【飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF1511N启7 ， 6/2008射频功率场效应晶体管N 】,IC型号MRF1511N,MRF1511N PDF资料,MRF1511N经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF1511N

启7 ， 6/2008

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET

设计用于在frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以175兆赫。该装置的高增益和宽带性能

使其非常适用于大信号，在7.5伏的共源放大器的应用

便携式调频设备。

指定的性能@ 175 MHz时， 7.5伏特

输出功率 - 8瓦

功率增益 - 13分贝

效率 - 70 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 9.5伏直流电，

175兆赫， 2分贝高速

特点

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大 - 信号

阻抗参数

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

在磁带和卷轴。 T1每12毫米后缀= 1000单位，

7英寸卷轴。

MRF1511NT1

175兆赫， 8 W， 7.5 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

CASE 466 - 03 ，风格1

PLD - 1.5

塑料

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

= 25°C

(1)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

DSS

英镑

价值

- 0.5, +40

62.5

0.5

- 65 + 150

150

单位

VDC

ADC

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

价值

(2)

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

1.计算值根据公式P

TJ - TC

等级

封装峰值温度

260

单位

°C

θJC

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

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表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

零栅极电压漏极电流

= 35 VDC ，V

= 0)

门 - 源极漏电流

= 10 VDC ，V

= 0)

基本特征

栅极阈值电压

= 7.5伏，我

= 170

μA)

漏极 - 源极导 - 电压

= 10 VDC ，我

= 1 ADC）

动态特性

输入电容

= 7.5伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

输出电容

= 7.5伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

反向传输电容

= 7.5伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

功能测试

（飞思卡尔测试夹具）

通用 - 源放大器功率增益

= 7.5伏，P

OUT

= 8瓦，我

= 150 mA时， F = 175兆赫）

漏EF网络效率

= 7.5伏，P

OUT

= 8瓦，我

= 150 mA时， F = 175兆赫）

—

国际空间站

OSS

RSS

—

100

—

GS （ TH）

DS （ ON）

—

1.6

0.4

2.1

—

VDC

DSS

GSS

—

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

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输入

DUT

C10

C11

C12

C18

C17

C16

C15

Z10

C14

C13

产量

短铁氧体磁珠，公平礼产品

(2743021446)

C1 ， C5 ， C18 120 pF的， 100万片式电容器

C2 ， C10 ， C12 0至20 pF的，微调电容器

33 pF的， 100万片电容

68 pF的， 100万片电容

C6, C15

μF,

50 V电解电容器

C7, C16

1200 PF， 100万片式电容器

C8, C17

0.1

μF,

100万片式电容器

150 pF的， 100万片电容

C11

43 pF的， 100万片电容

C13

24 pF的， 100万片电容

C14

300 pF的， 100万片电容

L1, L3

12.5 NH， A04T ， Coilcraft公司

26 NH， 4转， Coilcraft公司

55.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N1, N2

N型法兰底座

B1, B2

Z5, Z6

Z10

板

Ω,

0805贴片电阻

1.0千欧， 1/8 W电阻

1.0千欧， 0805贴片电阻

33千欧， 1/8 W电阻

0.200 “× 0.080 ”微带

0.755 “× 0.080 ”微带

0.300 “× 0.080 ”微带

0.065 “× 0.080 ”微带

0.260 “× 0.223 ”微带

0.095 “× 0.080 ”微带

0.418 “× 0.080 ”微带

1.057 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳， 2盎司铜

图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路

典型特性， 135 - 175兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

IRL ，输入回波损耗（分贝）

= 7.5 V

155兆赫

135兆赫

175兆赫

135兆赫

175兆赫

155兆赫

= 7.5 V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

，输入功率（瓦）

0.6

0.7

OUT

，输出功率（瓦）

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗

与输出功率

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典型特性， 135 - 175兆赫

155兆赫

135兆赫

增益（dB ）

175兆赫

EFF ，漏极效率（％）

155兆赫

OUT

，输出功率（瓦）

OUT

，输出功率（瓦）

= 7.5 V

135兆赫

175兆赫

= 7.5 V

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

噘嘴，输出功率（瓦）

200

400

600

，偏置电流（mA）

800

1000

= 7.5 V

= 27 dBm的

155兆赫

135兆赫

175兆赫

EFF ，漏极效率（％）

155兆赫

135兆赫

175兆赫

= 7.5 V

= 27 dBm的

200

400

600

，偏置电流（mA）

800

1000

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与

偏置电流

噘嘴，输出功率（瓦）

，电源电压（伏）

= 150毫安

= 27 dBm的

175兆赫

135兆赫

155兆赫

EFF ，漏极效率（％）

155兆赫

135兆赫

175兆赫

= 150毫安

= 27 dBm的

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

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输入

DUT

C10

C16

C15

C14

C13

Z10

C12

C11

产量

B1, B2

C1, C12

C3, C10

C5, C16

C6, C13

C7, C14

C8, C15

C11

短铁氧体磁珠，公平礼产品

(2743021446)

330 pF的， 100万片式电容器

43 pF的， 100万片电容

0至20 pF的，微调电容器

24 pF的， 100万片电容

120 pF的， 100万片式电容器

μF,

50 V电解电容器

1200 PF， 100万片式电容器

0.1

μF,

100万片式电容器

380 pF的， 100万片电容

75 pF的， 100万片电容

82 NH， Coilcraft公司

55.5 NH， 5转， Coilcraft公司

39 NH， 6转， Coilcraft公司

N1, N2

Z5, Z6

Z10

板

N型法兰底座

Ω,

0805贴片电阻

Ω,

1/2 W电阻

100

Ω,

0805贴片电阻

33千欧， 1/8 W电阻

0.136 “× 0.080 ”微带

0.242 “× 0.080 ”微带

1.032 “× 0.080 ”微带

0.145 “× 0.080 ”微带

0.260 “× 0.223 ”微带

0.134 “× 0.080 ”微带

0.490 “× 0.080 ”微带

0.872 “× 0.080 ”微带

0.206 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳， 2盎司铜

图10. 66 - 88 MHz的宽带测试电路

典型特征， 66 - 88 MHz的

77兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

88兆赫

66兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

，输入功率（瓦）

0.6

0.7

OUT

，输出功率（瓦）

66兆赫

77兆赫

88兆赫

= 7.5 V

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗

与输出功率

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