MGA-31716
0.1 W高线性度驱动放大器器
数据表
描述
安华高科技MGA- 31716是一款高线性驱动器
MMIC放大器器安装在一个标准的3X3 QFN 16引脚
塑料封装。它具有高增益，低运行
电流，低噪声音响gure具有良好的输入和输出
回波损耗。功耗可以进一步降低
通过减少使用两个外部的静态偏置电流
偏置电阻。该设备可以很容易地匹配于二FF erent
频率，以获得最佳的线性度性能
这些频率。
MGA- 31716是特别理想的50
:
无线基础设施
TURE应用程序运行从直流到2GHz的频率
范围内。与高线性度，出色的增益平坦度和
低噪声音响gure的MGA- 31716可被用作一个驱动
在发射链和作为第二级LNA放大器呃
在接收器链。
本装置采用安华高科技专有0.25
Pm
GaAs增强模式pHEMT工艺。
特点
x
非常高的线性度低直流偏置电源
[1]
x
高增益具有良好的增益平坦度
x
符合RoHS
x
良好的噪声图
x
无卤
x
先进的增强模式pHEMT工艺
x
3X3 QFN 16引脚封装标准
x
无铅MSL1
特定网络阳离子
在900 MHz时， VD = 5 V ，ID = 58毫安（典型值） @ 25°C
x
OIP3 = 41.0 dBm的
x
噪声系数= 1.9分贝
x
增益= 20.2分贝
x
的P1dB = 21.2 dBm的
x
IRL = 16.7分贝， ORL = 15.9分贝
注意：
1. MGA- 31716具有16.5 dB的优越轻组有机质。线性-图- OF-
优点（轻组有机质）是OIP3的比例与总DC偏置功率。
引脚连接和封装标识
31716
YYWW
XXXX
顶视图
VBIAS 16
VCTRL 15
NC 14
VD 13
NC 12
RFOUT 11
RFOUT 10
NC
9
8
NC
7
NC
6
NC
5
NC
GND
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 60 V
ESD人体模型= 300 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
1 NC
2
NC
3
RFIN
4 NC
NC - 不
连接的
底部视图
注意事项：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 31716 ” =设备型号
“ YYWW ” =工作周和制造年份
“XXXX” =最后4位数的批号
图1.简化的应用电路
表1. MGA- 31716绝对最大
等级
[1]
T
A
= 25° C
符号
V
D， MAX
V
偏见，最大
V
CTRL ，最大
P
d
P
in
T
j
T
英镑
T
AMB
热
阻力
绝对最大
5.5
5.5
5.5
605
24
150
-65到150
-40到85
参数
漏极电压
偏压
控制电压
功耗
[2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
环境温度
单位
V
V
V
mW
DBM
°C
°C
°C
热
阻力
[3]
(V
d
= 5.0 V ，T
c
= 85° C)
T
jc
= 67.0 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性损坏
2.源铅温度为25°C降额14.9
毫瓦/°C，对于T
L
> 130.0 ℃。
用150 ℃测量3.热电阻
红外显微技术。
表2. MGA- 31716电动特定网络阳离子
[1]
T
C
= 25 ° C，V
d
= 5.0 V时，除非另有说明
符号
I
ds
参数和测试条件
静态电流
频率
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
450兆赫
900兆赫
1500兆赫
单位
mA
分钟。
37
典型值。
63
58
54
1.8
1.9
1.8
21.0
20.2
19.6
40.5
41.0
41.0
15.5
16.5
16.8
马克斯。
83
NF
噪声系数
dB
–
2.7
收益
收益
dB
18.5
21.5
OIP3
[2, 4]
输出三阶截点
DBM
37
–
轻组有机质
[3]
优异的线性度图
DBM
P1dB
在1分贝增益压缩输出功率
DBM
19.5
22.1
21.2
21.1
45.3
43.9
42.5
15.3
16.7
18.7
13.8
15.9
12.0
25.2
25.7
26.7
–
PAE
功率附加ê效率FFI P1dB时
%
IRL
输入回波损耗
dB
ORL
输出回波损耗
dB
ISOL
隔离
dB
注意事项：
从测试电路1获得的测量并在图46和47和表3演示板详述。
2. OIP3测试条件： F1 - F2 = 1 MHz时，为每口气在最坏的情况下边带测量-12 dBm的输入功率。
3.轻组有机质是德网络定义为轻组有机质= OIP3 （单位为dBm ） - P
DC
（以dBm为单位） 。它是每单位的扩增fi er直流电力的消耗的线性度的量度。
4. DEMOBOARD调到最小过温度漂移最好的OIP3 。
2
MGA- 31716的一致性分布图
[1, 2]
LSL
USL
USL
40
50
60
70
80
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
图2.标识@ 900 MHz的; LSL = 37 mA时，
公称
= 58毫安， USL = 83毫安
网络连接gure 3 。
NF
@ 900 MHz的;
公称
= 1.9分贝， USL = 2.7分贝
LSL
USL
LSL
19
20
21
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
科幻gure
4.
获得@ 900 MHz的; LSL = 18.5分贝，
公称
= 20.2分贝， USL = 21.5分贝
图5. OIP3 @ 900 MHz的;
公称
=
41
dBm时， LSL = 37 dBm的
LSL
20
21
22
23
24
图6的P1dB @ 900 MHz的;
公称
= 21.2 dBm时， LSL = 19.5 dBm的
注意事项：
1.数据样本量为4迪FF erent片和2双FF erent地段采取4000的样品。分配给该产品未来的晶片可具有象征
值的上限和下限之间的任何地方。
2.测量是在生产测试板，它代表了最佳的增益， NF ， OIP3和P1dB的之间的贸易-O FF进行。电路损耗过
解嵌，从实际测量。
3
MGA- 31716的典型性能数据
450
兆赫
T
C
= 25 ° C，V
d
= 5.0 V，I
d
= 63 MA（基于BOM为450 MHz的最佳线性调节表3 ）
42
40
38
OIP3
（ dBm的）
36
34
32
30
28
-20 -19 -18 -17 -16 -15 -14 -13 -12 -11 -10 -9
针
（ dBm的）
图7. OIP3 VS引脚和温度
-8
-7
25° C
-40°
C
85° C
OIP3
（ dBm的）
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
150
25° C
-40°
C
85° C
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
图8. OIP3与频率和温度
22
21
20
收益
（ dB）的
19
18
17
16
15
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
25° C
-40°
C
85° C
750
输入回波损耗（dB ）
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
150
25° C
-40°
C
85° C
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
图9.增益与频率和温度
图10. IRL与频率和温度
0
-5
产量
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
25° C
-40°
C
85° C
隔离度（dB ）
-24
-25
-26
-27
-28
-29
-30
-31
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
25° C
-40°
C
85° C
750
图11. ORL与频率和温度
图12.隔离与频率和温度
4
MGA- 31716的典型性能数据
450
兆赫
T
C
= 25 ° C，V
d
= 5.0 V，I
d
= 63毫安（基于BOM的表3中，调整为最佳的线性度，在整个温度范围）
23
22
噪声系数（dB ）
25° C
-40°
C
85° C
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
750
21
P1dB
（ dBm的）
20
19
18
17
16
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
150
250
350
450
550
频率（MHz）
650
25° C
-40°
C
85° C
750
图13的P1dB与频率和温度
图14 。
噪音
图与频率和温度
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
41.0
25° C
-40°
C
85° C
OIP3
（ dBm的）
40.5
40.0
39.5
39.0
38.5
1000
在OIP3
R2 =
560
:
电流
R2 =
560
:
1100
1200
1300
R1 （欧姆）
1400
65
64
63
ID （MA ）
62
61
60
59
58
57
1500
ID （MA ）
0.0 0.5
1.0 1.5
2.0 2.5 3.0 3.5
4.0 4.5
5.0 5.5
VD （伏）
图15.电流与电压和温度
图16. OIP3和静态电流与迪FF erent
R1
[1]
41.5
41.0
40.5
OIP3
（ dBm的）
40.0
39.5
39.0
38.5
38.0
470
在OIP3
R1 = 1.2 K：
电流
R1 = 1.2 K：
500
530
560
590
R2 （欧姆）
620
650
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
680
ID （MA ）
图17. OIP3和静态电流与迪FF erent
R2
[1]
注意：
1. V偏压和VCTRL可以通过改变外部偏置电阻R1 = Rbias两端且R2 = Rctrl （如示于图46）从外部控制。
5
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