
η
，漏极效率（ ％ ）
η
0.1
1
10
100
10
0
1000
-28
1950
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
图7.功率增益与频率
图8.功率增益和效率与
输出功率
MRF18085A MRF18085AR3 MRF18085ALSR3
4
摩托罗拉RF设备数据
Z
o
= 10
Z
来源
F = 1710 MHz的
F = 1710 MHz的
F = 1990 MHz的
Z
负载
F = 1990 MHz的
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 800毫安， P
OUT
= 85W。 CW
f
兆赫
1710
1785
1805
1880
1930
1960
1990
Z
来源
1.13 + j3.62
1.61 + j4.23
1.69 + j4.34
2.83 + j5.25
3.00 + j5.18
4.39 + j4.97
6.59 + j4.74
Z
负载
1.79 + j2.88
1.82 + j3.15
1.90 + j2.66
2.09 + j2.77
2.01 + j2.44
2.01 + j2.57
1.79 + j2.37
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
测量=测试电路的阻抗
从漏极到地。
产量
匹配
网
输入
匹配
网
设备
被测
Z
来源
Z
负载
图9.系列等效输入和输出阻抗
摩托罗拉RF设备数据
MRF18085A MRF18085AR3 MRF18085ALSR3
5
QQ：2880707522 复制
